シンポジウム

25p-BM - 1〜8


• 1イントロダクトリートーク：グラフェンエピタキシーの現状と将来展望（15分）北大 ^○陽　完治
• 2SiC上のエピタキシャルグラフェン成長とグラフェン単層膜評価（30分）北大 ^○陽　完治
• 3エピタキシャルグラフェン成長とLEEM評価技術（30分）NTT物性基礎研 ^○日比野浩樹，田邉真一，影島愽之，前田文彦
• 4SiC上グラフェンナノ構造の成長と電子物性（30分）九大工院¹，東大物性研^{2 ○}田中　悟¹，上原直也¹，栗栖悠輔¹，森田康平¹，吉村継生²，中辻　寛²，小森文夫²
•  休憩　14:45〜15:00
• 5CVDによるグラフェンの大面積成長とデバイスへの応用（30分）産総研GNC¹，富士通研^{2 ○}佐藤信太郎^1,2，林賢二郎^1,2，近藤大雄^1,2，八木克典¹，山田綾香¹，原田直樹^1,2，横山直樹^1,2
• 6単層グラフェンのエピタキシャルCVD成長（30分）九大先導研¹，JSTさきがけ^{2 ○}吾郷浩樹^1,2
• 7CVDによるグラフェン透明導電膜の作製（30分）富士電機ホールディングス ^○藤井健志，佐藤まり子，米澤喜幸，高橋伸幸，市川幸美
• 8グラフェン/SiO2基板相互作用に対する理解と制御 -すべての製膜技術に必要な転写技術への示唆-（30分）東大院工　マテリアル ^○長汐晃輔，鳥海　明