合同セッション

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

3月24日　会場：B5-BS
ショートプレゼンテーション（5分）9:00～12:00
ポスター掲示時間15:30～17:30（会場：第一）

24a-BS - 1～31

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
    無機ナノシートによる新しい配向制御法とNbxTi1-xO2薄膜の低抵抗化    東大院理1，KAST2，CREST3，NIMS4 ○平　健治1,2,3，廣瀬　靖1,2,3，中尾祥一郎1,2，小暮敏博1,3，柴田竜雄3,4，佐々木高義3,4，長谷川哲也1,2,3
  • 2RFスパッタリング法を用いたGa:ZnO透明導電薄膜の構造と特性評価島根大総理工 門脇一葉，多々納優人，舩木修平，○山田容士，北川裕之，久保衆伍
  • 3スパッタ成膜されたZnO系透明導電膜の諸特性に及ぼす不純物添加量の影響金沢工大　OEDS R&Dセンター ○野本淳一，宮田俊弘，南　内嗣
  • 4IGZO薄膜における導電率温度依存性のIn-situ測定富士フイルム ○高田真宏，小野雅司，望月文彦，田中　淳，鈴木真之
  • 5IGZO膜の輸送特性に与える熱処理効果九大院理1，情通機構2，出光興産 先進研3 ○（M1）江崎翔平1，牧瀬圭正2，浅野貴行1，篠崎文重1，山田和正1，笘井重和3，矢野公規3，中村浩昭3
  • 6ラマン分光法およびカソードルミネッセンス（CL）法によるa-IGZO膜評価東レリサーチセンター1，青山学院大理工2 ○井上敬子1，松田景子1，吉川正信1，岡　伸人2，重里有三2
  • 7Ga含有MgOターゲットとGZOターゲットの同時スパッタによるGaドープZnMgO透明導電膜の作製産総研 ○（PC）前島圭剛，柴田　肇，反保衆志，松原浩司，仁木　栄
  • 8直流スパッタリングによりPET基板上にRoll to Rollで作製したGZO膜の耐湿熱性鳥取大院工1，尾池工業2，鳥取大電子ディスプレイ研3 ○檜木利雄1,2，安倉秀明2，矢沢健児2，木下健太郎1,3，大観光徳1,3，岸田　悟1,3
  • 9PEN基板上へECRスパッタしたZnO系透明導電膜の特性NTT MI研 ○赤沢方省
  • 10無機ナノシート上に成膜したGa添加ZnO薄膜の構造および電気特性高知工科大総研1，物材機構2 ○牧野久雄1，柴田竜雄2，佐藤泰史1，山本直樹1，佐々木高義2，山本哲也1
  • 11IZO透明導電膜の組成と電気特性の関係東レリサーチセンター1，青山学院大理工2 ○織田志保1，竹田正明1，遠藤　亮1，岡　伸人2，重里有三2
  • 12マグネトロンスパッタ成膜されるBZO透明導電膜の不純物共添加効果金沢工大　OEDS R&Dセンター ○野本淳一，宮田俊弘，南　内嗣
  • 13分光エリプソメトリーによるZnO:Al透明導電膜の粒界特性評価岐阜大　未来太陽センター1，東ソー2 ○左合渓佑1，藤原裕之1，倉持豪人2，飯草仁志2，内海健太郎2
  •  休憩　10:15～10:30
  • 14反応性プラズマ蒸着法により作製したGaドープZnO (GZO)薄膜の耐湿熱特性高知工科大総研 ○佐藤泰史，牧野久雄，山本直樹，山本哲也
