15. 結晶工学

24a-BY - 1～11

• 1紫外発光素子用反射電極の検討名城大・理工¹，名大・院工²，名大・赤崎記念研究センター^{3 ○}竹原孝祐¹，竹田健一郎¹，永田賢吾¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 2AlGaN UV-LEDの光取り出し効率の改善創光科学¹，名城大理工²，名大工^{3 ○}稲津哲彦¹，深堀真也¹，シリル ペルノ¹，金　明姫¹，藤田武彦¹，長澤陽祐¹，平野　光¹，一本松正道¹，岩谷素顕²，天野　浩³，竹内哲也²，上山　智²，赤崎　勇²
• 3MQBを用いた230nm帯短波長深紫外LEDの効率改善理研¹，埼玉大²，JST-CREST^{3 ○（M2）}塚田悠介^1,2,3，平山秀樹^1,3，秋葉雅弘^1,2,3，富田優志^1,2,3，前田哲利^1,3，鎌田憲彦^2,3
• 4ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上UV-LEDの256nm発光BEANSプロジェクト¹，理研²，東大^{3 ○}美濃卓哉¹，高野隆好¹，椿　健治¹，平山秀樹^1,2，杉山正和^1,3
• 5a軸方向傾斜c面サファイア上に作製した高効率深紫外LED理研¹，JST-CREST^{2 ○}藤川紗千恵^1,2，平山秀樹^1,2，前田哲利^1,2
• 6AlGaN MQWを用いた高出力280 nm 深紫外LED日亜化学 ^○藤岡　陽，三崎貴生，村山隆史，三賀大輔，成川幸男，向井孝志
•  休憩　11:00～11:15
• 7フルカラーInGaN発光ダイオードの作製と評価東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}田村和也¹，太田実雄¹，丹所昂平¹，小林　篤²，井上　茂¹，藤岡　洋^1,3
• 8off角が異なる(11-22)半極性面GaN基板上LEDの作製東京理科大¹，三菱化学科学技術センター^{2 ○}渡邊知雅¹，坂本聖哲¹，新間理夏¹，平子　晃¹，田原岳史²，寺田　秀²，大川和宏¹
• 9窒化物LEDの劣化現象(1): 高加速ストレス試験東京理大・理¹，平山製作所^{2 ○}坂本聖哲¹，山本智博¹，渡邊知雅¹，平子　晃¹，長沢敏勝²，五十嵐敬²，大川和宏¹
• 10窒化物LEDの劣化現象(2): 電子線照射の影響東京理大理¹，東京理大理工²，先端デバイス研究部門³，熊本高専^{4 ○}坂本聖哲¹，山本智博¹，渡邊知雅¹，平子　晃^1,3，杉山　睦^2,3，高倉健一郎⁴，角田　功⁴，大山英典⁴，大川和宏^1,3
• 11c面サファイア上700 nm帯窒化物LEDの作製と発光特性東京理科大 ^○渡邊知雅，平子　晃，坂本聖哲，大川和宏
•  昼食　12:30～13:30

