14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

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• 1Pnp AlGaN/InGaN/GaN DHBTsのベース層における発光再結合NTT物性研 ^○熊倉一英，牧本俊樹
• 2AlGaN/GaN HFET 電流コラプスの回復過程測定徳島大院ソシテク研 ^○（M1C）細川大志，黒田健太郎，井谷祥之，敖　金平，大野泰夫
• 3高InNモル分率GaInN-channel AlGaN/GaInN/GaN HFETの特性名城大・理工¹，名古屋大・院工²，名古屋大・赤崎記念研究センター^{3 ○}一木宏充¹，磯部康裕¹，榊原辰幸¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇¹，天野　浩^2,3
• 4GaInNチャネルHFETのバリア層の検討名城大・理工¹，名古屋大・院工²，名古屋大・赤崎記念研究センター^{3 ○}池田和弥¹，磯部康裕¹，一木宏充¹，堀尾尚史¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 5分極接合を用いたGaNスーパーHFETの作製・評価シェフィールド大¹，パウデック^{2 ○}中島　昭¹，住田行常²，Mahesh Dhyani¹，八木修一²，河合弘治²，Sankara Narayanan¹
• 6GaN/AlGaN/GaN分極接合構造ショットキーダイオードパウデック¹，シェフィールド大^{2 ○}八木修一¹，平田祥子¹，住田行常¹，河合弘治¹，中島　昭²，Narayanan E.M.Sankara²
• 7長距離GaN横方向成長基板を用いた縦型GaNダイオードパウデック ^○八木修一，平田祥子，住田行常，別所公博，河合弘治
• 8GaN及びSiCショットキバリアダイオードの理論解析産業技術総合研究所¹，明大^{2 ○（B）}南　智也^1,2，井手利英¹，長南紘志¹，清水三聡¹，三浦　登²
• 9非極性面GaN基板を用いたAlGaN/GaN HFET名城大・理工¹，名大・院工²，名大・赤崎記念研究センター³，阪大・院工^{4 ○}磯部康裕¹，一木宏充¹，榊原辰幸¹，安江友樹¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3，今出　完⁴，北岡康夫⁴，森　勇介⁴
• 10AlN基板上に作製したAlGaNチャネルHEMTエピ住友電工¹，シャープ²，金属系材料研究開発センター³，福井大⁴，名城大⁵，名古屋大^{6 ○}橋本　信¹，秋田勝史¹，山本喜之¹，矢船憲成^2,3，作野圭一²，徳田博邦⁴，葛原正明⁴，竹田健一郎⁵，岩谷素顕⁵，天野　浩⁶
• 11単結晶ダイヤモンド基板上に成長したAlGaN/GaN HEMTNTT物性基礎研 ^○平間一行，谷保芳孝，嘉数　誠
• 12低誘電率フレキシブル基板上InAs薄膜におけるキャリア再結合寿命北陸先端大¹，金沢大^{2 ○}滝田隼人¹，喜多哲平¹，赤堀誠志¹，飯山宏一²，鈴木寿一¹
• 13InAs HEMTの歪み効果に関するモンテカルロ解析東理大院基礎工 ^○（M1）町田史晴，佐藤　純，西野啓之，原　紳介，藤代博記
• 14GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETに関する研究東工大 ^○（B）藤松基彦，齋藤尚史，楠崎智樹，松本　豊，平井　準，宮本恭幸
• 15基板転写プロセスを用いたSi基板上InP/InGaAs SHBTの作製東工大理工¹，JST-CREST^{2 ○}山口裕太郎¹，佐賀井健¹，宮本恭幸^1,2
• 16InP/InGaAs DHBT におけるSiO2細線埋め込みによるベースコレクタ間容量の削減東工大 ^○武部直明，宮本恭幸
