シンポジウム

スピントロニクス不揮発メモリ・不揮発ロジックの現状と展望

3月24日 13:00〜16:55  会場:K2-KQ

24p-KQ - 1〜8

  • 1スピントロニクス不揮発メモリ・不揮発ロジックの現状と展望:イントロダクトリートーク(10分)産総研 久保田均
  • 2Embedded STT-MRAM: Device, Macro, and System-on-Chip (35分)Qualcomm Inc. Seung H. Kang
  • 3不揮発性ロジックインメモリアーキテクチャが拓く新コンピューティングパラダイムの展望(30分)東北大学 夏井雅典,羽生貴弘
  • 4高速Spin-RAM技術とロジック回路への適用(25分)日本電気 崎村 昇,根橋竜介,本庄弘明,深見俊輔,石綿延行,杉林直彦
  •  休憩 14:40〜15:00
  • 5面内および垂直磁化磁気抵抗素子のスピン注入による高速磁化反転(25分)阪大基礎工1,産総研スピントロニクス2,東芝3 冨田博之1鈴木義茂1,2,野崎隆行1,福島章雄2,久保田均2,薬師寺啓2,湯浅新治2,長瀬俊彦3,北川英二3,大坊忠臣3,長嶺 真3,池川純夫3,下村尚治3,與田博明3
  • 6磁性体の磁気緩和の微視的理論(25分)東北大工 佐久間昭正
  • 7STT-RAM: Principles, Design Requirements and Latest Advances (35分)Grandis Dmytro Apalkov
  • 8垂直磁化MTJの開発(30分)産総研 薬師寺啓,猿谷武史,久保田均,福島章雄,湯浅新治,安藤功兒