24p-BY - 1～16

• 1「結晶工学分科内招待講演」（30分）
  InGaN系ナノコラムレーザに向けた結晶成長、発光特性、デバイス上智大学¹，JST　クレスト^{2 ○}岸野克巳^1,2，菊池昭彦^1,2，石沢俊介^1,2，山野晃司^1,2，光野徹也^1,2
• 2n-GaN/F8BT 無機/有機複合LEDの電流注入発光特性上智大理工 ^○辻　智之，菊池昭彦
• 3マイカ基板を用いたIII族窒化物LEDの作製東大生研¹，JST-CREST^{2 ○（M1）}野村周平¹，田村和也¹，太田実雄¹，井上　茂¹，藤岡　洋^1,2
• 4グラファイトシート上GaN青色LEDの作製東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}金子俊郎¹，太田実雄¹，井上　茂¹，藤岡　洋^1,2
• 5多結晶YAG蛍光体基板上に作製したInGaN-LED特性東京理大理¹，小糸製作所^{2 ○}野村明宏^1,2，平子　晃¹，大川和宏¹
• 6レーザリフトオフ法による薄膜紫外LED名城大理工¹，名古屋大院工²，名古屋大赤崎記念研究センター^{3 ○}青島宏樹¹，竹田健一郎¹，永田賢吾¹，竹原孝祐¹，伊藤　駿¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 7窒化物系LEDの内部量子効率の発光波長依存性に関する検討名城大・理工¹，エルシード^{2 ○}山口修司¹，飯田大輔¹，北野　司²，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智^1,2，赤崎　勇¹
• 8近紫外LEDのデバイス構造の最適化エルシード¹，名城大・理工^{2 ○}北野　司¹，鈴木敦志¹，小池正好¹，山口修司²，岩谷素顕²，竹内哲也²，上山　智^1,2，赤崎　勇²
•  休憩　15:45～16:00
• 9窒化物半導体トンネル接合のシミュレーションと成長名城大　理工¹，エルシード²，名古屋大・院工^{3 ○（B）}加賀　充¹，飯田大輔¹，北野　司²，山下浩司¹，矢木康太¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智^1,2，赤崎　勇¹，天野　浩³
• 10窒化物半導体トンネル接合を用いたLEDの作製と評価名城大・理工¹，エルシード²，名古屋大・院工^{3 ○}山下浩司¹，加賀　充¹，矢木康太¹，鈴木敦志²，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智^1,2，赤崎　勇¹，天野　浩³
• 11350nm帯紫外LED及びLD構造の注入効率向上名城大理工¹，名古屋大・赤崎記念研究センター²，名古屋大・院工^{3 ○}竹田健一郎¹，永田賢吾¹，竹原孝祐¹，青島宏樹¹，野中健太朗¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,2，天野　浩^2,3
• 12III族窒化物高Q値一次元フォトニック結晶ナノビーム共振器の設計と作製東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}Sylvain Sergent¹，有田宗貴¹，加古　敏¹，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 13フレア型GaInN半導体レーザ増幅器の横モード特性東北大未来研(NICHe)¹，ソニー先端マテ研^{2 ○}石橋孝介¹，幸田倫太郎^1,2，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之¹
• 14Bow-tie型セルフパルセーションLDによる20Wピークパワーピコ秒パルスの発生ソニー 先端マテ研¹，東北大 NICHe^{2 ○}渡邊秀輝¹，河野俊介²，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之²
• 15フレア型バイセクションレーザを用いたモード同期動作による高ピークパワーピコ秒光パルスの発生ソニー先端マテ研¹，東北大未来研^{2 ○}大木智之¹，幸田倫太郎^1,2，河野俊介²，宮嶋孝夫^1,2，渡邊秀輝¹，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之²
• 16GaInN半導体レーザーからの200Wピークパワー光パルスの発生東北大未来研¹，ソニー先端マテリアル研^{2 ○}幸田倫太郎^1,2，大木智之²，宮嶋孝夫^1,2，渡邊秀輝²，河野俊介¹，倉本　大^1,2，池田昌夫^1,2，横山弘之¹

25a-BY - 1～8

• 1「第1回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤崎勇賞）受賞記念講演」（35分）
  化合物半導体フロンティアへの挑戦 -鍵を握る結晶成長技術-立命館大学 理工¹，ソウル大学WCUプログラム^{2 ○}名西やすし^1,2
• 2電流‐電圧特性の温度依存性評価によるp型InNの検証立命館大理工¹，立命館大R-GIRO²，立命館大総合理工研³，ソウル国立大^{4 ○}櫻井秀昭¹，井脇明日香¹，岩本亮輔¹，山口智広²，城川潤二郎³，荒木　努¹，名西やすし^1,4
• 3In極性p型InNにおける非輻射キャリア再結合過程解析千葉大院工¹，千葉大VBL²，北京大^{3 ○}今井大地¹，石谷善博^{1, 2}，藤原昌幸¹，王　新強³，草部一秀^{1, 2}，吉川明彦^{1, 2}
•  休憩　10:50～11:05
• 4N極性及びIn極性のInN-MIS構造の作製と評価立命館大・理工¹，R-GIRO²，総理研³，NTTフォトニクス研⁴，ソウル国立大WCUプログラム⁵ 森本健太¹，^○三木　彰¹，山口智広²，前田就彦^3,4，荒木　努¹，名西やすし^1,5
• 5Al₂O₃/InN界面の電子状態評価東大工¹，東大院工²，東大生研³，JST-CREST^{4 ○}大久保佳奈¹，小林　篤²，太田実雄³，藤岡　洋^3,4，尾嶋正治^2,4
• 6２種類の電子によるＩｎＮの超伝導東海大工 ^○犬島　喬
• 7InN/p-4H-SiC構造の作製と電気・光学特性評価埼玉大工 ^○矢野貴大，折原　操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 8ラマン散乱によるPR-MOVPE成長InN膜質評価（II）京工繊大¹，和大²，東北大³，JST-CREST^{4 ○}金　廷坤^1,4，亀井靖人¹，木村篤人¹，蓮池紀幸^1,4，木曽田賢治²，播磨　弘^1,4，劉　玉懐^3,4，松岡隆志^3,4
•  昼食　12:20～13:45

