15. 結晶工学

15.6 IV族系化合物

3月24日　9:00～11:45　　会場：B5-BN

24a-BN - 1～10

  • 1SiC表面積層構造におよぼす不純物効果の第一原理解析産総研1，九大応力研2 ○Frederic Mercier1，柿本浩一2，西澤伸一1
  • 2TMFを活用したSi融液からのSiC単結晶成長の数値解析産総研 ○Frederic Mercier，西澤伸一
  • 3PVTを用いたSiC結晶成長における結晶多型の安定性解析九大応力研1，産総研2 ○柿本浩一1，白桃拓哉1，高　　冰1，中野　智1，寒川義裕1，西澤伸一2
  • 42次元核生成に基づいたSiC結晶多形の圧力温度依存性の解析九大院工1，九大応力研2，産総研3 ○白桃拓哉1，柿本浩一1,2，高　　冰2，中野　智2，寒川義裕1,2，西澤伸一3
  • 5SiC溶液成長における炉内温度分布が結晶成長速度へ与える影響九大院工1，九大応研2 ○（M2）乾　史憲1，高　　冰2，中野　智2，寒川義裕1,2，柿本浩一1,2
  •  休憩　10:15～10:30
  • 6溶液成長における4H-SiC(0001)面上の成長多形変化過程の観察名大院工 アレキサンダー，○関　和明，小澤茂太，山本裕治，宇治原徹，竹田美和
  • 7溶液成長により作製したSiC結晶の転位挙動解析名大院工 小澤茂太，○関　和明，山本祐治， Alexander，宇治原徹，竹田美和
  • 8Fe-Si溶媒を用いたSiCの高速溶液成長の試み阪大院工 ○川西咲子，吉川　健，田中敏宏
  • 94H-SiC溶液成長におけるボイド状欠陥の抑制FUPET1，産総研2 ○三谷武志1,2，岡村雅之1,2，高橋徹夫1,2，加藤智久1,2，セングットバン ナチムズ1，奥村　元1,2
  • 10レーザ加熱高温真空レーザ顕微鏡の開発とSiC溶液成長に向けたフラックスの熱挙動観察東工大応セラ研 ○丸山伸伍，松本祐司

15.6 IV族系化合物

3月25日　9:00～17:30　　会場：B5-BL

25a-BL - 1～11

  • 1水の光分解材料としてのSiC光電気化学特性評価名工大 ○安田智成，加藤正史，市村正也
  • 23C-SiCウェハー内の歪みとキャリアライフタイムの相関性評価名古屋工業大 ○吉田敦史，加藤正史，市村正也
  • 3放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果阪電通大 ○（M1）西川誠二，北野谷征吾，松浦秀治
  • 4SiCの単発放電加工における欠陥生成評価名工大院1，フジミ2 ○（M2）村瀬貴哉1，永利一幸2，江龍　修1
  • 5シャドウマスクを用いたPCVM (Plasma Chemical Vaporization Machining)によるSiC 基板の切断加工の検討阪大工1，阪大院工2 ○（B）西川央明1，佐野泰久2，会田浩平2，山村和也2，松山智至2，山内和人2
  • 6塩素ガス熱エッチングにおける結晶面異方性を活用した SiCトレンチ底部の形状制御奈良先端大 ○（DC）纐纈英典，網島健人，畑山智亮，矢野裕司，冬木　隆
  •  休憩　10:30～10:45
  • 7紫外線照射によるSiC反射強度変化面内依存性名工大院1，フジミ2 ○西尾和真1，永利一幸2，江龍　修1
  • 8SiC基板off角度変化によるSBD特性の評価名工大院1，ポバール興業2，フジミ3 ○田中弥生1，神田隆生2，永利一幸3，江龍　修1
  • 94H-SiCエピタキシャル層に発生した積層欠陥のHR-TEM観察-IIイオンテクノセンター ○川野輪仁，西田幸子，青木正彦
  • 104H-SiC結晶中転位ループの構造と電子状態：O(N)タイトバインディング解析岡山大院自然 濱先亮慶，○鶴田健二
  • 114H-SiC(0001)へイオン注入されたAlの濃度分布に関する二次元モンテ・カルロ・シミュレーションＦＵＰＥＴ1，日立中研2 ○望月和浩1,2，横山夏樹1,2
  •  昼食　12:00～13:00

