シンポジウム

25p-KC - 1〜11


• 1イントロダクトリートーク：超低電力デバイス技術と，回路・アプリケーションとの連携（10分）東大生研 ^○平本俊郎
• 2極低電力Si半導体デバイスの期待市場とその技術状況（20分）金沢工業大学 ^○井田次郎
• 3ヘルスケアデバイス・生体埋め込み用LSIに対する要求（30分）奈良先端大¹，JST-CRES^{2 ○}太田　淳^1,2
• 4電磁波を用いたエネルギーハーベスティングとセンサーネットワーク（30分）京大生存圏研 ^○篠原真毅
• 5極低電圧動作による超低電力回路設計技術（30分）東大 ^○高宮　真，安福　正，更田裕司，石田光一，桜井貴康
• 6超低電力回路設計プラットフォームのための物理ベースデバイスモデル（30分）広島大学 ^○天川修平，三宅正尭，菊地原秀行，三浦道子
•  休憩　15:30〜15:45
• 7CMOSの超低電圧化の阻害要因とデバイス物理（30分）MIRAI-Selete ^○熊代成孝
• 8超低電力化を実現する新概念VLSI：不揮発性論理回路技術の展望（30分）東北大CSIS¹，東北大通研^{2 ○}鈴木大輔¹，羽生貴弘²
• 9BEOLデバイスを核とした超低電力プラットフォーム開発（25分）超低電圧デバ技研組合 ^○杉井寿博，高浦則克，波田博光，酒井忠司，杉井信之，木村紳一郎，住広直孝
• 10超急峻スイッチングトランジスタの展望（30分）産総研GNC ^○太田裕之，森　貴洋，安田哲二，田邊顕人，福田浩一，右田真司，大内真一，昌原明植
• 11LEAPの役割とオープンイノベーション（10分）超低電圧ﾃﾞﾊﾞｲｽ技術研究組合 ^○住広直孝，杉井寿博，高浦則克，波田博光，酒井忠司，杉井信之，木村紳一郎