  • 15大気圧低温プラズマ法により作製したZnO:Al膜における下地層の効果香川高専1，香川大2 ○（B）奈良卓哉1，鹿間共一1，須崎嘉文2
  • 16ICP合成によるZnO透明導電膜の広帯域光透過率の膜厚依存性茨城大院理工 ○岸田智和，吉田善紀，柳澤真也，池畑　隆，佐藤直幸
  • 17固相結晶化シード層を用いた酸化亜鉛系透明導電膜の作製九大シス情1，九大高推セ2 ○板垣奈穂1，桑原和成1，中原賢太1，山下大輔1，鎌瀧晋礼2，内田儀一郎1，古閑一憲1，白谷正治1
  • 18亜鉛、酸素を含有する新規な原料を用いたZnO薄膜の作製東ソーファインケム1，宮崎大工2 ○稲葉孝一郎1，豊田浩司1，羽賀健一1，徳留功一1，新宮政人2，竹元裕仁2，小嶋　稔2，吉野賢二2
  • 19ジエチル亜鉛(DEZ)を原料に用いたスプレー法によるドナー性不純物添加酸化亜鉛薄膜の大気作製宮崎大院1，東ソー・ファインケム株2 ○竹元裕仁1，小嶋　稔1，吉野賢二1，豊田浩司2，稲葉孝一郎2，羽賀健一2，徳留功一2
  • 20ジエチル亜鉛(DEZ)原料を用いたスピンコート法によるZnO薄膜の大気作製宮崎大工1，東ソーファインケム2 ○新宮政人1，竹元裕仁1，小嶋　稔1，吉野賢二1，豊田浩司2，稲葉孝一郎2，羽賀健一2，徳留功一2
  • 21ソルボサーマル法による ZnO ナノ粒子を用いた薄膜とその特性KRI 荒木圭一，柴原哲也，在間弘朗，○樋口章二
  • 22スパッタ法で作製したNb:TiO2薄膜の結晶構造に対する斜影効果の影響東大院理1，KAST2，中部大応化3 ○ゴクランフン ホァン1,2，中尾祥一郎1,2，廣瀬　靖1,2，山田直臣3，長谷川哲也1,2
  • 23TiO2シード層を用いてスパッタ成膜したTa:SnO2透明導電膜中部大1，KAST2，東大院理3，東北大4 ○山田直臣1，中尾祥一郎2,3，一杉太郎4，長谷川哲也2,3
  • 24ルチル(Ti,Nb)O2固溶体シード層を用いた高移動度W:SnO2透明導電膜KAST1，東大院理2，中部大3 ○中尾祥一郎1,2，山田直臣3，廣瀬　靖1,2，長谷川哲也1,2
  • 25NbドープTiO2ナノ粒子分散液塗布による透明導電性薄膜の作製福岡工技セ1，住友化学2 ○藤吉国孝1，奥本高行2，西岡宏司2，中田邦彦2
  • 26透明電気伝導性Nb12O29 薄膜の作製と構造・電気特性評価東北大WPI-AIMR1，東大院工2，JST-CREST3，JST-さきがけ4，東大放射光機構5 ○大澤健男1，大久保純平1，鈴木　竜1，組頭広志2,4,5，尾嶋正治2,3,5，一杉太郎1
  • 27p形伝導を示すワイドギャップCu-Nb-O薄膜龍大理工 ○山添誠司，柳本俊祐，和田隆博
  • 28第一原理計算によるCu-Nb-O系p形伝導材料の評価龍谷大理工 ○小島康雅，山添誠司，前田　毅，和田隆博
  • 29二酸化スズ系透明導電膜の電気的構造宮崎大工 ○小嶋　稔，吉野賢二
  • 30PLD法によるp形透明導電薄膜BaCuSeFの作製龍谷大理工 ○吉川宗洋，山添誠司，和田隆博
  • 31超音波噴霧CVD法により作製したITO薄膜の電気伝導評価首都大SD ○鈴木貴宏，佐々木亮太，高橋　遼，根上卓朗，菅原宏治

