15. 結晶工学

15.8 結晶評価,ナノ不純物・結晶欠陥

3月26日 会場:第二-P7
ポスターセッション
ポスター掲示時間9:30~11:30

26a-P7 - 1~18

  • 1水素ガス中加熱急冷したチョクラルスキーシリコンの光吸収スペクトル東北大金研1,物材機構2,ゲント大固体物理3 末澤正志1,深田直樹2,ふぁんへれもんと やん3,米永一郎1
  • 2B2O3で覆われた融液から成長したCZ-Ge結晶中の酸素ドナーの挙動信大カーボン研1,信大工2,東北大金研3 太子敏則1,橋本佳男2,伊勢秀彰3,大澤隆亨3,村尾 優3,米永一郎3
  • 31015 atoms/cm3レベルのシリコン中炭素の赤外測定コバレントマテリアル 白井 宏
  • 4フォトルミネッセンスによる低純度太陽電池用Siの不純物評価JAXA宇宙研1,明大院2 岩井隆晃1,2,田島道夫1,小椋厚志2
  • 5多結晶Siにおける電子線照射効果の顕微フォトルミネッセンス解析宇宙研1,東大院工2,明大院3 ○(M2)小松賢司1,2,岩井隆晃1,3,豊田裕之1,2,田島道夫1,2
  • 6Si (100)表面近傍における3d遷移金属の拡散に関する第一原理解析岡山県立大1,ソニー2 ○(M1)清水貴俊1,重松芳紀1,末岡浩治1,嵯峨幸一郎2,小町 潤2
  • 7SiO2結晶中の不純物原子の拡散機構に関する第一原理解析岡県大院情報工1,ソニー2 難波貴正1,末岡浩治1,小町 潤2,嵯峨幸一郎2
  • 8110禁制反射XRDを用いた原子レベルで平坦なSiO2/Si界面における歪の評価明治大理工1,JASRI2,東北大未来研3,東北大WPI-AIMR4 ○(M2)永田晃基1,服部真季1,小瀬村大亮1,武井宗久1,小椋厚志1,小金澤智之2,広沢一郎2,諏訪智之3,寺本章伸3,服部健雄3,大見忠弘3,4
  • 9Si基板上の不純物ドープSiGe膜中の貫通転位速度岡山大院自然1,岡山大工2 ○(M1)船木 透1,松永拓也2,種本 寛2,山下善文1,2,石山 武1,2,上浦洋一1,2
  • 10Si基板上にエピ成長したbeta-FeSi2薄膜のSEM/EBSD/EBIC評価物材機構1,筑波大2,JST-CREST3 ○(D)カロリン イプトナー1,川上英輝2,陳  君1,末益 崇2,3,関口隆史1,3
  • 11Au添加nc-Siおよびnc-Geの電気伝導率のAu濃度依存性防衛大 ○(D)上田貴史,滝口裕章,青野祐美,宮崎 尚,岡本庸一
  • 12カソードルミネッセンスによるHVPE法で成長したGaN厚膜上のV-/U-ピットの評価物質材料研究機構1,つくば大2,東北大3,韓国海洋大4 李  雄1,2,Kazuhiro Kumagai1,Kentaro Watanabe1,Hyunjae Lee3,Takafumi Yao3,Jiho Chang4,Takashi Sekiguchi1,2
  • 13光を用いたAlGaN/GaN-HEMTの電気特性の非接触測定日本工大1,(有)エピテック2 内海憲介1,小野塚祐1,鈴木敏正1,2
  • 142層の水素化窒化炭素を用いた白色発光ダイオードの作製と評価龍大理工1,津山高専2 佐竹聖樹1,岸本慎平2,伊藤國雄2,山本伸一1
  • 15Nb系材料をドープした溶液塗布型TiO2薄膜の特性評価龍谷大1,兵庫工技セ2 山本宏輝1,吉岡秀樹2,山本伸一1
  • 16金属粒子を添加したITO薄膜の作製と評価龍谷大 景山 豪,山本伸一
  • 17Mn,Fe添加In2O3の電子状態解析理研計器1,早稲田大2 山下大輔1,吉岡剛志2,岡崎瑛基2,山本知之2
  • 18Li7V0.5Mn0.5N4の結晶作成と物性評価法政大1,大阪教育大2 井上裕輔1,鈴木優平1,栗山一男1,串田一雅2