25p-BY - 1～19

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  サファイア上へのAlN成長における界面層の評価(2)三重大院工 ^○宮川鈴衣奈，三宅秀人，平松和政
• 2減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長三重大工¹，名工大²，東北大^{3 ○}野村拓也¹，奥村健太¹，三宅秀人¹，平松和政¹，江龍　修²，福山博之³
• 3周期溝加工c面AlN/a面Sapphire上への減圧HVPE法によるAlN成長三重大工 ^○高木雄太，三宅秀人，平松和政
• 4立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長東大新領域 ^○角田雅弘，牧野兼三，石田　崇，窪谷茂幸，尾鍋研太郎
• 5AlNバルク成長に向けた2相溶液成長法の提案九大応力研¹，九大院工²，JST PRESTO^{3 ○}寒川義裕^{1, 2, 3}，土岐隆太郎²，屋山　巴²，柿本浩一^{1, 2}
• 6Distribution of three-dimensional local strain in thick AlN film grown on a trenchpatterned AlN/α-Al₂O₃ template阪大院基礎工¹，三重大院工²，高輝度光科学研究センター³ タンカン ディン¹，原田進司¹，渡邉翔太¹，吉川　純¹，中村芳明¹，^○酒井　朗¹，三宅秀人²，平松和政²，今井康彦³，木村　滋³，坂田修身³
• 7反応性スパッタ法により823 Kで作製されたAlN膜の結晶品質に及ぼすスパッタ電力の影響東北大 ^○熊田智行，大塚　誠，福山博之
•  休憩　15:30～15:45
• 8原子散乱表面分光法による半極性面AlN/ZnOの極性判定東大院工¹，東大生研²，JST-CREST³，パスカル^{4 ○}小林　篤¹，上野耕平²，太田実雄²，藤岡　洋^2,3，尾嶋正治^1,3，中西繁光⁴，東堤秀明⁴
• 9Ga-Alフラックスから成長したAlN膜の転位および極性解析東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○（P）}安達正芳¹，前田一夫²，田中明和²，森川大輔¹，津田健治¹，小畠秀和¹，大塚　誠¹，福山博之¹
• 10窒化サファイア基板上に成長したAlN 薄膜の微細構造観察東大生研¹，JST-CREST²，東北大多元研^{3 ○（P）}上野耕平¹，太田実雄¹，藤岡　洋^1,2，福山博之³
• 116H-SiC (0001)基板上2H-AlN成長層における貫通転位の発生機構京大院工¹，京大　光電子理工セ^{2 ○（DC）}奥村宏典¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 126H-SiC (0001)基板上2H-AlN成長層の積層不整合境界の微視的構造京大院工¹，京大　光電子理工セ^{2 ○（DC）}奥村宏典¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 13紫外・真空紫外検出器の特性評価IV -VUVエリプソメトリーを用いた光学定数の決定-福井大工¹，産総研計測標準²，ALGAN³，福井大遠セ^{4 ○}尾崎恭介¹，齋藤輝文²，人羅俊実³，岩井浩紀¹，福井一俊¹，齊藤一朗²，山本晃司^1,4
•  休憩　17:15～17:30
• 14MOVPE成長AlN薄膜の点欠陥・不純物が発光寿命に及ぼす影響東北大多元研¹，筑波大電物工^{2 ○}秩父重英¹，尾沼猛儀¹，羽豆耕治¹，上殿明良²
• 15PVTを用いたAlN結晶成長の数値解析と最適化九大応力研 ^○高　　冰，中野　智，柿本浩一
• 16AlN/GaN超格子の電子構造の第一原理計算による検討筑波大¹，NTT物性基礎研^{2 ○}神谷克政¹，白石賢二¹，嘉数　誠²
• 17単分子層GaN/AlN多重量子井戸の偏光性制御した遠紫外発光NTT物性研 ^○谷保芳孝，嘉数　誠
• 18MOCVDによるAlNナノチューブの形成東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}有田宗貴¹，ギヒョン チェ²，荒川泰彦^1,2
• 19六方晶BN薄膜の伝導度の増大ＮＴＴ物性基礎研 ^○小林康之，尾身博雄，赤坂哲也