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

3月25日　会場：B5-BS
ショートプレゼンテーション（5分）9:00～12:10
ポスター掲示時間15:30～17:30（会場：第一）

25a-BS - 1～35

  • 1薄膜Si太陽電池応用のためのZnO:Al透明導電膜の光学設計埼玉大理工研 ○佐藤俊輔，越野秀人，太田直希，武田真嗣，白井　肇
  • 2スパッタ成膜したZnO系透明導電膜のエッチングによる表面凹凸構造形成法の検討金沢工大 OEDS R&D センター ○平野友康，野口雄介，野本淳一，宮田俊弘，南　内嗣
  • 3ZnOにドープされたGaの局所構造産総研 ○山口博隆，柴田　肇，前島圭剛，反保衆志，松原浩司，山田昭政，仁木　栄
  • 4蛍光EXAFS法によるZnO系透明導電膜の評価産業技術総合研究所 ○柴田　肇，山口博隆，前島圭剛，反保衆志，松原浩司，石塚尚吾，山田昭政，牧田紀久夫，小牧弘典，古江重紀，仁木　栄
  • 5スパッタZnO/ZnO:N/ZnO多層構造の熱処理効果埼玉大理工研 ○森田　彩，渡邊郁弥，太田直希，武田真嗣，白井　肇
  • 6スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(I)電機大工 ○吉田圭佑，落久保隆，田中洋平，篠田宏之，六倉信喜
  • 7スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(II)電機大工 ○落久保隆，吉田圭佑，田中洋平，篠田宏之，六倉信喜
  • 8ZnO薄膜を還元雰囲気下で熱処理した時の表面ナノ構造及びPL特性の時間依存高知工大 ○（D）王　大鵬，李　朝陽，川原村敏幸，古田　守，平尾　孝，成沢　忠
  • 9Sc-doped SrTiO3スパッタ薄膜の構造・電気特性東理大理 小林祐輔，浅沼　祥，冨山和哉，○樋口　透
  • 10ZnO-LiGaO2混晶薄膜の作製とその光学的性質阪大院工 ○小俣孝久，田中敬三，松尾伸也
  • 11大気圧CVD法によって成長したr面サファイア基板上ZnO薄膜の電気的及び光学的特性愛媛大院理工1，香川高専2，愛媛大工3 ○寺迫智昭1，平良啓介1，谷口浩太2，中田裕華里2，宮田　晃3，矢木正和2，白方　祥1
  • 12H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いたZnO薄膜堆積条件の最適化長岡技科大工 田原将巳，○里本宗一，三浦仁嗣，西山　洋，安井寛治
  • 13H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の電気的光学的性質の温度特性長岡技科大工 里本宗一，田原将巳，三浦仁嗣，西山　洋，○安井寛治
  • 14Zn(C6H15O3)2をZn原料として用いたZnOのMOVPE成長山梨大院医工 ○小林哲也，加藤征己，鍋谷暢一，松本　俊，村中　司
  • 15MgB2とH2Oを原料とする大気圧CVD法によるMgOナノ構造の成長愛媛大院理工1，愛媛大工2 ○寺迫智昭1，藤原哲郎1，宮田　晃2，白方　祥1
  • 16化合物原料MBE法によるZnO薄膜の製作検討工学院大工1，東京高専2 ○杉浦洋平1，小田拓人1，小畑　聡1，芳原義大1，尾沼猛儀2，本田　徹1
  • 17バイアス電圧印加PLD法によるZnO薄膜の化学量論比への影響秋田県大 ○瀬野祐樹，櫻井貴之，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
