15. 結晶工学

24a-BQ - 1～11

• 1薄膜GaAs半導体の非破壊キャリア濃度測定古河機械金属¹，理研仙台²，東北大院理^{3 ○}濱野哲英¹，大野誠吾^2,3，南出泰亜²，伊藤弘昌²，薄　善行¹
• 2Beドープした低温成長GaAs膜における不対電子間の交換相互作用北陸先端科学技術大学院大 ^○Mohd Ambri，Bae Kangwoo，Jung Daewon，大塚信雄
• 3C₆₀, Si codoped GaAsの光電流スペクトル早大高等研¹，JST さきがけ²，早大理工^{3 ○}西永慈郎^1,2，堀越佳治³
• 4Temperature dependence of Si incorporation on GaAs layers grown on GaAs (631)A oriented substrates愛媛大・院理工¹，SLP Univ.²，CINVESTAV-IPN³ David Vazquez-Corte^1,2，Esteban Cruz-Hernandez²，Victor-Hugo Mendez-Garcia²，Maximo Lopez-Lopez³，^○下村　哲¹
• 5選択成長したInAs微細構造とGaAs(001)、(111)A基板の界面特性早大理工¹，早大材料技術研究所^{2 ○（D）}Marlene Zander^1,2，西永慈郎^1,2，堀越佳治^1,2
•  休憩　11:15～11:30
• 6(775)B InP基板上のInAlAs層表面のIn組成依存性愛媛大院理工 ^○宮田哲弥，光成佳篤，下村　哲
• 70.85μ帯InGaAs量子細線面発光レーザーの量子細線の作製における成長基板温度依存性愛媛大院理工 ^○梶谷昌司，尾坂浩太，下村　哲
• 8MOVPE選択成長法による高In供給下におけるInGaAsナノワイヤ形成と成長メカニズムの変化北大院情報科学¹，北大量集センター^{2 ○}小橋義典¹，佐藤拓也^1,2，原真二郎^1,2，福井孝志^1,2，本久順一¹
• 9窒素を導入したGaPナノワイヤの結晶成長及び光学特性物材機構¹，筑波大物理²，情報通信研究機構^{3 ○}舘林　潤¹，佐久間芳樹¹，池沢道男²，曽根良則²，落合雅幸¹，池田直樹¹，舛本泰章²，中尾正史³，杉本喜正¹，迫田和彰¹
• 10MOVPE選択成長法によるポリシリコン薄膜上のGaAsナノワイヤの作製と評価北大量子集積センター¹，シャープ^{2 ○}池尻圭太郎¹，冨岡克広¹，今井繁規²，福井孝志¹
• 11MBE-VLS法を用いた無触媒GaAs/InGaAs縦方向ヘテロ構造ナノワイヤ名大工 ^○白　知鉉，山口雅史，天野　浩
•  昼食　13:00～14:00

24p-BQ - 1～16

• 1GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドット成長における面内超高密度化電通大　先進理工 ^○船原一祥，太田　潤，山口浩一
• 2面内超高密度InAs量子ドット構造におけるキャリアの空間分離とその長寿命化電通大　先進理工 ^○太田　潤，山口浩一
• 3SiドープInAs量子ドットにおける非輻射再結合の抑制神戸大院工 ^○（P）井上知也，喜多　隆
• 4歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの作製とその光学特性徳島大院フロンティア ^○上山日向，高橋朋也，森田　健，北田貴弘，井須俊郎
• 5近接多層積層量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性神戸大院工 ^○池内佑一郎，麻田将貴，井上知也，原田幸弘，小島　磨，喜多　隆
• 6スペクトル形状制御可能な広帯域光源を目指した多色量子ドット成長(II) ～90度回転メタルマスクによる4色量子ドットのモノリシック成長～和歌山大シス工¹，NEC²，NIMS³，筑波大⁴，シェフィールド大^{5 ○}竹内晃一¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，杉本喜正³，浅川　潔⁴，Richard Hogg⁵
• 7GaAs/AlGaAs量子ドット太陽電池における二波長光吸収物材機構¹，筑波大^{2 ○}Martin Elborg^1,2，野田武司¹，間野高明¹，定　昌史¹，迫田和彰^1,2
• 8超多積層InGaAs量子ドット構造の作製と太陽電池応用産総研¹，東京都市大^{2 ○}菅谷武芳¹，沼上　理^1,2，古江重紀¹，天野　建¹，小森和弘¹，仁木　栄¹，岡野好伸²
•  休憩　16:00～16:15
• 9Biサーファクタントを用いたIn(Ga)As量子ドットのMOVPE成長と評価V弘前大¹，ＮＴＴ物性基礎研^{2 ○}岡本　浩¹，鈴木聡一郎¹，舘野功太²，俵　毅彦²，後藤秀樹²，鎌田英彦²，寒川哲臣²
• 10GeOI-on-Si基板上InAs量子ドットのMOCVD成長東大ナノ量子機構¹，CEA-LETI-Minatec, France^{2 ○}Rajesh Mohan¹，Stephane Faure¹，西岡政雄¹，Emmanuel Augendre²，Laurent Clavelier²，Denis Guimard¹，荒川泰彦¹
• 11GaP基板上へのGaInPバッファ上GaInAs量子ドット成長東工大精研 ^○田辺　悟，西尾　礼，小林由貴，宮本智之
• 12Ga_xIn_1-xAsセカンドキャップ層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットの発光特性および形状上智大理工 ^○岩根優人，三枝知充，廣岡雅人，川島史裕，小冷亮太，下村和彦
• 13In-flush法によるInAs/GaAs量子ディスクの作製と発光特性評価北大電子研¹，北大GCOE²，JST-CREST^{3 ○}桜井誠也¹，小田島聡^1,2，末宗幾夫^1,3
• 14走査電子顕微鏡を用いた半導体量子ドット構造の観察首都大SD¹，情通機構^{2 ○}菅原宏治¹，田之上文彦¹，赤羽浩一²，山本直克²
• 15InAs量子ドット形成におけるRHEED強度変化の観察豊田工大 ^○下村憲一，白坂健生，David Tex，神谷　格
• 16Droplet epitaxyによるInナノ電極の形成とその導電性豊田工大 ^○賀数広海，神谷　格