26a-BY - 1～10

• 1「結晶工学分科内招待講演」（30分）
  Si基板上へのGaN成長の進展と将来愛工大 ^○澤木宣彦
• 2(111)Si基板上GaNのボイドを用いた残留応力低減名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}光成　正^1,2，谷川智之^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2，天野　浩^1,2
• 3MOVPE法による選択成長を用いたGaN基板の反り制御三重大工¹，和歌山高専^{2 ○}大内澄人¹，直井弘之²，三宅秀人¹，平松和政¹
• 4Si-doped AlGaN 超格子の作製と発光評価三重大¹，浜松ホトニクス²，九州大³ 島原佑樹¹，落合俊介¹，^○三宅秀人¹，平松和政¹，福世文嗣²，岡田知幸²，高岡秀嗣²，吉田治正²，桑野範之³
• 5GaNのMOVPE成長における表面過飽和度に及ぼすキャリアガスの影響NTT物性基礎研 ^○赤坂哲也，小林康之，嘉数　誠
• 6浅い溝を有したr面サファイア加工基板上{11-22}GaNの成長および低転位密度化トクヤマ¹，山口大院理工^{2 ○}古家大士^1,2，岡田成仁²，只友一行²
•  休憩　11:30～11:45
• 7r面サファイア加工基板上へ成長した半極性 {11-22} GaN上のMQWsの光学評価山口大院理工 ^○内田健充，栗栖彰宏，柏原博之，三好清太，岡田成仁，只友一行
• 8n 面サファイア加工基板上の半極性 {10-11} GaN の評価山口大院理工 ^○高見成希，栗栖彰宏，岡田成仁，只友一行
• 9PSS(加工サファイア基板)上にMOCVD成長したGaN薄膜の評価日本工大¹，(有)エピテック^{2 ○}根本真弥¹，小野塚祐¹，鈴木敏正^1,2
• 10ナノ粒子配列を用いた微細加工Si(111)基板上のGaN MOVPE東大工¹，先端研^{2 ○}田中　肇¹，Hassanet Sodabanlu²，肥後昭男²，中野義昭^1,2，杉山正和¹
•  昼食　12:45～13:30