  • 18バイアス電圧印加PLD法により作製した酸化亜鉛SIS構造のI-V特性秋田県大 ○今野大輔，藤島正英，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
  • 19PLD法による非極性a面配向ZnO薄膜の作製物材機構 ○安達　裕，大橋直樹，坂口　勲，羽田　肇
  • 20Al2xGa2-2xO3 コンポジションスプレッド薄膜のPLD 成長と光学特性評価東工大院工1，JST-CREST2 ○向井　章1，大島孝仁1，大友　明1,2
  •  休憩　10:40～10:55
  • 21酸化亜鉛結晶へのN, P イオン打ち込みと熱処理効果大工大ナノ材研センタ1，イオンテクノセンタ2 ○青木隆裕1，小池一歩1，佐々誠彦1，矢野満明1，長町信治2，吉田謙一2
  • 22超音波ミストCVD法を用いて作製したZnO薄膜の光学特性群大工1，群大院工2 瀧川　卓2，○後閑信雄1，宮崎卓幸2，安達定雄2
  • 23Investigation on Effect of Catalyst in Synthesis of Sb Doped ZnO Nanowires Using Carbothermal Evaporation Method九大シス情 Palani Iyamperumal，岡崎功太，○中村大輔，東畠三洋，岡田龍雄
  • 24MgZnO:N,Cu薄膜のRPE-MOCVD成長と電気的特性評価静大電子研 ○（P）Sanjay Mohanta，中村篤志，天明二郎
  • 25分子線エピタキシー法によるZnO:Nホモエピタキシャル成長 ～ラピッドアニール効果によるアクセプタの活性化～鳥取大工 ○夏目　龍，藤野和也，中村洋人，大野貴之，加藤晃司，高崎正欣，藤井竜也，前島隆之，原田宣明，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止
  • 26ZnO ホモエピタキシャル成長薄膜中のN アクセプタの精密評価 ～N アクセプタの構造不安定性と局所歪～鳥取大工 ○前島隆之，大野貴之，藤野和也，中村洋人，加藤晃司，高崎正欣，仲川　翔，夏目　龍，藤井竜也，坂本秀典，原田宜明，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止
  • 27超音波噴霧ミストCVD法によるYSZ基板上＼beta-Ga2O3薄膜の作製京大院工 ○伊藤大師，金子健太郎，藤田静雄
  • 28c面サファイア基板上α-Ga2O3薄膜の断面および平面TEM観察京大院工 ○金子健太郎，藤田静雄
  • 29ミストCVD法による高品質In2O3薄膜の作製とその電気特性評価京大工1，京大院工2 ○奥村健祐1，金子健太郎2，藤田静雄2
  • 30ミスト法を用いた薄膜成長に関する反応メカニズムの解析 1高知工大 ナノ研1，TMEIC FTC2，京大院工 電子3 ○川原村敏幸1，織田容征2，白幡孝洋2，吉田章男2，藤田静雄3，平尾　孝1
  • 31ゾル-ゲル法を用いたZnO薄膜成長における電界の影響秋田県立大システム科学技術 ○阿部一徳，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
  • 32水溶液からのZnO薄膜の作製名工大1，機能工2，電気情報工3 ○三浦正旭1,2，安部功二1,2，高橋映吾1,3，樋口慎二1,3
  • 33電気化学的手法によるZnOロッドの作製とその形態制御大阪府立大 ○近藤雄祐，能津直哉，芦田　淳，藤村紀フミ
  • 34成長初期層制御による電気化学堆積ZnO連続薄膜の作製阪府大院･工 ○能津直哉，近藤雄祐，芦田　淳，吉村　武，藤村紀文
  • 35サブミクロンパターンへの電着法による酸化亜鉛の選択成長和歌山大 ○中辻庸介，宇野和行，田中一郎

