13. 半導体A（シリコン）

＜13:00 〜13:15 はシリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞授賞式＞

24p-KW - 1〜3

• 1「シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演」（25分）
  レーザー３次元アトムプローブによるMOS構造中のドーパント分布解析京大工¹，MIRAI-Selete²，東北大金研^{3 ○}井上耕治¹，矢野史子²，西田彰男²，高見澤悠³，角村貴昭²，永井康介³，長谷川雅幸³
• 2「シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」（15分）
  絶縁膜加工におけるレート均一性変動の予測技術 〜発光シミュレーションを用いたプラズマ/壁相互作用の解析〜ソニー¹，ソニーセミコンダクタ九州^{2 ○}久保井信行¹，深沢正永¹，川島淳志²，大島啓示¹，長畑和典²，辰巳哲也¹
• 3「シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」（15分）
  歪みGeチャネルにおける正孔有効質量の歪み依存性と散乱機構東京都市大¹，東大理²，東北大金研³，山梨大^{4 ○}澤野憲太郎¹，當山清彦²，枡富龍一²，岡本　徹²，宇佐美徳隆³，有元圭介⁴，中川清和⁴，白木靖寛¹