15. 結晶工学

27a-KF - 1～9

• 1SiGeミキシング誘起溶融成長法で形成したGOI細線のひずみ評価九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}加藤立奨¹，黒澤昌志^1,2，都甲　薫^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 2SiGeミキシング誘起溶融成長法による大面積網目状GOIの形成(1) -(100),(110),(111)GOIの方位制御-九大・院システム情報 ^○横山裕之，大田康晴，都甲　薫，佐道泰造，宮尾正信
• 3SiGeミキシング誘起溶融成長法による大面積網目状GOIの形成（2）-シード領域の極微化-九大・院システム情報 ^○東條友樹，大田康晴，都甲　薫，佐道泰造，宮尾正信
• 4SiGeミキシング誘起溶融成長法によるモザイク状GOIテンプレートの形成とホモエピタキシャル成長九州大・院 横山裕之，^○都甲　薫，東條友樹，坂根　尭，佐道泰造，宮尾正信
• 5SiGeミキシング誘起溶融成長法とMILC法の重畳による人工単結晶GOI(110)の創製九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}黒澤昌志^1,2，川畑直之¹，加藤立奨¹，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 6Ge(110)基板上Ge_xSn_1-xヘテロエピタキシャル層における異方的歪緩和名古屋大 浅野孝典，^○中塚　理
• 7InP基板上への超高Sn組成Ge_1-xSn_xヘテロエピタキシャル層成長名大院工¹，学振特別研究員² 中村茉里香¹，志村洋介^1,2，竹内正太郎¹，^○中塚　理¹，財満鎭明¹
• 8固相拡散法を用いたSi_1-x-yGe_xSn_y on Insulator構造の形成名古屋大院工¹，学振特別研究員² 望月健太¹，山羽　隆¹，志村洋介^1,2，^○中塚　理¹，財満鎭明¹
• 9貼り合わせGOI基板における電気特性の熱処理雰囲気依存性阪大院基礎工¹，コバレントシリコン² 山阪司祐人¹，南　圭祐¹，^○中村芳明¹，吉武　修¹，吉川　純¹，泉妻宏治²，酒井　朗¹
•  昼食　11:45～13:00

27p-KF - 1～8

• 1液相成長による歪み緩和した高Ge濃度SGOI-wireの形成MIRAI-東芝 ^○小田　穣，守山佳彦，池田圭司，上牟田雄一，手塚　勉
• 2貼り合わせ法による歪みGOI基板の作製東京都市大¹，九大院シス情²，JST さきがけ^{3 ○}星　裕介¹，栢野竜丞¹，澤野憲太郎¹，浜屋宏平^2,3，宮尾正信²，白木靖寛¹
• 3水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶ゲルマニウム形成技術山梨大¹，SST²，東京都市大^{3 ○}荒井哲司¹，中村浩之¹，川口裕樹¹，山本千綾¹，有元圭介¹，山中淳二¹，佐藤哲也¹，中川清和¹，高松利行²，澤野憲太郎³，白木靖寛³
• 4Si(100)基板上に形成したSiO₂/歪みSi_1-xC_x構造の界面準位密度評価山梨大¹，東北大²，日立国際電気^{3 ○}矢崎祐耶¹，古川洋志¹，井上樹範¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，森谷　敦³，井ノ口泰啓³，国井泰夫³
• 5ガスソースMBE法による圧縮歪みSi/緩和Si_1-XC_X/Siヘテロ構造の形成山梨大クリスタル研¹，東北大金研^{2 ○}古川洋志¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²
• 6圧縮歪みSiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と素子応用山梨大クリスタル研¹，東京都市大総研^{2 ○（B）}小幡智幸¹，有元圭介¹，山中淳二¹，澤野憲太郎²，白木靖寛²
• 7Si(110)傾斜基板上に形成された歪みSi-nMOSFETにおける電子移動度の評価山梨大クリスタル研¹，東北大金研²，東京都市大総研^{3 ○}中澤拓希¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，澤野憲太郎³，白木靖寛³
• 8太陽電池応用を目指した伸張歪Geの光学特性評価とガラス基板上への転写技術の開発東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}田所宏太郎¹，清水正幸¹，星名　豊¹，山田　明^1,2