25a-BQ - 1～12

• 1MOCVD成長InP/InGaAs HBTにおけるV族およびSiドーパント材料の影響福井大院工¹，オプトランス^{2 ○（D）}横浜秀雄^1,2，塩島謙次¹，荒木賀行²
• 2TEM法による超格子の層厚変調のメカニズムの解析名大¹，大同大^{2 ○}金　秀光¹，中原弘貴¹，斎藤　晃¹，坂　　貴²，宇治原徹¹，田中信夫¹，竹田美和¹
• 3In_xGa_(1-x)PのMOVPEにおけるin situ曲率観察による組成決定東大先端研¹，東大院工^{2 ○}渡辺健太郎¹，Hassanet Sodabanlu²，Shaojun Ma¹，杉山正和²，中野義昭¹
• 4InGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸におけるウェハー曲率その場測定とシミュレーション東大院工¹，東大先端研^{2 ○（D）}馬　少駿¹，ハッサネット ソダーバンル²，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭^1,2
• 5In situウエハ曲率観察とXRDによるInGaAs/GaAsP歪み補償多重量子井戸の構造決定東大先端研¹，東大院工^{2 ○}ハッサネット ソダーバンル¹，馬　少駿²，渡辺健太郎¹，杉山正和²，中野義昭^1,2
• 6Selective MOCVD Growth of Ridge-Shaped AlGaInP/GaInP Quantum Well on Patterned GaAs Substrates産総研 Guo-Dong Hao，^○王　学論
•  休憩　11:00～11:15
• 7MOCVD法によるGaP基板上GaAsP3重量子井戸の成長特性と発光評価東工大精研 ^○小林由貴，田辺　悟，西尾　礼，宮本智之
• 8B源に電子ビーム蒸着を用いたBGaPのMBE成長豊橋技科大工¹，ISSRC^{2 ○}浦上法之¹，深見太志¹，関口寛人¹，岡田　浩^2,1，若原昭浩^1,2
• 9MOCVD法によるGaP基板上GaNAsP/GaP量子井戸の成長と発光特性東工大 ^○西尾　礼，田辺　悟，小林由貫，宮本智之
• 10MBE成長したAlGaPN混晶のN組成制御豊橋技科大工¹，ISSRC^{2 ○}河合　剛¹，山根啓輔¹，熊谷啓助¹，関口寛人¹，岡田　浩^2,1，若原昭浩^1,2
• 11Si基板上GaPN/AlPN分布ブラッグ反射鏡の作製豊橋技科大工¹，ISSRC^{2 ○}熊谷啓助¹，小路耕平¹，河合　剛¹，山根啓輔¹，関口寛人¹，岡田　浩^1,2，若原昭浩^1,2
• 12p型不純物にCを用いたGaPN太陽電池の作製豊橋技科大工¹，ISSRC^{2 ○}河上貴仁¹，永本勇矢¹，関口寛人¹，岡田　浩^1,2，若原昭浩^1,2
•  昼食　12:45～14:00

