14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

24a-KW - 1～11


• 1Cu₂ZnSnS₄ナノ粒子による薄膜作製早大・先進理工¹，早大・材研^{2 ○}浜口紗也子¹，野岡ゆかり¹，小林正和^1,2
• 2カルコパイライト型半導体ZnSnP₂のバルク結晶作製京大工¹，ＪＳＴさきがけ^{2 ○}野瀬嘉太郎^1,2，宇田哲也¹
• 3薄膜太陽電池用ボロンドープシリコンナノ粒子の構造評価電機大工¹，ボローニャ大²，NIMS^{3 ○}瀧上泰則¹，佐藤慶介²，平栗健二¹，深田直樹³
• 4局所的なポテンシャル変調による3次元超格子の電子状態調整阪大工¹，JST CREST² 高橋浩樹¹，^○三成英樹^1,2，森　伸也^1,2
• 5量子井戸挿入p-i-n太陽電池の光電変換特性に対するバックグラウンドドーピングの影響東大先端研¹，東大院工^{2 ○（D）}文　　瑜¹，王　云鵬¹，杉山正和²，中野義昭¹
• 6中間バンド型太陽電池用積層量子ドット構造の電子状態の解析神戸大院工 ^○森垣亮祐，相馬聡文，小川真人
•  休憩　10:30～10:45
• 7中間バンド型量子ドット太陽電池のデバイスシミュレーション(III)東大院工¹，東大先端研²，筑波大^{3 ○}吉田勝尚^1,2，岡田至崇^1,2，佐野伸行³
• 8面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用電通大　先進理工 ^○藤田浩輝，山本和輝，江口陽亮，山口浩一
• 9太陽電池応用に向けた高密度量子ドット導電薄膜の検討横浜国大工¹，理研^{2 ○}重久龍太郎¹，田中健裕¹，中嶋聖介²，向井剛輝¹
• 10量子ドット太陽電池の最大理論変換効率 ～Luque の限界(63%)を超えるナノ構造～東大ナノ量子機構¹，シャープ² 荒川泰彦¹，^○野澤朋宏^1,2
• 11Si ダイレクトドーピングをした積層量子ドットの中間バンド型太陽電池への応用II東大院工¹，東大先端研²，筑波大院　数理物質³，神戸大院工^{4 ○}森岡孝之^1,2，庄司　靖^2,3，大島隆治^1,2，井上知也⁴，喜多　隆^2,4，岡田至崇^1,2

24p-BU - 1～14


• 1X電子伝導を用いたAlAs/GaAs超格子構造太陽電池の提案早大高等研¹，NTT物性基礎研²，早大理工³，早大材研⁴，JST-CREST^{5 ○}河原塚篤^1,3,4,5，小野満恒二²，堀越佳治^3,4,5
• 2InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池吸収層でのキャリア再結合損失評価宮崎大工¹，東京大工^{2 ○}相原健人¹，福山敦彦¹，碇　哲夫¹，王　云鵬²，杉山正和²，中野義昭²
• 3集光応用を目指したIII-Vモノリシック集積直列接続太陽電池の試作東大工¹，東大先端研^{2 ○}山田雄吾¹，渡辺健太郎²，肥後昭男²，杉山正和¹，中野義昭²
• 4AlGaAs/GaAs超格子太陽電池における励起子吸収早大理工¹，JST CREST²，NTT BRL^{3 ○}西永慈郎^1,2，河原塚篤^1,2，小野満恒二³，プローク クラウス^1,2，堀越佳治^1,2
• 5InGaAs/GaAsP歪み補償超格子セル東大先端研¹，東大院工^{2 ○（P）}王　云鵬¹，文　　瑜¹，杉山正和²，中野義昭¹
• 6InGaN/Si 2接合タンデム太陽電池の出力特性シミュレーション福井大院工¹，NTTフォトニクス研² A. G. Bhuiyan¹，^○杉田憲一¹，三上達也¹，橋本明弘¹，山本あき勇¹，重川直輝²
• 7MOCVD成長したSi基板上InGaN系太陽電池NTTフォトニクス研¹，福井大院工^{2 ○}渡邉則之¹，横山春喜¹，重川直輝¹，杉田憲一²，山本あき勇²
•  休憩　14:45～15:00
• 8高効率GaAs/CIGSe系メカニカル多接合太陽電池の検討東理大理工¹，産総研^{2 ○}征矢隼人¹，古川昭雄¹，牧田紀久夫²，小牧弘典²，反保衆志²，古江重紀²，石塚尚吾²，山田昭政²，柴田　肇²，菅谷武芳²，松原浩司²，仁木　栄²
• 9MOVPE選択成長法によるInPナノワイヤアレイ太陽電池の作製北大院情報科学及び量集センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}吉村正利¹，冨岡克広^1,2，中井栄治¹，福井孝志¹
• 10集光型太陽電池用アクリルおよびガラスレンズへの砂摩耗の影響宮大工 ^○池松顕一，太田靖之，西岡賢祐
• 11印刷法によるCu2Te太陽電池の作製兵庫県立大 ^○伊藤省吾，ドイコン ニューエン
• 12SiO₂微小粒子の自己配列を利用した3次元反射防止誘電体構造東大工¹，東大先端研^{2 ○}浜本　寧¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，肥後昭男²，中野義昭²
• 13Cu₂O系PVの作製に向けたオーバーオールプラズマプロセスの準備実験茨城大 ^○佐藤直幸，森口琢也，春田悠喜，相田拓也，池畑　隆
• 14Cu/Cu₂O型PVの合成に向けたECRプラズマ照射によるCu基板の酸化実験茨城大院理工 ^○森口琢也，春田悠喜，相田拓也，池畑　隆，佐藤直幸

