17. ナノカーボン

25a-BM - 1～11

• 1MgO粒子に担持したSn/Fe触媒を用いた多層カーボンナノコイルのCVD合成豊橋技術科学大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス^{4 ○}Siew Ling Lim¹，瀧本幸太郎¹，石井裕一¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植　仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴
• 2触媒蒸気供給基板式CVD法におけるカーボンナノコイル量のSn原液濃度依存性豊橋技術科学大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス^{4 ○}石井裕一¹，瀧本幸太郎¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植　仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴
• 3多層カーボンナノコイルの細線化を目指した触媒CVD合成条件の検討豊橋技術科学大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス^{4 ○}瀧本幸太郎¹，リム シュリン¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植　仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴
• 4Fe-Sn系金属炭化物触媒を用いたカーボンナノコイルの合成大阪府立産技研¹，大研化学工業^{2 ○}長谷川泰則¹，垣辻　篤¹，久米秀樹¹，野坂俊紀¹，山中重宣²，卯滝秀樹²，志岐　肇²
• 5カーボンナノウォールの初期成長過程におけるナノグラフェン核発生の観察名大院工¹，名城大理工^{2 ○}安田幸司¹，近藤博基¹，平松美根男²，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 6サブマリン式基板加熱法によるカーボンナノウォール合成熊大院自然¹，熊大工^{2 ○}横井裕之¹，石原史大²，礒田竜成²，武末健太郎²，百田　寛²
•  休憩　10:30～10:45
• 7直流プラズマCVD法で作製されたカーボンナノウォールの成長初期プロセスと構造評価横市大院¹，IHI^{2 ○（DC）}吉村博史¹，吉村昭彦^1,2，橘　　勝¹
• 8真空中加熱によるカーボンナノウォールの構造変化豊田工大院工 ^○鈴木誠也，吉村雅満
• 9カーボンナノウォールの局所構造と電気的特性岐阜大工¹，チェコ科学アカデミー^{2 ○}伊藤貴司¹，Aliaksei Vetushka²，中西庸介¹，Marie Ledinsky²，Antonin Fejfar²，野々村修一¹，Jan Kocka²
• 10単一カーボンナノウォールの架橋成長制御およびその電気的特性評価名大院工¹，片桐エンジニアリング²，名城大理工^{3 ○}神田貴幸¹，近藤博基¹，山川晃治²，竹田圭吾¹，石川健冶¹，平松美根男³，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 11塗布を用いたグラファイト薄膜の作製東理大理 ^○池上景一，原子　進，大岡圭太，趙　新為

26a-BM - 1～13

• 1コバルトシリサイドをバッファ層として用いた熱フィラメントCVD法による単層カーボンナノチューブの成長日本工大 春田　僚，橋本　諭，^○石川　豊
• 2高真空アルコールガスソース法を用いたPt/SiO2/Si基板上でのSWNTの低圧力成長名城大理工¹，産総研^{2 ○}水谷芳裕¹，丸山隆浩¹，成塚重弥¹，飯島澄男^1,2
• 3ホウ素、窒素含有原料から成長したSWNTのラマン分光NTT物性基礎研 ^○鈴木　哲，日比野浩樹
• 4レーザ照射CVDにおける触媒微粒子形成と単層カーボンナノチューブの成長阪大産研 ^○茱萸健太，辻　智輝，袴田靖文，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
• 5単一架橋単層カーボンナノチューブを用いた原子間力顕微鏡の探針校正試料東理大理 ^○（M1）稲葉　工，謝　建平，杉山龍平，本間芳和
• 6粒径制御した金微粒子からの単層カーボンナノチューブ合成東理大理 ^○山田一希，加藤大樹，本間芳和
•  休憩　11:00～11:15
• 7リモートプラズマCVDによるCNTsの高速成長条件における炭素ラジカル密度測定早大理工 ^○落合拓海，大原一慶，飯塚正知，加藤良吾
• 8アルコール熱ＣＶＤ法に基づく単層カーボンナノチューブの低温成長装置の開発(II)東洋大¹，立山マシン^{2 ○}仲　健太¹，内田貴司¹，内山英史²，浅地豊久²，吉田善一¹
• 9電気化学プロセスによる溶液中でのカーボンナノチューブ室温合成北大院理 シャウキィ アームド，^○保田　諭，村越　敬
• 10ホットウォール炉を用いて合成したカーボンナノチューブの電気特性富士通研エネ研 ^○八木下洋平，近藤大雄，曽我育生，岩井大介
• 11レーザ照射援用アルコールCVDによるカーボンナノチューブの合成情通機構¹，東京電機大²，青学大^{3 ○}赤羽浩一¹，山本直克¹，前田　信²，高井裕司²，外林秀之^1,3，中村新一³，山口　博³
• 12シリカ微粒子バッファ層を用いたステンレス上へのカーボンナノチューブ合成阪大院工 ^○筒井俊博，千賀亮典，平原佳織，中山喜萬
• 13垂直配向多層カーボンナノチューブ束の成長方向に沿った局所構造解析ニッタ¹，阪大ナノサイエンス^{2 ○}吉原久美子¹，小向拓治¹，下元　温¹，市川　聡²
•  昼食　13:00～14:00