26p-BY - 1～20

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  電子線励起法によるAlGaN/AlN量子井戸からの高出力・高効率深紫外発光京大院工¹，ウシオ電機^{2 ○}大音隆男¹，Ryan Banal¹，片岡　研²，船戸　充¹，川上養一¹
• 2Extremely High Internal Quantum Efficiency from AlGaN/AlN Quantum Wells工・京大 ^○（P）Ryan Banal，船戸　充，川上養一
• 3AlGaN量子井戸構造の光学的特性名城大・理工¹，名古屋大・院工²，名古屋大・赤崎記念研究センター^{3 ○}山本準一¹，伴　和仁¹，竹田健一郎¹，井手公康¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 4AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率に対するSi添加効果山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}赤瀬大貴¹，室谷英彰¹，穴井恒二¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，三宅秀人²，平松和政²
• 5気相合成NH₄Cl 鉱化剤を用いて成長したアモノサーマルGaN 基板上にMOVPE 形成したAlGaN/GaN の時間分解フォトルミネッセンス評価東北大多元研¹，東北大WPI^{2 ○}秩父重英¹，羽豆耕治¹，鏡谷勇二¹，尾沼猛儀¹，Dirk Ehrentraut²，福田承生²，石黒　徹¹
• 6InGaN系量子井戸構造における内部量子効率と非輻射再結合確率の相関山口大院・理工¹，三菱化学・オプト技開センター^{2 ○}廣野貴一¹，須戸康弘¹，山内雅貴¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，工藤広光²，岡川広明²
• 7青色発光InGaN量子井戸のPL測定における誘導放出による消光現象東北大未来研¹，JST CREST^{2 ○}佐藤綾耶¹，石橋孝介¹，横山弘之^1,2
•  休憩　15:15～15:30
• 8第一原理計算を用いた窒化物半導体の変形ポテンシャルの算出筑波大院・数物¹，金沢工大^{2 ○}海老原康裕¹，神谷克政¹，白石賢二¹，山口敦史²
• 9極性・非極性(Al,In,Ga)N混晶薄膜における振動子強度の歪依存性東京高専¹，東北大多元研^{2 ○}尾沼猛儀^1,2，羽豆耕治²，秩父重英²
• 10無極性面・半極性面ZnO基板上InGaNの偏光スイッチング東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}玉木啓晶¹，小林　篤²，太田実雄¹，尾嶋正治^2,3，藤岡　洋^1,3
• 11M面GaN基板上に成長したGaNﾏｲｸﾛﾃﾞｨｽｸからの室温390nm近傍発光上智大理工¹，上智ナノテク²，山梨大院医工³，科学技術振興機構^{4 ○（DC）}光野徹也^1,4，岸野克巳^1,2,4，酒井　優^3,4，菊池昭彦^1,2,4
• 12InGaN光触媒における水分解可能性東京理科大　理¹，東北大 環境^{2 ○}小山貴裕¹，千原大典¹，平子　晃¹，藤井克司²，大川和宏¹
• 13InGaN光触媒によるゼロバイアス時の水の分解東京理科大　理¹，東北大　環境^{2 ○}小山貴裕¹，千原大典¹，増田一輝¹，平子　晃¹，藤井克司²，大川和宏¹
•  休憩　17:00～17:15
• 14GaN中の照射誘起欠陥における陽電子消滅原子力機構¹，阪大産研^{2 ○（P）}薮内　敦¹，前川雅樹¹，河裾厚男¹，長谷川繁彦²，周　逸凱²，朝日　一²
• 15ラマン散乱によるMOVPE成長In_xGa_1-xN膜の評価京工繊大¹，和大²，福井大^{3 ○}金　廷坤¹，亀井靖人¹，木村篤人¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨　弘¹，笹本紘平³，堀田　徹³，山本あき勇³
• 16Al_xGa_1-xN膜におけるLOフォノン-プラズモン結合モードの観測京工繊大¹，和大²，三重大^{3 ○}木村篤人¹，金　廷坤¹，亀井靖人¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨　弘¹，島原佑樹³，三宅秀人³，平松和政³
• 17Al_xGa_1-xN混晶の組成決定京工繊大¹，和大²，三重大^{3 ○}金　廷坤¹，木村篤人¹，亀井靖人¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨　弘¹，島原佑樹³，三宅秀人³，平松和政³
• 18近接場光学顕微分光測定によるInGaN混晶薄膜における励起子分子発光の観測山口大院・理工¹，三菱化学・技開センター^{2 ○}田中裕紀¹，梅澤恭平¹，弘中英夫¹，下村拓也¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，工藤広光²，岡川広明²
• 19高Al組成AlGaN混晶薄膜の励起子分子結合エネルギー山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}橘高　亮¹，武藤弘貴¹，室谷英彰¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，三宅秀人²，平松和政²
• 20時間分解発光測定による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸におけるMott密度の井戸幅依存性の評価京大工 ^○岩田佳也，大音隆男，金田昭男，ライアン バナル，船戸　充，川上養一

26a-BZ - 1～10

• 1SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (1) - 短周期超格子／超構造マジック疑似混晶によるアプローチ -千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 2SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (2) - SMART接合GaNダイオードの検討 -千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}長縄健吾¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 3SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (3) - 1ML-InN/InGaN/GaN構造による変換波長域拡大の検討 -千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}高橋洋平¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 4SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (4) - (InN)₁/(GaN)_n短周期超格子の成長・組成制御 -千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}名倉晶則¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
• 5SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (5) - 成長温度が(InN)1/(GaN)4短周期超格子構造に与える影響 -千葉大院工¹，千葉大VBL^{2 ○}橋本直樹¹，草部一秀^1,2，石谷善博^1,2，吉川明彦^1,2
•  休憩　11:30～11:45
• 6Schottky solar cells using transparent conductive polymer on III-V nitride thin films物質・材料研究機構¹，筑波大²，中部大^{3 ○}Mickael Lozach^1,2，中野由崇³，迫田和彰^1,2，角谷正友¹
• 7非極性面GaN上に作製した窒化物太陽電池名城大・理工¹，名大・院工²，名大・赤崎記念研究センター^{3 ○（B）}中尾達郎¹，藤山泰治¹，藤井崇裕¹，杉山　徹¹，山本翔太¹，飯田大輔¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 8極薄AlN挿入によるInGaN太陽電池特性の向上物質・材料研究機構 ^○（PC）Liwen Sang，Meiyong Liao，Naoki Ikeda，Yasuo Koide，Masatomo Sumiya
• 9窒化物半導体を用いた太陽電池の特性評価名城大・理工¹，名古屋大・院工²，名古屋大・赤崎記念研究センター^{3 ○}藤井崇裕¹，桑原洋介¹，飯田大輔¹，杉山　徹¹，磯部康裕¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 10窒化物太陽電池の電極構造検討名城大理工¹，名古屋大院工²，名古屋大赤崎記念研究センター^{3 ○（B）}山本翔太¹，森田義己¹，桑原洋介¹，藤井崇裕¹，杉山　徹¹，中尾達郎¹，岩谷素顕¹，天野　浩^2,3，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，竹内哲也¹
•  昼食　13:00～14:00