25p-BQ - 1～15

• 1窒素デルタドーピングを用いたGaNAs量子井戸の窒素濃度制御物材機構¹，筑波大^{2 ○}間野高明¹，定　昌史¹，黒田　隆¹，Martin Elborg^1,2，野田武司¹，杉本喜正¹，迫田和彰^1,2
• 2GaInNAsのフォトニック結晶微小共振器レーザ向け利得媒質応用阪大工 ^○永友大士，久木田健太郎，後藤洋昭，中尾　亮，中野勝成，石川史太郎，近藤正彦
• 3窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性神戸大院工 ^○原田幸弘，久保輝宜，井上知也，小島　磨，喜多　隆
• 4GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価埼玉大院理工¹，東大物性研²，東大新領域³，東北大金研^{4 ○}高宮健吾¹，福島俊之¹，星野真也¹，八木修平¹，土方泰斗¹，望月敏光²，吉田正裕²，秋山英文²，窪谷茂幸³，片山竜二⁴，尾鍋研太郎³，矢口裕之¹
• 5GaInN_xAs/GaAs多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性早大理工¹，SINANO-CAS²，I. S. -CAS^{3 ○}中田大海¹，浅見健志¹，牛見健則¹，Shulong Lu²，Bian Lifeng²，Zhichuan Niu³，竹内　淳¹
• 6第一原理計算によるIII-V 族半導体の窒素ドープにおける光学的性質の解析横河電機¹，千葉大^{2 ○}石川真人¹，中山隆史²
• 7Ga(In)NAs 系における発光ピークの温度変化の起源-その２阪大産研¹，阪大工院^{2 ○}江村修一¹，石川史太郎²，近藤正彦²，朝日　一¹
• 8窒素原子層を用いたIII-V 族半導体量子構造阪大院工 ^○石川史太郎，森藤正人，古瀬慎一朗，角谷健吾，近藤正彦
•  休憩　16:00～16:15
• 9微傾斜Ge(001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長東大新領域¹，チュラロンコン大^{2 ○}上杉謙次郎¹，菊地健彦¹，クァン トゥ ティユ¹，王　彦哲¹，窪谷茂幸¹，サクンタム サノーピン²，尾鍋研太郎¹
• 10InP基板上にMBE成長したInGaAsN層の赤外吸収特性大阪府大 先端科学イノベーションセンター¹，住友電気工業 伝送デバイス研究所² 大前賢太郎¹，三浦広平²，猪口康博²，^○河村裕一¹
• 11理想的 GaAsN における Ga-N 結合の切断と原子位置の変位豊田工大 ^○（PC）池田和磨，小島信晃，大下祥雄，山口真史
• 12熱力学解析によるGaAsN成長における原料ガスの違いによる影響の検討九大応力研¹，九大院工²，農工大工^{3 ○（PC）}川野　潤¹，寒川義裕^1,2，屋山　巴²，柿本浩一^1,2，纐纈明伯³
• 13水素吸着したGaAs(N)表面における窒素取り込み九大応力研 ^○（PC）川野　潤，寒川義裕，柿本浩一
• 14重水素置換原料によるGaAsN中N-H結合起源の検討豊田工大 ^○和田　卓，田中友博，稲垣　充，池田和磨，小島信晃，大下祥雄，山口真史
• 15GaAsNの電子移動度低減の起源に関する研究豊田工大 ^○（D）稲垣　充，木村駿介，池田和磨，小島信晃，大下祥雄，山口真史

26a-BN - 1～10

• 1InGaAs/GaAs(001)成長中におけるその場3次元逆格子マッピングの回折強度変化宮崎大¹，豊田工大²，原子力機構^{3 ○}鈴木秀俊¹，佐々木拓生²，高橋正光³，藤川誠司³，大下祥雄²，山口真史²
• 2傾斜組成InxGa1-xAs/GaAs(001)層のリアルタイム構造解析豊田工大¹，宮崎大²，原子力機構^{3 ○}佐々木拓生¹，鈴木秀俊²，高橋正光³，藤川誠司³，大下祥雄¹，山口真史¹
• 3DLTS法によるGaAs_1-xBi_x結晶中の点欠陥評価京都工繊大電子システム ^○冬木琢真，柏山祥太，山田和弥，尾江邦重，吉本昌広
• 4GaAs_1-xBi_x/GaAs ヘテロ接合界面の急峻性の熱処理による変化京都工繊大電子システム ^○富永依里子，尾江邦重，吉本昌広
• 5GaAs基板上のAlAsBi/AlAs超格子のMBE成長と基板温度およびAs圧依存性愛媛大院理工 ^○田中佐武郎，石川智貴，下村　哲
•  休憩　10:30～10:45
• 6AlGaAs/ AlAsタイプII量子井戸のMBE成長とAl組成依存性愛媛大・院理工 ^○谷　勇気，下村　哲，三谷善平
• 7構造非対称性によるInGaAs/AlAsSb結合量子井戸のサブバンド間遷移光吸収特性の変化産総研 ^○牛頭信一郎，物集照夫，石川　浩
• 8(111)B GaAs低角入射マイクロチャンネルエピタキシーに与えるAs圧の効果名城大 ^○白井優也，大澤佑来，長江祐基，岩月剛徳，成塚重弥，丸山隆浩
• 9表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長富山大 ^○中山幸二，中谷公彦，安井雄一郎，Sara Khamaseh，森　雅之，前澤宏一
• 10液滴エピタキシにより作製したGaAs量子ドットの電流注入発振物材機構 ^○（PC）定　昌史，間野高明，迫田和彰