26a-BT - 1～11


• 1Cu₂SnS₃薄膜太陽電池の作製長岡高専 小池惇平，知野広太郎，^○荒木秀明，神保和夫，片桐裕則
• 2SnS薄膜の硫化成長過程の検討東理大 総研/理工 ^○平野卓三，吉田桂人，清水　翼，杉山　睦
• 3SnS薄膜の低温硫化成長東理大 総研/理工 ^○吉田桂人，平野卓三，清水　翼，杉山　睦
• 4SnS薄膜に対する電極の電気特性と理論検討東理大 総研/理工 ^○清水　翼，平野卓三，吉田桂人，杉山　睦
• 5電気化学堆積法によるCZTSO薄膜の製作名工大 ^○（M2）楊　　凱，市村正也
• 6Cu₂ZnSn(Sx Se1-x)₄単結晶の作製宮崎大工¹，三重大工^{2 ○}永岡　章¹，吉野賢二¹，三宅秀人²
•  休憩　10:30～10:45
• 7CZTS化合物ターゲットを用いた薄膜太陽電池の作製長岡高専¹，科学技術振興機構　CREST^{2 ○（B）}中村竜太¹，神保和夫¹，片桐裕則^1,2
• 8NiSi₂薄膜を裏面電極に用いたCu₂ZnSnS₄薄膜太陽電池長野高専¹，信州大工^{2 ○}百瀬成空¹，中沢宏紀¹，祢津真喜人¹，湯田坂卓人¹，櫻井一輝²，Than Htay Myo²，橋本佳男²，伊東謙太郎²
• 9金属積層プリカーサ硫化法を用いたCu₂ZnSnS₄薄膜の成長過程における構成元素の振る舞い信州大工¹，アスリートFA²，長野高専³ 石橋加津彦¹，^○Than Htay Myo¹，石口　寛¹，中村義博^1,2，百瀬成空³，岩野翔太¹，橋本佳男¹，伊東謙太郎¹
• 10有機薄膜を界面層に用いたCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製香川高専¹，長岡技大²，大阪大先端センター^{3 ○（B）}石川朋希¹，石川和稔¹，森宗太一郎¹，田中久仁彦²，打木久雄²，梶井博武³，大森　裕³
• 11Inフリー太陽電池材料Ag₂ZnSnSe₄の合成と禁制帯幅の評価龍谷大理工 ^○田端隆博，前田　毅，中村哲士，和田隆博
•  昼食　12:00～13:00

