シンポジウム

24p-BN - 1〜12


• 1イントロダクトリートーク（10分）科学技術振興機構 ^○松波弘之
• 2新電元工業（株）におけるSiCパワーデバイスの開発/製品化について（25分）新電元・技開センター¹，新電元・電デバ開発部^{2 ○}清水正章¹，前山雄介¹，吉田賢一¹，佐藤朋弥²，友繁　渉¹
• 3SiCデバイス開発と機器への適用（25分）三菱電機 ^○大森達夫，今泉昌之
• 4次世代自動車に向けたSiC開発（25分）デンソー ^○鶴田和弘
• 5インフラ機器、鉄道に向けたSiC開発（25分）東芝研開センター ^○四戸　孝
•  休憩　14:50〜15:10
• 6SiC単結晶基板の開発動向（25分）新日本製鉄先端技術研究所¹，新材料パワー半導体研究開発センター富津分室^{2 ○}藤本辰雄^{1, 2}
• 7SiCエピタキシャルウェハの生産技術開発（25分）昭和電工 ^○佐藤貴幸
• 8溶液法によるSiC結晶成長　ー多形制御・結晶性ー（25分）名大工 ^○宇治原徹
• 9高耐圧SiCバイポーラデバイスに向けた基礎研究（25分）京大工 ^○木本恒暢，須田　淳，馮　　淦，三宅裕樹，川原洸太朗
• 10SiCデバイスプロセスの高度化に向けた新規表面・界面改質技術の開発（25分）奈良先端大学院 ^○冬木　隆，矢野裕司，畑山智亮
• 11SiC熱酸化機構の解明への取り組み：特にSi酸化との類似点及び相違点について（25分）埼玉大院¹，産総研^{2 ○}土方泰斗¹，矢口裕之¹，吉田貞史²
• 12クロージングリマーク（10分）原子力機構 ^○伊藤久義