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

3月26日　会場：K1-KL
ショートプレゼンテーション（5分）9:00～12:00
ポスター掲示時間15:30～17:30（会場：第一）

26a-KL - 1～33

  • 1研磨による酸化亜鉛表面の結晶性劣化の検討物・材機構1，法政大2 宮崎宏基1,2，坂口　勲1，安達　裕1，和田芳樹1，石垣隆正2，○大橋直樹1
  • 2光援用ゾル・ゲル法によるZnO QDの寸法制御及び結晶欠陥の改善東大工 ○劉　　洋，森島　哲，八井　崇，川添　忠，大津元一
  • 3配置制御されたZnOナノロッド成長への基板の影響物材機構1，ハンガリーKFKI2，九州大院3 ○長田貴弘1，ヤヌシュ フォルク2，ロベルト エデリー2，呉　承俊1,3，知京豊裕1，イステバン バルソニー2，若山　裕1,3
  • 4Zn極性及びO極性ホモエピタキシャルZnO薄膜の表面構造阪府大院工1，物材機構2 ○中村　立1，長田貴弘2，芦田　淳1，吉村　武1，藤村紀文1
  • 5光励起による単一ZnOナノシートの紫外レーザー発振特性九大院シス情 ○岡崎功太，久米田彰夫，久保佳津輝，中村大輔，東畠三洋，岡田龍雄
  • 6Si基板上に作製したn-ZnO薄膜の光触媒効果東理大理（ADL)1，東洋大理工2 ○笠原　玲1，原子　進1，小室修二2，趙　新為1
  • 7anatase型TiO2薄膜から表面吸着分子への電荷移動過程上智大理工 ○（M1）土田翔大，坂間　弘，江馬一弘，欅田英之
  • 8ウルツ鉱型MgxZn1-xO混晶の弾性テンソル要素に関する考察東北大多元研 ○張　成燻，羽豆耕治，秩父重英
  • 9バイアス電圧印加PLD法によるZnO薄膜の磁性秋田県立大 ○佐々木和麻，浅野　慶，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
  • 10Mn添加酸化亜鉛薄膜半導体の構造と磁気東理大理(先端デバイス研究部門)1，東洋大工(先端光応用計測研究センター)2，日本原子力研究開発機構3 ○石渡崇二1，金城寿音1，原子　進1，小室修二2，平尾法恵3，趙　新為1
  • 11ZnO/ZnMgO量子井戸における励起子シュタルク効果～PL励起光強度依存性と電界変調分光測定～鳥取大 ○（M1）佐藤耕輔，藤沼　諒，安田圭佑，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止
  • 12m面ZnO基板の偏光反射スペクトルの解析東北大多元研1，早大理工学術院2 ○羽豆耕治1，吉海江憲2，吉岡宗一郎2，高木絢子2，鳥井康介2，宗田孝之2，秩父重英1
  • 13ZnMg合金を用いてPARE法により作製したZnO/Zn1-xMgxOヘテロ構造の発光特性岩手大1，岩手県工業技術センター2，仙台高専3 ○阿部貴美1，中川　玲1，田中雅志1,2，遠藤治之2，千葉鉄也2，中川美智子1,2，千葉茂樹1，柏葉安宏3，大坊真洋1，長田　洋1，新倉郁生1，柏葉安兵衛1,2，藤原民也1
  • 14ErドープSiナノ結晶を含むSiO2膜のカソードルミネッセンス評価物質・材料研究機構1，カーン大2 ○（P）渡辺健太郎1，SéBastien Cueff2，Benjamin Dierre1，Christophe Labbé2，Filippo Fabbri1，Xavier Portier2，Richard Rizk2，関口隆史1
  • 15遷移金属をドープしたβ-Ga2O3の時間分解分光千歳科技大 ○安川　大，若井宏文，小田久哉，山中明生