26p-BT - 1～18

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  第一原理計算によるInフリー太陽電池材料Cu₂ZnSnS₄および関連化合物の格子欠陥の評価龍谷大理工 ^○前田　毅，中村哲士，和田隆博
• 2第一原理計算によるInフリー太陽電池材料Ag₂ZnSnSe₄の評価龍谷大理工 ^○中村哲士，前田　毅，田端隆博，和田隆博
• 3電着法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製阪大太陽エネ化学研セ ^○（M1）家倉峰雄，八木哲郎，原田隆史，池田　茂，松村道雄
• 4リフトオフ法を用いたCuInS₂層の引き剥がしとスーパーストレート型太陽電池への応用立命館大R-GIRO¹，立命館大理工²，立命館大SRセンター^{3 ○}阿部泰宏¹，長田晋太郎²，深水昇平²，小田雄介¹，峯元高志¹，中西康次³，太田俊明³，高倉秀行²
• 5反応性スパッタ法によるCuInS2薄膜における基板温度および反応性ガス供給方法に対する特性変化新潟大自然研¹，新潟大工²，新潟大超域^{3 ○}川田孝平¹，坪井　望^2,3
• 6メカノケミカル法を用いたCuInS₂結晶の合成条件の検討都城高専 ^○徳留勇樹，中村美和，森茂龍一，赤木洋二
• 7真空蒸着法を用いたSb添加Cu-In-S薄膜における熱処理の影響都城高専¹，津山高専²，石川高専³，宮崎大工^{4 ○}山角師之¹，赤木洋二¹，中村重之²，瀬戸　悟³，吉野賢二⁴
• 8ジターシャリブチル硫黄を用いたCuInS2薄膜の硫化成長東理大　総研/理工¹，上海交通大²，東北大^{3 ○}柳　効輝^1,2，藤原千佳¹，庄司竜輝¹，竇　暁鳴²，杉山　睦¹，秩父重英³
• 9攪拌機を用いたCuInS₂ 多孔質結晶の合成 (II)都城高専¹，都城高専^{2 ○}北野信也¹，赤木洋二²
•  休憩　15:15～15:30
• 10Cu-Ga-Seディフェクトカルコパイライト薄膜の光電気化学特性東大院工 ^○嶺岸　耕，ジェホン キム，久保田純，堂免一成
• 11Mn添加されたAgInS₂のフォトルミネセンス千葉工大¹，ナイキスト²，大府大院工³，宮崎大^{4 ○}宮本生人¹，瀬尾拓也¹，大谷尚貴¹，本庄一裕²，枕　用球³，徳田剛大⁴，吉野賢二⁴，脇田和樹¹
• 12Ag(InGa)Se₂薄膜太陽電池におけるAg/(In+Ga)比依存性東工大 ^○張　険峰，小林　剛，山田　明
• 13ワイドギャップCu(In,Al)S₂薄膜の成膜温度と結晶成長立命館大 ^○小田雄介，濱崎亮介，深水昇平，山元昭人，峯元高志，高倉秀行
• 14THM成長CuInSe₂単結晶中のNa添加効果宮崎大工¹，三重大工^{2 ○}永岡　章¹，吉野賢二¹，三宅秀人²
• 15印刷/高圧焼結法によるSb添加Cu(In,Ga)Se₂膜の作製龍谷大理工 ^○泉太一郎，藤本洸生，和田隆博
• 16スプレー熱分解法を用いたCu(In,Ga)S₂薄膜の作製阪大太陽エネ化学研セ ^○野々垣翠，八木哲郎，原田隆史，池田　茂，松村道雄
• 17短時間でのセレン化によるCuInSe₂薄膜の結晶成長立命館大¹，住友金属鉱山^{2 ○}堤　圭司¹，峯元高志¹，柳沼希世史²，鵜澤幸一²，幕田富士雄²，高倉秀行¹
• 18Cu(In,Ga)Se₂膜の結晶構造におよぼすジメチルセレンを用いたセレン化の効果中部大工¹，宮崎大工^{2 ○（M1）}飯沼健司¹，田橋正浩¹，後藤英雄¹，吉野賢二²，高橋　誠¹，井戸敏之¹