26p-BZ - 1～18

• 1InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長東大新領域 ^○王　彦哲，クァントゥ ティユ，菊地健彦，窪谷茂幸，尾鍋研太郎
• 2RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長埼玉大工 ^○鈴木潤一郎，折原　操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 3YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入傾向東大 ^○石田　崇，角田雅弘，窪谷茂幸，尾鍋研太郎
• 4ドロップレットエピタキシ成長InN 量子ドットの物性評価阪大産研 ^○キルシナムルティ ダイワシガマニ，シティ　ノーラヤ モハマド　タウィル，長谷川繁彦，朝日　一
• 5RF-MBE法による2"Al2O3基板を用いたInN結晶のELO成長上智理工¹，上智ナノテク²，CREST JST^{3 ○（D）}神村淳平^1,3，岸野克巳^1,2,3，菊池昭彦^1,2,3
•  休憩　15:15～15:30
• 6アンモニア系有機金属分子線エピタキシーによるGaNのマイクロチャネルエピタキシー：[NH3]/[TMG]流量比依存性名城大理工 ^○林　家弘，阿部亮太，植手芳樹，内山翔太，丸山隆浩，成塚重弥
• 7RF-MBE法を用いた(GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN薄膜成長工学院大工 ^○林　才人，後藤大雅，井垣辰浩，菅原順平，米澤亮輔，杉浦洋平，本田　徹
• 8アンモニアクラスタービームを窒化源に用いたAlN / Al2O3(0001)成長岡山理大理¹，道工大工^{2 ○}中川駿一郎¹，斉藤　博¹，大石正和¹，今井和明²
• 9MBE法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長京大院工¹，京大光電子理工セ^{2 ○}菊地諒介¹，奥村宏典¹，木本恒暢^1,2，須田　淳¹
• 10β-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長名城大・理工¹，名大・院工²，赤崎記念研究センター^{3 ○}伊藤　駿¹，竹田健一郎¹，永田賢吾¹，青島宏樹¹，竹原孝祐¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 11RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤの成長名大工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○（B）}田畑拓也^1,2，白　知鉉^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2，天野　浩^1,2
• 12RF-MBEによるGaN選択成長に与えるSiO₂マスクとTiマスクの効果名城大理工 ^○岩月剛徳，長江祐基，大澤佑来，白井優也，成塚重弥，丸山隆浩
• 13反応性スパッタ法を用いたエピタキシャルGaN形成における成長制御アルバック　半電研 ^○大西洋平，小林宏樹，遠藤洋平，木村　勲，神保武人，鄒　弘綱
•  休憩　17:30～17:45
• 14m面自立GaN基板のチルトモゼイク異方性がNH₃-MBE成長m面Al_0.25Ga_0.75N薄膜の発光特性に与える影響東北大多元研 秩父重英，^○Munehito Kagaya，尾沼猛儀，羽豆耕治
• 15NH₃-MBE法によるEu添加GaNの成長と発光特性豊橋技科大院¹，浜松ホトニクス^{2 ○}諏訪尊信¹，加藤基宏¹，高木康文²，関口寛人¹，岡田　浩¹，若原昭浩¹
• 16希薄磁性半導体GaGdN薄膜構造の成長条件依存性阪大産研 満野陽介，安部大治郎，東晃太郎，小森祥央，周　逸凱，江村修一，長谷川繁彦，^○朝日　一
• 17高濃度 Gd 添加 GaGdN における自然超格子の形成阪大産研 ^○東晃太朗，安部大治郎，満野陽介，小森祥央，長谷川繁彦，石丸　学，朝日　一
• 18Si(111)上の GaGdN nanorods 成長(1) -Si 基板窒化の影響-阪大産研 植中麻衣，^○丹保浩行，長谷川繁彦，朝日　一

