16. 非晶質・微結晶

24a-BK - 1～9

• 1新規エッチング液による太陽電池用多結晶シリコン基板のテクスチャ形成と評価和光純薬工業¹，産総研^{2 ○}菊池信之¹，高遠秀尚²，白木一夫¹，坂田　功²
• 2RF水素リモートプラズマによる太陽電池用シリコン基板のテクスチャリング東京農工大 ^○鈴木秀紀，小川圭祐，ダムリン マルワン，上迫浩一
• 3結晶シリコン太陽電池作製プロセスにおけるレーザードーピングの開発奈良先端大 ^○（D）平田憲司，高山　環，長谷川光洋，舟谷友宏，西村英紀，冬木　隆
• 4多結晶シリコン太陽電池におけるレーザードーピングプロセスの開発奈良先端大 ^○西村英紀，平田憲司，長谷川洋光，舟谷友宏，高山　環，冬木　隆
• 5リン系ラジカルを用いたSiへの低温ドーピング北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○（DC）}早川太朗^1,2，中島裕貴^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2
•  休憩　10:45～11:00
• 6スクリーン印刷法による結晶シリコン太陽電池用エミッタの形成東京農工大・工¹，日本合成化学工業^{2 ○}永嶋沙織¹，伴　直樹¹，鈴木紹太¹，佐藤弘章²，勝間勝彦²，加藤邦泰²，Marwan Dhamrin¹，上迫浩一¹
• 7金属ナノ粒子を使った太陽電池の光マネジメントJX日鉱日石エネルギー¹，東工大^{2 ○}後藤正直¹，中山慶祐¹，林　慎也¹，小長井誠²
• 8裏面にポリイミド層を用いた結晶シリコン太陽電池の作製方法の検討産総研¹，PI技研^{2 ○}高遠秀尚¹，富樫千穂¹，モーソー ウィン²，五島敏之²，佐藤貴裕²，菊地靖雄²，坂田　功¹
• 9結晶Si基板を用いたシリコンナノワイヤー太陽電池の作製東京農工大・工 ^○根本勇樹，内山　悠，マルワン ダムリン，上迫浩一

25a-BK - 1～9

• 1新規成膜手法によるSiN_x膜の低温プロセス化北見工大¹，気相成長²，山梨大^{3 ○}武山真弓¹，近藤政毅¹，佐藤　勝¹，町田英明²，近藤英一³，野矢　厚¹
• 2Cat-CVD SiN_x/a-Si積層パッシベーションにおけるSiN_x膜質の影響北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○}小山晃一^1,2，加藤和也^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2
• 3Cat-CVD SiNx/a-Si積層膜のSi(111)面に対するパッシベーション効果北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○（M1C）}加藤和也^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 4p-Si/アルミナ膜界面再結合速度のアニールによる減少神奈川工科大 ^○立原誠之，轡田祥平，長谷川良輔，荻田陽一郎
• 5太陽電池用n-Si/アルミナパッシベーション膜の作製と評価神奈川工科大 ^○會澤洋太朗，兼子　健，津谷恒成，宮川隆大，荻田陽一郎
•  休憩　10:45～11:00
• 6ALD法により製膜したAlO_xパッシベーション膜の評価兵庫県立大¹，明治大²，東京エレクトロン³，豊田工大⁴，JST-CREST^{5 ○}新船幸二^1,5，松谷亮佑^1,5，浜野純平^1,5，吉田晴彦^1,5，立花福久^2,5，小椋厚志^2,5，松本和大³，高橋宏輔³，大下祥雄^4,5，佐藤真一^1,5
• 7熱アニールによるAl₂O₃/Si界面特性の変化東京農工大・工 ^○小林慶至，鈴木秀紀，古市和也，井上勇人，マルワン ダムリン，上迫浩一
• 8アモルファスシリコン成膜と高圧水蒸気熱処理による結晶シリコン表面パッシベーション農工大工¹，日新電機^{2 ○}永尾友一¹，吉冨真也¹，蓮見真彦¹，鮫島俊之¹，安東靖典²
• 9高圧水蒸気熱処理によるソーラーセル特性の改善農工大工 ^○（M1）竹根澤潤，蓮見真彦，鮫島俊之

26a-BL - 1～11

• 1エリプソメトリー解析によるSnO₂:F透明導電膜のマッピング評価岐阜大　未来太陽光センター ^○佐合佑一朗，藤原裕之
• 2光起電力顕微鏡を用いた薄膜Si太陽電池の微小領域発電特性岐阜大工 ^○夏原大宗，細江大祐，稲葉友也，河合正人，大橋史隆，伊藤貴司，吉田憲充，野々村修一
• 3AFMを用いた微結晶シリコン表面形状解析手法の検討三洋電機 ^○関本健之，松本光弘，菱田光起，綾洋一郎，寺川　朗，井関正博
• 4高速製膜微結晶シリコンの製膜初期領域界面欠陥密度制御と太陽電池への応用阪大院基礎工¹，JST-CREST^{2 ○}傍島　靖^1,2，Chantana Jakapan¹，筒井裕一¹，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2
• 5量子分子動力学法によるSi薄膜太陽電池の結晶成長プロセス東北大院工 ^○（B）桑原卓哉，尾澤伸樹，島崎智実，久保百司
• 6Si量子ドット構造を考慮したキャリア増倍効果の計算化学的評価東北大院工¹，東北大未来^{2 ○（M1C）}広瀬　祥¹，山下　格¹，大沼宏彰¹，南雲　亮²，三浦隆治¹，鈴木　愛²，坪井秀行¹，畠山　望¹，遠藤　明¹，高羽洋充¹，久保百司¹
•  休憩　10:30～10:45
• 7薄膜太陽電池用TCO基板におけるテクスチャ形状を用いたセル設計三洋電機 ^○兼松大二，矢田茂郎，北原明直，寺川　朗，井関正博
• 8平坦化光閉じ込め基板の開発と薄膜シリコン太陽電池への応用産総研 ^○齋　　均，近藤道雄
• 9n型微結晶Si_1-XO_X:H薄膜のヘテロ接合型微結晶Si太陽電池への応用東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}藤丘英明¹，Taweewat Krajangsang¹，Porponth Sichanugrist¹，小長井誠^1,2
• 10低倍率集光型微結晶Si太陽電池におけるヘテロ接合の効果東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}藤丘英明¹，Taweewat Krajangsang¹，Porponth Sichanugrist¹，小長井誠^1,2
• 11高開放電圧型a-Si1-xOx:H/a-Si:H/μc-Si:Hトリプル接合太陽電池の作製と評価東工大院理工¹，東工大太陽光発電システム研究センター^{2 ○}Inthisang Sorapong¹，Krajangsang Taweewat¹，Janthong Bancha¹，Sichanugrist Porponth¹，山田　明^{1, 2}，小長井誠^{1, 2}

