15. 結晶工学

27a-BQ - 1～11

• 1ビスエチルシクロペンタジニエルバナジウムを用いたV添加ZnSe膜の作製と評価中部大 ^○山下将和，田橋正浩，飯沼健司，後藤英雄，高橋　誠，井戸敏之
• 2シャッター制御による混晶組成制御と多重量子井戸構造の作製山梨大　電気電子システム工学専攻 ^○（M2）深澤左興，菱川正夫，岩崎文昭，輿石　渓，米山貴裕，村中　司，鍋谷暢一，松本　俊
• 3Zn-Cd-Mn-Se系DQWの光学的特性と構造評価(2)山梨大医学工学総合研究部 ^○岩崎文昭，菱川正夫，深澤左興，米山貴裕，村中　司，鍋谷暢一，松本　俊
• 4Evaluation of influence by superimposed voltage of ZnMgTe/ZnTe waveguide早大・電生¹，早大・材研^{2 ○}熊谷裕輝¹，安藤佳祐¹，中村　玄¹，長谷川輝¹，小林正和^1,2
• 5有機‐無機(ワイドギャップ)半導体ハイブリッド構造による紫外PIN・APDの開発鳥取大工 ^○稲垣雄介，谷　達矢，胡　匡洋，田中　健，大槻真史，坪内光寿，阿部友紀，笠田洋文，安東孝止
• 6MOVPE法による大面積CdTeX線･γ線画像検出器に関する研究(X) ～アレイ型検出器の暗電流低減及び高性能化への検討(I)～名工大院工 ^○舘　忠裕，藤村直也，江川　鍛，小川博久，後藤達彦，福田浩幸，安田和人，土用下尚外，Madan Niraula，安形保則，犬塚博章
• 7MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(X)～アレイ型検出器の暗電流低減および高性能化への検討(II)～名工大院工 ^○藤村直也，江川　鍛，小川博久，後藤達彦，土用下久外，福田浩幸，犬塚博章，舘　忠裕，安形保則，マダン ニラウラ，安田和人
• 8Al熱拡散を用いたZnTeホモ接合太陽電池の作製と評価佐賀大院工¹，JSTさきがけ²，LBNL^{3 ○（M1）}草場修平¹，田中　徹^1,2，斉藤勝彦¹，郭　其新¹，西尾光弘¹，Kin Man Yu³，Wladek Walukiewicz³
• 9Alイオン注入ZnOバルク単結晶の低抵抗化の起源法政大¹，大阪教育大²，産総研^{3 ○}尾賀孝宏¹，井澤佑介¹，栗山一男¹，串田一雅²，木野村淳³
• 10ZnOナノロッド成長と光電特性評価静岡大電子研 ^○Navaneethan Mani，Archana Jayaram，Arivanandhan Mukannan，Tadanobu Koyama，Yasuhiro Hayakawa
• 11エチレンジアミン添加ZnSeナノシートの合成と特性評価静岡大電子研¹，SRM大^{2 ○}Archana Jayaram¹，Navaneethan Mani¹，Yasuhiro Hayakawa¹，Ponnusamy Suruttaiyaudaiya²²，Muthamizhchelvan Chellamuthu²
•  昼食　11:45～12:45

27p-BQ - 1～4

• 0
• 1GaP (001)上のZnS MBE初期成長層のX線回折逆格子マップによる評価鳥取大工 山内昭佳，西垣昭徳，^○市野邦男
• 2MBE成長したZnTeO混晶の構造および光学特性山梨大院医工 ^○平松和也，鍋谷暢一，村中　司，松本　俊
• 3局在準位を有する半導体ZnTeO混晶の光導電性評価山梨大医工 ^○三枝直樹，鍋谷暢一，村中　司，松本　俊
• 4酸素イオン注入により形成したZnTeOの光学特性佐賀大院工¹，JSTさきがけ²，LBNL^{3 ○}田中　徹^1,2，草場修平¹，斉藤勝彦¹，郭　其新¹，西尾光弘¹，Kin Man Yu³，Wladek Walukiewicz³