16. 非晶質・微結晶

27a-BA - 1～11

• 1Cat-CVD耐酸化金属触媒体のTMA分解特性神奈川工科大 ^○齋藤直之，高橋秀和，野田泰寛，本間健人，荻田陽一郎
• 2Ｎ₂の加熱タングステン上での分解によるＮ原子生成機構静岡大工 ^○梅本宏信，船江　剛
• 3ディップコート法による金属酸化物薄膜の厚膜検討II龍谷大¹，兵庫工技セ²，大塚電子^{3 ○}金森　翼¹，吉岡秀樹²，澤村義巳³，山本伸一¹
• 4大気圧近傍水素プラズマによるGeO₂の高速還元とSi選択成長への応用阪大院工 ^○後藤晃弘，森　哲哉，垣内弘章，安武　潔，大参宏昌
• 5原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(II)日大生産 ^○浅野英輝，増田洋平，清水耕作
•  休憩　10:15～10:30
• 6多元同時RFスパッタ法によるIn_XGa_1-XN薄膜の作製とその評価III岐阜大工学 日比野峻，佐橋達朗，加藤好徳，小磯　淳，大橋史隆，^○伊藤貴司，野々村修一
• 7酸化物半導体InGaZnO₄/CuAlO₂接合の作成と評価日大生産工 ^○（M1）小野瀬匡彦，佐藤敏幸，北野幸樹，新妻清純，日秋俊彦，清水耕作
• 8電子ビーム蒸着法により単結晶Si基板上に形成した結晶Ge薄膜東海大¹，東海大院^{2 ○}山口智明¹，井口正太郎²，磯村雅夫¹
• 9高温スパッタGe薄膜の赤外線センサ素子応用特性評価東理大理工¹，NECグリーンイノベーション研^{2 ○}木下潤一¹，多井高志¹，八巻和宏¹，関野省冶²，古川昭雄¹
• 10AgAsS₂薄膜を用いた光蓄電池北大院工 ^○寺門信明，田中啓司
• 11高速成膜を用いたバックチャネルエッチ型微結晶シリコンＴＦＴキヤノン ^○小平新志，松田高一，林　　享，高林明治，市川武史
•  昼食　12:00～13:00

27p-BA - 1～6

• 1高圧水蒸気処理による多結晶Ge薄膜の膜質改善に関する検討東海大院¹，東海大^{2 ○}鷺坂　建¹，高津貴大¹，磯村雅夫²
• 2アルミニウム誘起結晶化法による多結晶SiGe薄膜の作製東海大院¹，都産技研^{2 ○（M1）}矢嶋正洋¹，中村　勲²，磯村雅夫¹
• 3AIC初期過程におけるSi_0.5Ge_0.5薄膜の微細構造解析九大総理工¹，九大シス情^{2 ○}犬塚純平¹，光原昌寿¹，板倉　賢¹，西田　稔¹，黒澤昌志²，佐道泰造²，宮尾正信²
• 4VHFプラズマにより作製されたシリコンナノ結晶のレーザアニーリング東工大量子ナノ研セ¹，東工大院理工²，デルフト工大DIMES^{3 ○}中峯嘉文¹，Michiel Van Der Zwan³，Johan Van Der Cingel³，小寺哲夫¹，内田　建²，石原良一³，小田俊理¹
• 5FLAにより形成したpoly-Si膜を用いた太陽電池特性の基板依存性北陸先端大¹，JST さきがけ^{2 ○}石井翔平¹，渡村尚仁¹，大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 6FLAにより形成したpoly-Si膜の欠陥密度低減化北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}澤田恵佑¹，石井翔平¹，渡村尚仁¹，大平圭介^1,2，松村英樹¹