26p-BM - 1～14

• 1SiC(0001)面上でのS i 脱離とグラフェン形成ＮＴＴ物性基礎研¹，徳島大^{2 ○}影島博之¹，日比野浩樹¹，山口浩司¹，永瀬雅夫²
• 2SiC(0001)表面上グラフェン形成の分子動力学シミュレーション名大エコ研¹，名大院工²，名大院理^{3 ○}乗松　航¹，盛田壮登²，楠美智子¹，Irle Stephan³
• 3モノメチルシランを用いた6H-SiC(0001)上ホモエピタキシャル成長とグラフェン化東北大¹，CREST/JST^{2 ○}今泉　京¹，高橋良太¹，阿部峻佑¹，半田浩之¹，齋藤英司¹，吹留博一¹，末光眞希^1,2
• 4面方位回転エピタキシャル成長3C-SiC(111)/Si(110)薄膜上グラフェン成長過程のLEED、SR-XPS観察東北大通研¹，CREST/JST²，日本原子力研究開発機構³，高輝度光科学研究センター^{4 ○}高橋良太¹，半田浩之¹，阿部峻佑¹，猪俣州哉¹，今泉　京¹，吹留博一¹，寺岡有殿³，吉越章隆³，小嗣真人⁴，末光眞希^1,2，大河内拓雄⁴，木下豊彦⁴
• 5常圧下でのアニールによるSiC/Si(111)基板上ｸﾞﾗﾌｪﾝ薄膜の形成名工大 ^○伴野和也，ハレラム アリアル，藤田和久，江川孝志
• 6水素をインターカレートしたエピタキシャルグラフェンのLEEM観察NTT物性基礎研 ^○日比野浩樹，桐生　貢，田邉真一，影島愽之
•  休憩　15:30～15:45
• 7グラフェン/SiC(000-1)界面構造と回転ドメインの形成九大院工 ^○チェンダー スレイ，田中　悟
• 8Epitaxial growth of large-scale few-layer graphene on SiC(0001) by heat treatment in Ar atmosphere名大VBL¹，名大院工^{2 ○（PC）}胡　海龍^1,2，Akkawat Ruammaitree²，中原　仁²，安坂幸師²，齋藤弥八²
• 9[1100]方向微傾斜SiC表面におけるグラフェンの異方成長機構九大院工¹，九大応力研²，NTT物性基礎研³，NIMS MANA⁴，JST PRESTO^{5 ○}井上仁人¹，寒川義裕^1,2，影島愽之³，若林克法^4,5，柿本浩一^1,2
• 10直接通電加熱における微傾斜SiC表面上エピタキシャルグラフェン成長の電流方向依存性九大院工 ^○栗栖悠輔，森田康平，田中　悟
• 11MBE法による微傾斜SiC基板へのグラフェン成長九大院工 ^○梶原隆司，萩原好人，栗栖悠輔，田中　悟
• 124H-SiC(0001)表面ステップ密度に依存したグラフェン成長のラマン評価関学大理工 ^○吉井　新，牛尾昌史，久津間保徳，大谷　昇，金子忠昭，玉井尚登
• 13CVD法によるSiCナノファセット表面上へのグラフェン形成九州大 ^○（DC）萩原好人，梶原隆司，田中　悟
• 14SiC基板上エピタキシャルグラフェンの成長過程に及ぼすB原子ドープの効果東工大総理工 ^○小此木佑太，青木悠樹，平山博之