27a-BL - 1～11

• 1ナトリウム蒸発法を用いたシリコン結晶の低温精錬東北大多元研 ^○森戸春彦，唐橋大樹，打越雅仁，一色　実，山根久典
• 2種結晶を用いて一方向凝固法で作製したシリコン基板の評価明治大¹，豊田工大²，兵県大³，九大⁴，物材機構^{5 ○（D）}立花福久¹，鮫島　崇¹，小島拓人²，新船幸二³，柿本浩一⁴，宮村佳児⁵，原田博文⁵，関口隆史⁵，大下祥雄²，小椋厚志¹
• 3バルク多結晶シリコンの２次元成長過程における転位発生機構東北大金研¹，京大エネ科^{2 ○}沓掛健太朗¹，阿部匠朗¹，宇佐美徳隆¹，藤原航三¹，米永一郎¹，森下浩平²，中嶋一雄²
• 4多結晶Siにおける小角粒界近傍の深い準位の室温フォトルミネッセンス解析JAXA宇宙研¹，明治大²，豊田工大^{3 ○}岡山　太^1,2，岩田恭彰¹，田島道夫¹，大下祥雄³，小椋厚志²
• 5一方向性凝固法における高純度多結晶シリコンの作製について九大応力研 ^○高　　冰，中野　智，柿本浩一
•  休憩　10:15～10:30
• 6キャスト成長した多結晶Si中の1206cm^-1赤外吸収ピークの起源神奈川県産技セ¹，新潟大^{2 ○}小野春彦¹，金田　寛²
• 7キャスト法で作製した多結晶Si中のNNとNNOの分布明治大¹，神奈川産技セ^{2 ○（B）}楠木宏毅^1,2，石塚貴英^1,2，小椋厚志¹，小野春彦²
• 8炭素添加多結晶シリコンインゴットの品質評価東京農工大・工¹，ジャパンファインスチール^{2 ○}鈴木紹太¹，伴　直樹¹，永嶋沙織¹，染矢貴洋¹，森　俊謙²，岩本直久²，Marwan Dhamrin¹，齊藤　忠¹，上迫浩一¹
• 9Fe添加多結晶シリコンインゴットの品質評価東京農工大・工¹，ジャパンファインスチール^{2 ○}染矢貴洋¹，伴　直樹¹，鈴木紹太¹，永嶋沙織¹，森　俊謙²，岩本直久²，Marwan Dhamrin¹，齊藤　忠¹，上迫浩一¹
• 10(110)/(100)シリコン直接接合界面の再結合特性に対するNiおよびCuの影響豊田工大 ^○小島拓人，青木真理，大下祥雄，小島信晃，山口真史
• 11低温スパッタ法によるSi(100)基板上へのGe厚膜ヘテロエピ成長島根大¹，台湾科技大^{2 ○}葉　文昌¹，黄　祥恩²
•  昼食　12:00～13:00

27p-BL - 1～7

• 1レーザ結晶化によるガラス基板上のSiGe擬似単結晶薄膜成長島根大総理工¹，東北学院大工^{2 ○}鈴木順季¹，広瀬研太¹，近藤健二²，岡部泰典²，原　明人²，北原邦紀¹
• 2Si基板上に異なるバッファー層による高濃度SiGe薄膜結晶成長の影響産総研 ^○劉　正新，山中光之，川浪仁志，高遠秀尚，坂田　功
• 3ワイドギャップナノ結晶シリコン層の光起電特性農工大　院　工 ^○（D）Romain Mentek，Bernard Gelloz，越田信義
• 4ヘテロ接合太陽電池における微結晶シリコン薄膜エミッタ層の影響東京農工大工 ^○（M2）吉葉修平，小林慶至，マルワン ダムリン，上迫浩一
• 5高効率p形ナノ結晶3C-SiC:H / n-Si ヘテロ接合太陽電池東工大院理工¹，東工大太陽光発電システム研究センター^{2 ○（M2）}浜下大輔¹，小長井誠^1,2
• 6RFマグネトロンスパッタリング法によるSnO薄膜の作成とSnO/c-Siヘテロ接合太陽電池への応用阪大院基礎工 ^○妹尾佑一，小西崇文，外山利彦，岡本博明
• 7結晶シリコン太陽電池におけるバンドギャップナローイングのための新しいパラメータ東京農工大・工¹，サヌア大学・物理^{2 ○}Hamdi Ali¹，Dhamrin Marwan¹，上迫浩一¹，Almutwakel Mohammed²，Alnidhari Hatem²