27a-BY - 1～11

• 1The role of intermediate temperature buffer layer on the crystallinity of HVPE GaN films韓国海大工¹，東北金研²，Dowa Elect. Mat,³，NIMS, Tsukuba^{4 ○（M1）}Youngji Cho¹，Joonseok Ha²，Hyun-Jae Lee²，Woong Lee⁴，Takashi Sekiguchi⁴，Katsushi Fujii²，Ryuichi Toba³，Jiho Chang¹，Takafumi Yao²
• 2半極性InGaN/GaNにおける貫通転位と界面転位の挙動九大総理工¹，九大産学連携センター²，山口大理工学^{3 ○（M1）}桑原崇彰¹，藤田智彰¹，桑野範之^1,2，岡田成仁³，只友一行³，栗栖彰宏³
• 3UHVスパッタエピタキシーによるAlN単結晶層の成長電機大工 ^○寒河江宏介，小山田友樹，篠田宏之，六倉信喜
• 4UHVスパッタエピタキシーによるInGaN単結晶層の成長電機大工 ^○小山田友樹，寒河江宏介，篠田宏之，六倉信喜
• 5AlN/サファイア上の低～中Al組成AlGaN層の成長過程と転位の挙動九大産学連携セ¹，三重大院^{2 ○}桑野範之¹，藤田智彰¹，桑原崇彰¹，三宅秀人²，平松和政²
• 6SiC/AlNヘテロエピタキシャル構造の安定性東海大 ^○大根田満，犬島　喬
•  休憩　10:30～10:45
• 7PSD法により成長したGaN薄膜の電気特性東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}丹所昂平¹，井上　茂¹，太田実雄¹，藤岡　洋^1,2
• 8p-GaN/u-GaN/u-AlGaN/u-GaNヘテロ構造の分極効果による1.4E+13cm^-2, 2次元正孔ガスの実現パウデック¹，シェフィールド大工^{2 ○}住田行常¹，中島　昭²，河合弘治¹，Sankara Narayanan²
• 9AlGaN/GaN系ヘテロ構造における促進障壁層構造の提案ＮＴＴフォトニクス研¹，NTT物性基礎研^{2 ○}前田就彦¹，廣木正伸¹，佐々木智²
• 10微傾斜サファイア(0001)基板上に成長したAlGaN/GaN HFETs特性の評価産総研 ^○沈　旭強，井手利英，清水三聡
• 11AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果新日本無線 ^○深井雅之，柿澤秀介，伏見　浩
•  昼食　12:00～13:00

27p-BY - 1～8

• 1電界効果MOCVDによるInN針状結晶の生成東海大　総合理工 ^○太田優一，犬島　喬
• 2半極性窒化インジウム(10-13)成長における転位消滅メカニズムの解明東京農工大 ^○趙　賢哲，竹中佐江，富樫理恵，村上　尚，熊谷義直，纐纈明伯
• 3加圧MOVPEにおけるInNの残留キャリア濃度の成長温度依存性東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○（M1）}キャッティウット プラスラットスック¹，平田雅貴¹，劉　玉懐^1,2，木村健司^1,2，張　源涛^1,2，岩渕拓也¹，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 4加圧型MOVPE法によるInNの転位密度における相純度の影響東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○}岩渕拓也¹，劉　玉懐^1,2，木村健司^1,2，張　源涛^1,2，プラスラットスック キャッティウット¹，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 5ウルツ鉱型と閃亜鉛鉱型結晶構造の混在したInNの構造解析東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○}木村健司^1,2，岩渕拓也¹，Kiattiwut Prasertsuk¹，張　源涛¹，劉　玉懐^1,2，花田　貴¹，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 6AlNテンプレート上AlInN膜のMOCVD成長名工大 ^○酒井佑輔，江川孝志
• 7加圧MOVPE法を用いたAlInNの結晶成長名城大理工¹，名大²，名大・赤崎記念研究センター^{3 ○}三嶋　晃¹，牧野貴文¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，坂倉誠也^2,3，谷川智之^2,3，天野　浩^2,3
• 8ZnO基板上への全組成域m面InAlN薄膜のエピタキシャル成長東大院工¹，東大生研²，JST-CREST^{3 ○}梶間智文¹，上野耕平²，小林　篤¹，太田実雄²，藤岡　洋^2,3，尾嶋正治^1,3