25p-BL - 1～17

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
    厚膜・低点欠陥密度n型4H-SiCエピ膜のキャリア寿命    電中研 ○宮澤哲哉，伊藤雅彦，土田秀一
  • 2XPSによるSiC直接窒化層の評価信州大工 鈴木真一郎，逸見充則，村田祐亮，酒井崇史，山上朋彦，林部林平，○上村喜一
  • 3POCl3アニールが4H-SiC熱酸化膜の信頼性へ与える影響奈良先端大物質 ○森下隆至，矢野裕司，岡本　大，畑山智亮，冬木　隆
  • 4紫外線照射による4H-SiC MOSデバイスの電気特性劣化阪大院工1，ローム2 ○池口大輔1，桐野嵩史1，箕谷周平2，中野佑紀2，中村　孝2，細井卓治1，志村考功1，渡部平司1
  • 5Temperature-dependent flatband voltage instability in 4H-SiC MOS devices with high-temperature hydrogen annealing阪大院工1，ローム2 ○Atthawut Chanthaphan1，Takashi Kirino1，Shuhei Mitani2，Yuki Nakano2，Takashi Nakamura2，Takuji Hosoi1，Takayoshi Shimura1，Heiji Watanabe1
  • 6オフ基板上4H-SiCトレンチMOSFETにおける電気特性の異方性の起源奈良先端大 ○上岡義弘，矢野裕司，岡本　大，新宮剣太，畑山智亮，冬木　隆
  • 7Si面とC面の違いによる第一原理分子動力学法で生成したアモルファスSiO2/SiC原子構造モデルの界面欠陥原子力機構1，電中研2 ○宮下敦巳1，大沼敏治2，土田秀一2，吉川正人1
  • 8MOCVD法によるSiC上へのHfO2膜の堆積とHfO2/SiO2/4H-SiC MOSFETの作製東京工業大1，三菱電機2 ○山村勇速1，徳光永輔1，日野史郎2，三浦成久2，大森達夫2
  • 9高温窒化処理とAl2O3堆積膜を用いた4H-SiC MOSFETの作製と評価東工大精研1，三菱電機先端総研2 ○石黒暁夫1，山田恭之1，日野史郎2，三浦成久2，大森達夫2，徳光永輔1
  •  休憩　15:15～15:30
  • 10SiC-MOSFETの高速スイッチング時の耐量向上三菱電機 ○日野史郎，三浦成久，古川彰彦，渡辺昭裕，中尾之泰，中田修平，今泉昌之，炭谷博昭
  • 11SiC MOSキャパシタのイオン誘起電流原子力機構1，電通大2，産総研3 ○牧野高紘1，大島　武1，岩本直也1,2，小野田忍1，野崎眞次2，児島一聡3
  • 124H-SiC Niコンタクトの低抵抗化モデルの検証次世代パワエレ機構1，日産自動車2，産総研ADPERC3，素子協／沖電気4 ○谷本　智1,2，宮部正徳1，椎山貴光1，鈴木達広1，中島信一3，山田朋幸1,4
  • 13SiC/Au-Sn/Cu-SiN接合体の高温ダイシェア強度特性次世代パワエ機構1，日産自動車2，富士電機HD3，サンケン電気4，素子協/沖電気工業5 ○谷本　智1,2，松井康平1,3，佐藤伸二1,4，図子祐輔1,2，村上善則1,2，山田朋幸1,5
  • 144H-SiC JBSダイオードの表面および結晶欠陥と逆方向特性の関係豊田中研1，トヨタ自動車2，デンソー3 ○勝野高志1，渡辺行彦1，藤原広和2，小西正樹2，森野友生3，遠藤　剛3，山本敏雅3，大西豊和2
  • 154H-SiCバイポーラトランジスタにおけるトレンチ側壁再結合電流の抑制京大院工1，京大光電子理工セ2 ○（DC）三宅裕樹1，木本恒暢1,2，須田　淳1
  • 16擬似多階調リサーフ構造を適用した3.3kV級SiC-SBDの耐圧特性新材料パワー半導体1，三菱電機先端総研2，三菱電機パワ電3 ○川上剛史1,2，中木義幸2，藤井善夫2，中田修平1,2，今泉昌之2，炭谷博昭2，大森達夫1,3
  • 17超高耐圧SiC PiNダイオードの接合終端構造シミュレーション京大院工 ○馮　　淦，須田　淳，木本恒暢