• 170.5μmエミッタInP HBTの高電流注入による電気的特性変動と半導体層劣化の観察NTTフォトニクス研究所 ^○深井佳乃，栗島賢二，柏尾典秀，井田　実
• 18デバイス発熱モニタ用放射率補正温度イメージング産総研 ^○山田善郎，石井順太郎

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• 1GaN HEMTにおけるゲートリークの解析三菱電機¹，東京工業大^{2 ○}大石敏之¹，大塚浩志¹，山中宏治¹，國井徹郎¹，南條拓真¹，中山正敏¹，平野嘉仁¹，宮本恭幸²
• 2ウルツ鉱構造GaNの衝突イオン化の理論計算福大工 ^○児玉和樹，徳田博邦，葛原正明
• 3フィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の解析（２）芝浦工大システム工 ^○小野寺啓，中島　敦，堀尾和重
• 4(NH₄)₂S処理によるAl₂O₃ AlGaN/GaN MOS FET特性の改善名大工¹，名大VBL^{2 ○}宮崎英志¹，岸本　茂^1,2，水谷　孝¹
• 5AlInN/GaN HEMT構造の作製評価名工大 ^○（M1）小笠原和弥，渡辺　新，江川孝志
• 6MOCVD成長により形成したAlN/GaN超格子バリア層を有するHJ-FETの電流コラプス特性産業技術総合研究所¹，太陽日酸^{2 ○}坂村祐一¹，川島宏幸¹，井手利英¹，清水三聡¹，朴　冠錫²，矢野良樹²，生方映徳²
• 7周期的溝構造を有するAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス評価北大情報科学¹，北大量集センター²，JST-CREST^{3 ○}大井幸多^1,2，橋詰　保^1,2,3
• 8デバイス構造がAlGaN/GaN HEMTsの電流コラプスに与える影響量集センター¹，北大情報科学²，JST-CREST³ Masafumi Tajima^1,2，^○Joel Asubar¹，Tamotsu Hashizume^1,2,3
• 9GaN HEMTにおける長時間バイアスストレス印加時の電流コラプスに関する評価名工大 ^○（B）常家卓也，永井一弘，分島彰男，江川孝志
• 10熱処理によるSiN/AlGaN/GaN MIS-HFETの電流コラプス改善新日本無線¹，名工大^{2 ○}脇　英司¹，伏見　浩¹，江川孝志²
• 11ECRスパッタ積層SiN/AlGaN/GaN MIS-HFETのDC特性新日本無線 ^○深澤義道，脇　英司，伏見　浩
• 12高耐圧GaN-HEMTのターンオフスイッチング評価東芝セミコンダクター社 ^○齋藤　渉，齋藤泰伸，藤本英俊，吉岡　啓，杉山　亨
• 13GaNパワーデバイスにおけるチャネル移動度の向上東芝研究開発センター ^○蔵口雅彦，湯元美樹，高田賢治，津田邦男
• 14ワイドギャップ半導体パワースイッチング素子の損失密度産総研先進ﾊﾟﾜｴﾚ ^○長南紘志，井手利英，清水三聡
• 15GaN-GIT双方向スイッチの等価回路モデル構築産総研 先進パワエレ¹，パナソニック^{2 ○}井手利英¹，清水三聡¹，森田竜夫²，上田哲三²，田中　毅²
• 16AlGaN/GaN HEMTのAlNスペーサ層厚依存性情報通信研究機構¹，富士通研^{2 ○}山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤　聡²，広瀬信光¹，三村高志^1,2
• 17MOCVD法による4inch Si基板上への高耐圧InAlN/GaN HEMTエピ構造の作製日本ガイシ¹，名工大^{2 ○}市村幹也¹，前原宗太¹，杉山智彦¹，角谷茂明¹，倉岡義孝¹，三好実人¹，田中光浩¹，江川孝志²
• 18AlGaN/GaN HEMTにおけるディープリセスゲート構造による容量低減三菱電機先端総研¹，三菱電機情報総研^{2 ○}今井章文¹，鈴木洋介¹，南條拓真¹，山中宏治²，吹田宗義¹，塩沢勝臣¹，阿部雄次¹，大石敏之²，柳生栄治¹，吉新喜市¹