27a-BZ - 1～11

• 1高濃度MgドープMOVPE-InGaNの成長挙動福井大院工¹，関西電力² 笹本紘平¹，廣長大造¹，^○堀田　徹¹，杉田憲一¹，A.G. Bhuiyan¹，橋本明弘¹，山本あき勇¹，木下勝弘²
• 2Si(111)基板上へのInGaNのMOVPE成長福井大院工¹，NTTフォトニクス研^{2 ○（PC）}杉田憲一¹，江崎岳志¹，三原章宏¹，A. G. Bhuiyan¹，橋本明弘¹，山本あき勇¹，渡邉則之²，横山春喜²，重川直輝²
• 3MOVPE成長InGaN薄膜のIn組成の成長速度依存性東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○（B）}正直花奈子¹，片山竜二^1,2，紀　世陽¹，V. Suresh Kumar^1,2，進藤裕文¹，Jung-Hun Choi¹，劉　玉壊^1,2，松岡隆志^1,2
• 4m面GaN基板上InGaN薄膜のIn濃度の基板傾斜角依存性東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○（B）}正直花奈子¹，花田　貴¹，島田貴章¹，劉　玉壊^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 5InGaN成長におけるIn取り込み量の面方位依存性に関する理論検討九大院工¹，九大応力研²，農工大工^{3 ○}屋山　巴¹，川野　潤²，寒川義裕^1,2，柿本浩一^1,2，纐纈明伯³
•  休憩　10:15～10:30
• 6(1122)GaN基板上への高品質InGaN量子井戸構造の成長京大院・工 ^○西中淳一，船戸　充，川上養一
• 7{11-22}GaN上の厚膜InGaNの成長と評価山口大理工¹，九大²，産学連携センター^{3 ○}岡田成仁¹，栗栖彰宏¹，只友一行¹，桑原崇彰²，藤田智彰²，桑野範之^2,3
• 8MOCVD法によるm-GaN/AlGaN量子細線の結晶成長とその光学特性東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}楊　学林¹，有田宗貴¹，加古　敏¹，荒川泰彦^1,2
• 9MOCVD法を用いた低シート抵抗AlN/GaN超格子バリア層の成長産総研¹，大陽日酸^{2 ○}川島宏幸¹，田代勝正¹，清水三聡¹，井手利英¹，坂村祐一¹，朴　冠錫²，矢野良樹²，生方映徳²
• 10薄いGaNテンプレートを用いたAlN/GaNナノワイヤ内GaN量子ドットのMOCVD選択成長東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○}ギヒョン チェ¹，有田宗貴²，荒川泰彦^1,2
• 11GaN基板を用いた高リサイクルPd固定触媒の開発阿南高専 ^○平山　基，植田有紀子，小西智也，塚本史郎
•  昼食　12:00～13:00

27p-BZ - 1～8

• 1GaN溶液成長初期過程の分子動力学シミュレーション三重大工¹，九大応力研^{2 ○}河村貴宏¹，寒川義裕²，柿本浩一²，小竹茂夫¹，鈴木泰之¹
• 2X線マイクロ回折を用いたGaN自立基板の格子面傾斜ゆらぎの解析阪大院基礎工¹，三重大院工²，高輝度光科学研究センター³ 渡邉翔大¹，原田進司¹，Thanh Khan Dinh¹，^○吉川　純¹，中村芳明¹，三宅秀人²，平松和政²，今井康彦³，木村　滋³，坂田修身³，酒井　朗¹
• 3アモノサーマル法によるGaN結晶育成速度の圧力・鉱化剤依存東北大多元研 ^○鏡谷勇二，包　全喜，澤山拓洋，冨田大輔，羽豆耕治，秩父重英，横山千昭，石黒　徹
• 4GaN薄膜のアンモニアガスを用いた大気圧下の液相成長名城大工 ^○風間正志，小島春輝，佐藤秀治郎，山内洋哉，成塚重弥，丸山隆浩
• 5Li添加Naフラックス法によるGaN単結晶育成阪大院工 ^○本城正智，升本恵子，請川紘嗣，今林弘毅，北本　啓，高澤秀生，村上航介，三好直哉，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
• 6Ba添加Naフラックス法を用いたGaN単結晶育成阪大院工 ^○今林弘毅，請川紘嗣，北本　啓，高澤秀生，轟　夕摩，村上航介，三好直哉，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木考友，森　勇介
• 7Ca-Li共添加Naフラックス法によるGaN単結晶のSeeded Growth阪大院工 ^○今出　完，小西悠介，村上航介，高澤秀生，今林弘毅，北本　啓，轟　夕摩，三好直哉，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
• 8Naフラックス法を用いた無極性面GaN結晶成長における添加物効果阪大院工 ^○升本恵子，染野辰也，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，北本　啓，三好直哉，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介