シンポジウム

半導体プロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション

3月24日 10:35〜16:15  会場:K1-KC

24a-KC - 1〜3

  • 1半導体プロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーションについて(10分)阪大サイバーメディアセンター 小田中紳二
  • 2KMC法によるポケット不純物の原子レベル拡散シミュレーション(30分)パナソニック1,IMEC2,K. U. Leuven3 野田泰史1,Wilfried Vandervorst2, 3,Christa Vrancken2,Thomas Hoffmann2
  • 3特定箇所及び高空間分解能SSRMキャリア分布計測技術(30分)東芝研究開発センター 張  利
  •  昼食 11:45〜13:30

24p-KC - 1〜5

  • 1ランダムしきい値ばらつきのN/P差原因の考察(30分)MIRAI-Selete1,東京大学2 竹内 潔1,角村貴昭1,稲葉 聡1,西田彰男1,蒲原史朗1,平本俊郎2
  • 2CMOS チップによる電位・電流検出型バイオセンシングのシミュレーション(30分)名大院工 宇野重康,長谷川淳一,飯尾麻実,西尾祐輝,中里和郎
  •  休憩 14:30〜14:45
  • 3原子論的アプローチによるSiナノワイヤのフォノン散乱移動度モデリング(30分)神戸大工 山田吉宏,土屋英昭,小川真人
  • 4等価モデルを用いた原子論的デバイスシミュレーション(30分)阪大工1,CREST JST2 ゲナディ ミリ二コフ1,2,森 伸也1,2,三成英樹1,2,鎌倉良成1,2
  • 5ウィグナーモンテカルロ法によるMOSFETの散逸的量子輸送解析(30分)神戸大工 木場隼介,土屋英昭,小川真人