シンポジウム

26p-KL - 1〜8


• 1イントロダクトリートーク：シリコンテクノロジー今昔物語、近未来への提言（30分）新潟大学 ^○金田　寛
• 2次世代ナノCMOSにおける物性制御と不純物（30分）名大院工¹，コバレントシリコン^{2 ○}財満鎭明¹，中塚　理¹，竹内正太郎²
• 3原子間力顕微鏡による半導体中の不純物の直接観察（30分）大阪大学 ^○阿部真之
•  休憩　14:45〜15:00
• 4シリコン太陽電池：アモルファス Si、微結晶 Siでの不純物ドーピングによる価電子制御（30分）産総研 ^○近藤道雄
• 5ドーピング不純物や金属不純物が少数キャリア寿命に与える影響（30分）豊田工業大学 ^○大下祥雄
• 6シリコンパワーデバイスとMOS-LSIにおける不純物を含む結晶欠陥制御（30分）千葉工大工 ^○山本秀和
• 7パワーデバイス用MCZ-Si基板における低濃度炭素定量法の開発（30分）コバレントシリコン ^○中川聰子
• 8クロージングトーク（5分）阪大院工 ^○藤原康文