27a-BM - 1～11

• 1フラーレンへの電子線描画によるグラフェンの生成と評価熊大院自 ^○松川誠也，久保田弘，宮本康生，濱田真弘
• 2化学合成グラフェン上におけるペンタセン薄膜のエピタキシャル成長とその分子配向東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}金森由男¹，米澤康弘²，斉木幸一朗^1,2
• 3低温メタンプラズマにおける球状炭素微粒子成長とその微細構造解析II九州工業大¹，九州共立大^{2 ○（M1）}尾上雅俊¹，酒井祐輔¹，大門秀朗¹，内藤正路¹，長井達三²，生地文也²
• 4アルコールCVD成長グラフェン層の表面抵抗率の膜厚依存性静大電子研 ^○中村篤志，天明二郎
• 5Plasma Enhanced CVD法を用いた窒素ドープグラフェンの成長東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}寺澤知潮¹，斉木幸一朗^1,2
• 6FIB-CVD法により堆積させたDLCによるグラフェンの選択成長東大院工 ^○畠山大輝，米谷玲皇，割澤伸一，石原　直
•  休憩　10:30～10:45
• 7ＣＶＤによる樟脳からの大面積グラフェンの成膜中部大工 ^○Kalita Golap，松島真央，脇田紘一，梅野正義
• 8サファイア表面上におけるグラフェン成長横国大工 ^○齊藤昂介，関野　諒，塚本貴広，荻野俊郎
• 9多温度ゾーンCVD法により層状成長したグラフェンの積層構造阪大院工応物¹，阪大産研^{2 ○}根岸良太¹，平野博紀¹，小林慶裕¹，大野恭秀²，前橋兼三²，松本和彦²
• 10BN含有グラファイト薄膜のCVD合成NTT物性基礎研 ^○鈴木　哲，日比野浩樹
• 11多結晶Ni触媒上でのCVD合成グラフェンのTEM観察ＮＴＴ物性基礎研 ^○神崎賢一，日比野浩樹，牧本俊樹
•  昼食　12:00～13:00

27p-BM - 1～7

• 1エタノールを用いたガスソースMBEによるグラフェンの成長 －成長温度依存性-ＮＴＴ物性基礎研 ^○前田文彦，日比野浩樹
• 2大容量キャパシタの電極用グラフェン膜の熱CVDによる作製中部大工 ^○松島真央，野田三喜男，水野皓貴，ゴラップ カリタ，内田秀雄，脇田紘一，梅野正義
• 3CVD法で作製したグラフェンの成長過程の観察産総研 ^○林賢二郎，佐藤信太郎，近藤大雄，八木克典，山田綾香，横山直樹
• 4磁性金属薄膜上へのグラフェン成長における層数・構造制御原子力機構 ^○圓谷志郎，松本吉弘，パベル アブラモフ，楢本　洋，境　誠司
• 5熱CVD法によるグラフェン低温成長とその電気特性富士通研¹，産総研GNC^{2 ○}近藤大雄^1,2，八木克典²，林賢二郎^1,2，佐藤信太郎^1,2，横山直樹^1,2
• 6ナノカーボン配線応用に向けたグラフェン低温・高品質成長(1)超低電圧ﾃﾞﾊﾞｲｽ技術研究組合¹，慶大理工^{2 ○}山崎雄一¹，澤部亮介²，和田　真¹，片桐雅之¹，佐久間尚志¹，齋藤達朗¹，磯林厚伸¹，鈴木真理子¹，梶田明広¹，粟野祐二²，酒井忠司¹
• 7ナノカーボン配線応用に向けたグラフェン低温高品質成長（２）慶大理工¹，超低電圧デバイス技術研究組合^{2 ○（B）}澤部亮介¹，山崎雄一²，佐久間尚志²，和田　真²，片桐雅之²，斉藤達郎²，磯林厚伸²，鈴木真理子²，梶田明広²，酒井忠司²，粟野祐二¹