17. ナノカーボン

26a-KQ - 1～9

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  2層グラフェンp-i-n接合におけるトンネル電流物材機構MANA¹，JST-CREST²，NEC³，筑波大数理物質・TIMS^{4 ○}宮崎久生^1,2，黎　松林¹，日浦英文^1,3，塚越一仁^1,2，神田晶申^2,4
• 2室温電流オン・オフ比が1000を超える酸化グラフェン薄膜トランジスタソニー先端マテ研 ^○小林俊之，木村　望，保原大介
• 3ＡＦＭ局所酸化法によるグラフェンのバンドギャップ変調東大生研¹，東大ナノ量子機構²，ＪＳＴさきがけ^{3 ○}増渕　覚^1,2，町田友樹^1,2,3
• 4グラフェン透明導電膜への共役有機分子によるドーピング効果東工大院理工¹，東工大太陽光発電研究センター^{2 ○（DC）}石川亮佑¹，坂東雅史¹，黒川康良^1,2，小長井誠^1,2
• 5ネットワークナノグラファイト配線の低抵抗化メカニズム産総研/GNC¹，東北大²，JASRI/SPring-8^{3 ○}佐藤元伸¹，小川修一²，犬飼　学³，池永英司³，室隆桂之³，高桑雄二²，二瓶瑞久¹，横山直樹¹
•  休憩　10:45～11:00
• 6グラフェンFETにおいて観測される見かけ上負の接触抵抗東北大WPI-AIMR¹，東北大理^{2 ○}野内　亮¹，齊藤達也²，谷垣勝己^1,2
• 7n型ドープしたSiCをソース/ドレインに用いたグラフェンチャネルトランジスタの作製とその評価東工大精研 ^○永久雄一，徳光永輔
• 84H-Si(0001)上の微傾斜グラフェンの伝導異方性物材機構MANA¹，JSTクレスト²，東工大総理工³，九大⁴，NEC^{5 ○（PC）}倉持宏実^1,2，小高隼介³，宮崎久生^1,2，森田康平⁴，田中　悟⁴，日浦英文⁵，塚越一仁^1,2
• 9熱CVD法による選択成長グラフェントランジスタ日立材料研¹，東北大多元研²，東洋大バイオ・ナノエレ研究センタ^{3 ○}岡井　誠¹，徳本久美子²，京谷　隆²，徳田正秀³，筒井　謙³，和田恭雄³
•  昼食　12:00～13:00

26p-KQ - 1～21

• 1埋め込み型カーボンナノチューブセンサにおける生体適合性の検討東京都市大工¹，総合研究所^{2 ○}横井由貴子¹，成田竜樹¹，筒井千尋²，平田孝道^1,2，秋谷昌宏^1,2
• 2CNT複合体を用いたグルコースセンサの開発東京都市大院工¹，総合研究所^{2 ○}片平　皓¹，筒井千尋²，平田孝道^1,2，秋谷昌宏^1,2
• 3金属性単層カーボンナノチューブを利用した酵素センサ芝浦工大 星野達也，^○六車仁志
• 4スピンカラムを用いた半導体カーボンナノチューブの分離とガスセンサへの応用九大シス情 ^○中野道彦，藤岡将広，舞　香織，末廣純也
• 5極短半円筒ゲート構造カーボンナノチューブFETによる単電荷捕獲放出特性の観察産総研¹，学振²，CREST³，阪大 産研^{4 ○}上村崇史^{1, 2, 3}，松本和彦^{1, 3, 4}
• 6カーボンナノチューブ複合紙による人工物メトリクス認証応用横国大工 ^○（B）鈴木佑哉，大矢剛嗣
• 7表面修飾を利用した単層カーボンナノチューブ薄膜の微細パターニング早大先進¹，東北大理²，首都大理工^{3 ○}野房勇希¹，蓬田陽平²，柳　和宏³，竹延大志¹
• 8インクジェット法によるカーボンナノチューブ薄膜へのキャリアドーピング早大¹，首都大学東京^{2 ○}松崎怜樹¹，柳　和宏²，竹延大志¹
• 9長さ分離した半導体カーボンナノチューブを用いた高性能薄膜トランジスタ名大院理¹，名大院工^{2 ○}塩澤一成¹，宮田耕充¹，浅田有紀¹，大野雄高²，北浦　良¹，水谷　孝²，篠原久典¹
• 10気相濾過・転写法により作製したカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの特性評価名大¹，アアルト大^{2 ○（P）}孫　東明¹，Marina Y. Timmermans²，Ying Tian²，Albert G. Nasibulin²，岸本　茂¹，水谷　孝¹，Esko I. Kauppinen²，大野雄高¹
•  休憩　15:30～15:45
• 11PECVDを用いたCNT薄膜トランジスタの集積回路の実現名大¹，名大VBL^{2 ○}沖川侑揮¹，小野雄貴¹，岸本　茂^1,2，大野雄高¹，水谷　孝¹
• 12カーボンナノチューブ薄膜トランジスタにおける特性の直径依存性産総研¹，NEC²，TASC^{3 ○}浅田有紀¹，二瓶史行^2,3，大森滋和¹，斎藤　毅^1,3
• 13拡散プラズマCVD法により合成した直径制御単層カーボンナノチューブを用いた薄膜トランジスタの電気特性評価東北大院工 ^○安久津誠，黒田峻介，加藤俊顕，金子俊郎，畠山力三
• 14極めて柔軟なall-SWNT電界効果トランジスタ東大工¹，東理大工^{2 ○（D）}相川慎也^1,2，エリック エイナルソン¹，千足昇平¹，塩見淳一郎¹，西川英一²，丸山茂夫¹
• 15PECVD成長CNTのPVAによるPEN基板への転写とTFT作製名大工¹，名大ＶＢＬ^{2 ○（M1）}二宗　護¹，孫　東明¹，岸本　茂^1,2，大野雄高¹，水谷　孝¹
• 16カーボンナノチューブ複合紙によるペーパートランジスタの作製横国大工 ^○（B）林　俊介，新出由弥，大矢剛嗣
• 17カーボンナノチューブの配向制御と紙面上への導入手法横国大院工 ^○藤塚祐己，大矢剛嗣
• 18Ptコーティングしたカーボンナノツイストの電流-電圧特性豊橋技術科学大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス^{4 ○}杉岡由基¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植　仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴
• 19カーボンナノチューブピラーアレイの電界放出特性三重大院工¹，名大院工^{2 ○}春木一夫¹，渡辺将章¹，佐藤英樹¹，齋藤弥八²
• 20多層グラフェンからの電界放出の電界放出顕微鏡による研究名大院工 ^○中久保一也，安坂幸師，中原　仁，齋藤弥八
• 21単層カーボンナノチューブの成長位置とカイラリティ同時制御日大理工¹，東京理科大^{2 ○}土肥智史¹，境恵二郎¹，岩田展幸¹，矢島博文²，山本　寛¹

