シンポジウム

25a-KA - 1〜8


• 1イントロダクトリートーク:ナノエレクトロニクス研究の国際連携（10分）産総研ナノ電子デバイス ^○秋永広幸
• 2ナノエレクトロニクス研究を俯瞰する（30分）Tokyo Tech ^○内田　建
• 3ナノエレクトロニクス研究の国際連携の取り組み（30分）東大生研 ^○平本俊郎
• 4ナノエレクトロニクス研究の最前線I：　LSIのためのカーボンナノチューブ配線・トランジスタ技術（25分）慶大理工¹，MIRAI-Selete²，富士通研³，東芝⁴，名大工^{5 ○}粟野祐二^1,2，佐藤信太郎^2,3，二瓶瑞久^2,3，酒井忠司^2,4，大野雄高⁵，水谷　孝⁵
•  休憩　11:05〜11:20
• 5ナノエレクトロニクス研究の最前線II 原子移動型トランジスタの開発（25分）物材機構 ^○長谷川剛
• 6ナノエレクトロニクス研究の最前線III 抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)の開発（25分）産総研・ナノ電子 ^○島　　久
• 7スピントランジスタ・エレクトロニクス -不揮発性ロジックに基づく低消費電力集積回路の基盤技術-（25分）東工大像情報¹，科技機構CREST^{2 ○}菅原　聡^1,2
• 8日本ナノエレクトロニクス研究の国際連携のありかたは？（10分）パナソニック ^○小倉基次