  •  休憩　10:15～10:30
  • 16MgxZn1-xO/ZnO 界面での高移動度極低キャリア濃度二次元電子ガスの形成と特性評価東北大金研1，東北大WPI材料機構2，東京院工3，JST-PRESTO4，ローム5，JST-CREST6 ○ジョセフ フォルソン1，デニス マリエンコ2，小塚裕介1，塚崎　敦3,4，赤坂俊輔5，仲原　健5，川崎雅司1,2,3,6
  • 17ロードロック式RFマグネトロンスパッタリング装置で作製したZnO薄膜トランジスタの特性仙台高専 ○羽賀浩一，及川朋宏，瀧澤義浩
  • 18原子層堆積（ALD）法によるZnO薄膜の形成および薄膜トランジスタへの応用奈良先端大1，ＣＲＥＳＴ2 ○谷　真衣1，川村悠実1，堀田昌宏1，石河泰明1，浦岡行治1,2
  • 19多結晶ZnO/ZnMgO ヘテロ構造を用いた溶液ゲート電界効果トランジスターのバイオセンシング特性大工大ナノ材研センタ ○（M1）野上隆弘，小池一歩，尾形健一，佐々誠彦，井上正崇，矢野満明
  • 20酸化亜鉛系トランジスタの放射線耐性大工大ナノ材研センタ1，若狭湾エネ研センタ2 ○（M1）矢部達也1，佐々誠彦1，矢野満明1，権田俊一1，小池一歩1，前元利彦1，青木隆裕1，東山雄紀1，石神龍哉2，久米　恭2
  • 21高抵抗ZnO基板を用いて作製した放射線検出器のX線検出特性岩手県工技センタ1，東京電波2，岩手大工3，岩手医科大4 ○遠藤治之1，千葉鉄也1，目黒和幸1，高橋　強1，藤澤　充1，杉村茂昭2，西堀義美3，成田晋也3，柏葉安兵衛1,3，佐藤英一4
  • 22Mn / a-IGZO界面反応挙動と電気特性東北大工 ○（M1C）内藤まゆみ，尹　弼相，熊谷　遼，須藤祐司，小池淳一
  • 23液体プロセスによるIn2O3及びIn-Zn-O(IZO)チャネル薄膜トランジスタの形成東工大精研1，JST下田プロジェクト2 ○高橋泰裕1，徳光永輔1,2
  • 24ポリマーゲート絶縁膜を用いた酸化物半導体ＴＦＴの低温形成NHK技研 ○中田　充，佐藤弘人，中嶋宜樹，藤崎好英，武井達哉，清水貴央，鈴木充典，深川弘彦，本村玄一，山本敏裕，藤掛英夫
  • 25大型基板におけるInGaZnO TFT成膜技術アルバック ○大石祐一，倉田敬臣，新井　真，清田淳也，石橋　暁，斎藤一也
  • 26In-Sn-Zn-Oの特性評価とバックチャネルエッチ(BCE)型TFTの作製出光興産 ○西村麻美，笠見雅司，糸瀬将之，松浦正英，松崎滋夫，川嶋浩和，宇都野太，矢野公規
  • 27a-IGZO　TFTへの高圧水蒸気熱処理効果奈良先端大1，JST-CREST2 丸山智己1，○（D）藤井茉美1，堀田昌宏1,2，石河泰明1,2，浦岡行治1,2
  • 28低温プロセスで作製したIGZO-TFTの信頼性評価東芝 研究開発センター ○中野慎太郎，斉藤信美，三浦健太郎，坂野竜則，上田知正，原雄二郎，秋山政彦，山口　一
  • 29a-InGaZnO4 TFT信頼性に対するチャネル保護膜の影響NEC液晶テクノロジー ○竹知和重，田邉　浩，金子節夫
  • 30TiO2スパッタ膜の光触媒性能に及ぼす膜作製における要因徳島大 ○河野和矢，富永喜久雄，岡田健司，村尾賢一，矢野貴之，日下一也
  • 31酸素ラジカルを用いて作製したTiO2スパッタ薄膜の膜厚依存性東理大理 本庄史幸，中山　創，金子剛士，米田真之，○樋口　透
  • 32酸素ラジカルを用いて作製したTiO2スパッタ薄膜のアニール効果東理大理 中山　創，中村　純，○本庄史幸，青木聖也，樋口　透
  • 33スパッタ法により作製したTiO2薄膜のSc置換効果東理大理 冨山和哉，津田　満，小林祐輔，○樋口　透