27a-KQ - 1～10

• 1グラフェントランジスタを用いたDNAハイブリダイゼーションの検出阪大 産業科学研究所 ^○（B）岡本翔伍，祖父江靖之，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
• 2バリノマイシン修飾グラフェントランジスタを用いたカリウムイオンの選択的検出阪大 産業科学研究所 ^○（M1）祖父江靖之，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
• 3イオン液体ゲートを用いた二層グラフェンの電気特性阪大産研 ^○山城祐介，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
• 4HMDS-SiNをゲート絶縁膜として用いたグラフェンFET東北大通研¹，JST-CREST^{2 ○}久保真人¹，福嶋哲也¹，Hyun-Chul Kang¹，赤川啓介¹，吉田智洋¹，高橋良太¹，半田浩之¹，鄭　明鎬¹，鷹林　将^1,2，吹留博一^1,2，末光哲也^1,2，末光眞希^1,2，尾辻泰一^1,2
• 5ゲート絶縁膜にPZTを用いたPZT-Graphene-FET阪府大院工 ^○鈴木淳也，有江隆之，秋田成司
•  休憩　10:30～10:45
• 6ダイヤモンドライクカーボンをゲート絶縁膜としたグラフェンFET東北大・通研¹，JST-CREST²，東北大・多元研^{3 ○（P）}鷹林　将^1,2，小川修一³，高桑雄二³，Hyun-Chul Kang¹，高橋良太¹，吹留博一^1,2，末光眞希^1,2，末光哲也^1,2，尾辻泰一^1,2
• 7グラフェン・ナノリボンFET特性の電圧依存性の計算産総研GNC ^○原田直樹，佐藤信太郎，横山直樹
• 8バイレイヤグラフェンFETとグラフェンナノリボンFETの極限性能比較神戸大工 ^○細川博司，迫龍太郎，土屋英昭，小川真人
• 9不規則ナノホールをもつグラフェンの伝導ギャップ富士通研 ^○實宝秀幸，大淵真理，金田千穂子
• 10グラフェンナノリボンのバンド構造とFETチャネルとしての性能予測神戸大工 迫龍太郎，細川博司，^○土屋英昭，小川真人
•  昼食　12:00～13:00

27p-KQ - 1～8

• 1機能化単層カーボンナノチューブを用いた赤外光太陽電池の作製東北大院工 ^○兒玉宗一郎，李　永峰，金子俊郎，畠山力三
• 2カーボンナノチューブ複合紙を用いた色素増感型太陽電池横国大工 ^○（B）杉山誠一，大矢剛嗣
• 3電界ドープを用いたCNTからのEL発光の観測名大¹，VBL名大^{2 ○}Mark Hughes¹，畑　謙佑¹，岸本　茂^1,2，大野雄高¹，水谷　孝¹
• 4金属CNT中の欠陥に起因する障壁の高さの見積もり名大¹，名大VBL^{2 ○}沖川侑揮¹，岸本　茂^1,2，大野雄高¹，水谷　孝¹
• 5嫌気環境下CNT-FETの作製とその評価名大工¹，名大VBL^{2 ○}石井　聡¹，大野雄高¹，岸本　茂^1,2，水谷　孝¹
• 6KFMを用いたCNFETにおけるゲート絶縁膜界面の解析名大工¹，名大VBL^{2 ○}鈴木耕佑¹，大野雄高¹，岸本　茂^1,2，水谷　孝¹
• 7PZT-CNT-FETにおけるイオン液体による伝達特性改善大阪府大院工 ^○（M1）片岡翔吾，岡田貴子，有江隆之，秋田成司
• 8High-k絶縁膜を用いたカーボンナノチューブメモリの作製阪大産研¹，CREST-JST²，学振³，産総研^{4 ○}藤井雄介¹，大堀貴大^1,2，上村崇史^2,3,4，大野恭秀^1,2，前橋兼三^1,2，井上恒一^1,2，松本和彦^1,2,4