27a-BT - 1～11


• 1RHEEDによるCuGaSe₂MBE成長の最適化早大理工¹，CREST^{2 ○（P）}藤田実樹^1,2，佐藤友博¹，北田　剛¹，堀越佳治^1,2
• 2RFスパッタ法によるNa添加CIGS膜の作製宮崎大工¹，三菱マテリアル^{2 ○}徳田剛大¹，関　光秀¹，永岡　章¹，吉野賢二¹，三関賢一郎²，森　理恵²，張　守斌²，銅直成雄²
• 3リフトオフ法によるひび割れを抑制したCu(In,Ga)Se₂層の移乗と太陽電池作製への応用立命館大R-GIRO¹，立命館大理工^{2 ○}阿部泰宏¹，峯元高志¹，長田晋太郎²，高倉秀行²
• 4フレキシブル金属基板上に作製した集積型CIGS太陽電池富士フイルム¹，産総研^{2 ○}南宮麻紀¹，森脇健一¹，祐谷重徳¹，大郷　毅¹，石塚尚吾²，仁木　栄²
• 5CIGS薄膜及びセル特性に及ぼすアンチモン添加効果青山学院大 ^○保西祐弥，八ッ代雄太，三瀬貴寛，中田時夫
• 6ポリイミド箔を用いたフレキシブルCIGS薄膜太陽電池青山学院大院 ^○井上　拓，倉石　卓，三瀬貴寛，中田時夫
•  休憩　10:30～10:45
• 7IZOスパッタ膜の作製とCIGS太陽電池への応用青山学院大院 ^○岡村洋平，佐藤　光，三瀬貴寛，中田時夫
• 8CIGS 太陽電池の窓層に向けたIZO 薄膜の優位性 (II)東理大 総研/理工¹，出光興産^{2 ○}松本靖弘¹，藁澤　萌¹，山崎千鶴¹，海上　暁²，杉山　睦¹
• 9化学溶液析出法によるZn(O,S)薄膜の局所構造に及ぼす加熱の影響豊橋技科大¹，大阪立工研²，産総研太陽光^{3 ○}草野雄也¹，杉山真也¹，笹野順司¹，品川　勉²，仁木　栄³，伊崎昌伸¹
• 10スプレー熱分解法によるZnCuInS₂薄膜の作製パナソニック電工¹，産総研^{2 ○}山本輝明¹，根上卓之¹，松原浩司²，仁木　栄²
• 11ナノ粒子印刷法によるIn₂S₃バッファ層のCu(InGa)Se₂太陽電池への適用東工大¹，凸版印刷^{2 ○}張　毅聞^1,2，伊藤　学²，田村智晃¹，山田　明¹
•  昼食　12:00～13:00

27p-BT - 1～8

• 1PES/IPESによるIn-S系材料の電子構造評価鹿児島大¹，産総研^{2 ○}高八重太貴¹，野村和也¹，桐原彬喜¹，小原幸三¹，奥田哲治¹，仁木　栄²，寺田教男^{1, 2}
• 2CBD-Zn(S,O,OH) バッファ層の電子構造の評価 (II)鹿児島大¹，産総研²，豊橋技科大³，青学大^{4 ○}野村和也¹，高八重太貴¹，桐原彬喜¹，中田時夫⁴，伊崎昌伸³，仁木　栄²，寺田教男^1,2
• 3Cu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の宇宙実証実験結果宇宙機構 研開本部 ^○川北史朗，今泉　充，高橋真人，岐部公一
• 4PLマッピング法によるCIGS太陽電池プロセスの評価愛媛大工 ^○岩藤直貴，本田隼士，太田寛之，石原広一，前西隆一郎，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 5インピーダンス法によるCIGS 太陽電池の評価東理大理工 ^○山崎千鶴，廣瀬維子，板垣昌幸，杉山　睦
• 6カルコパイライト型半導体CuInS₂の線膨張係数の温度変化宮崎大工¹，三重大工^{2 ○}永岡　章¹，吉野賢二¹，三宅秀人²
• 7ラマン散乱分光法によるCu(In,Ga)Se2薄膜の異相評価筑波大¹，産総研^{2 ○}清水泰介¹，櫻井岳暁¹，山田昭政²，石塚尚吾²，松原浩司²，仁木　栄²，秋本克洋¹
• 8第一原理計算によるCuInSe₂及び関連化合物の各種結晶面の評価龍谷大理工 ^○繁實章夫，和田隆博