15. 結晶工学

24a-CE - 1～8

• 1半極性GaN(1-101)表面での炭素取り込みに関する理論的検討三重大院工 ^○秋山　亨，山下智樹，中村浩次，伊藤智徳
• 2SiCの構造多形に関する簡単な理解三重大院工 ^○伊藤智徳，秋山　亨，中村浩次
• 3α-Al₂O₃(0001)表面上の窒素吸着に関する量子論的アプローチ三重大院工 ^○（M1）斉藤康高，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 4InP(111)A面上における成長初期過程に対するモンテカルロシミュレーション三重大院工 ^○山下智樹，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 5InAs/GaAs量子ドットの自己形成過程におけるGa導入効果電通大、先進理工¹，電通大、先進理工^{2 ○（B）}エデス サプトラ¹，山口浩一²
• 6GaAs基板上へのMnAs成長初期過程阿南高専¹，Warwick大^{2 ○}平山　基¹，Gavin Bell^1,2，塚本史郎¹
• 7電流制御液相エピタキシャル法によるGaAsパターン基板上へのGaAs厚膜成長静岡大電子研 ^○Mouleeswaran Deivasigamani，小山忠信，田中　昭，早川泰弘
• 8酸素同位体を用いた，酸化スズのパルスレーザー蒸着過程の検討物・材機構 甄　玉花，李　宝娥，李　建永，坂口　勲，安達　裕，西村聡之，羽田　肇，^○大橋直樹