シンポジウム

24p-BK - 1〜13


• 1イントロダクトリートーク：薄膜トランジスタ、薄膜太陽電池のプロダクション科学　-半導体薄膜の低温結晶化-（5分）兵庫県立大学 ^○松尾直人
• 2Si及びGe膜のエキシマレーザ結晶化過程の実時間観測（25分）島大 ^○葉　文昌
• 3連続発振レーザラテラル結晶化とTFT特性（25分）東北大工 ^○黒木伸一郎
• 4次世代Si薄膜アニール技術としてのBLDA（25分）琉球大工¹，日立コンピュータ機器^{2 ○}野口　隆¹，J.D. Mugiraneza¹，岡田竜弥¹，白井克弥¹，鈴木俊治¹，松島英紀²，橋本隆夫²，荻野義明²，佐保田英司²
• 5青紫色半導体レーザを用いたａ-Ｓｉ膜結晶化技術とそのＴＦＴ応用（25分）パナソニック先端研¹，パナソニックセミコン社²，パナソニックボストン研^{3 ○}森本　廉¹，鈴木信靖¹，山中一彦²，油利正昭²，劉　新兵³
• 6ポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜の成長 -固相成長の観点から-（25分）山口大院理工¹，帝人²，九大院シス情^{3 ○}河本直哉¹，只友一行¹，今村哲也²，富澤由香²，中川　豪³，浅野種正³
•  休憩　15:10〜15:25
• 7大気圧プラズマジェット照射熱処理によるシリコン膜のマイクロ秒相変化とTFT応用（25分）広大院先端研 ^○東清一郎
• 8フラッシュランプアニールによる非晶質シリコン膜の結晶化とその太陽電池応用（25分）北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 9軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化（25分）兵庫県立大工¹，兵庫県立大高度研²，九大･院システム情報^{3 ○}部家　彰¹，松尾直人¹，天野　壮²，宮本修治²，神田一浩²，望月孝晏²，佐道泰造³，宮尾正信³
• 10金属誘起反応を用いたSi_1-xGe_x/絶縁膜(x:0〜1)の低温結晶成長（25分）九大¹，学振^{2 ○}佐道泰造¹，黒澤昌志^1,2，川畑直之¹，Jong-Hyeok Park¹，宮尾正信¹
• 11Ni内包フェリチンを利用したシリコン薄膜の低温結晶化（25分）NAIST¹，CREST^{2 ○}石河泰明^1,2，東條陽介^1,2，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2
• 12水中レーザーアニールによるSi薄膜の結晶化とSi/Ag層交換を利用したSi薄膜のレーザー直接パターニング（25分）高知高専 ^○池上　浩，清岡雅弘
• 13まとめ（10分）九大シス情 ^○浅野種正