14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

24a-KS - 1～11

• 1剥離層を用いたAg埋め込み半導体ピラー構造の作製と発光特性評価北大電子研¹，JST-CREST²，北大院理³，北大GCOE^{4 ○}飯島仁史¹，和田雅樹¹，中島秀朗¹，井田惣太郎¹，小田島聡^1,4，熊野英和^1,2，西尾　崇³，松尾保孝¹，居城邦治¹，末宗幾夫^1,2
• 2ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した半導体パターニング技術北大量集セ ^○今井雄大，岡崎拓行，佐藤威友
• 3化合物半導体量子ドット構造作製のためのPS-PMMAジブロック共重合体によるGaAsナノパターン基板作製プロセス名大院工¹，名大VBL^{2 ○}森岡晃太郎¹，元木和也¹，田渕雅夫²，竹田美和¹
• 4三次元集積化のための高精度チップ位置合わせと常温直接接合技術東北大院工¹，東北大院医工^{2 ○}岩田永司¹，福島誉史¹，李　康旭¹，田中　徹^1,2，小柳光正¹
• 5HMDS-SiNを鋳型として用いたT型ゲート電極の形成東北大通研 ^○赤川啓介，吉田智洋，尾辻泰一，末光哲也
•  休憩　10:45～11:00
• 6InP多孔質構造を利用した光電変換素子の検討北大量集セ ^○工藤智人，岡崎拓行，佐藤威友
• 7陽極酸化法によるInGaAs混晶半導体のポーラス構造の作製と評価東京農工大 ^○永山博一，山本　斉，森下義隆
• 8AlGaAsのアノード分極測定によるCDC地図の作成三菱電機先端総研¹，三菱電機波光電^{2 ○}寺田久美¹，佐々木肇²，瓦井久勝¹
• 9AFMを用いたGaAs表面上酸化物ナノ粒子の厚み分布解析豊田工大 ^○（P）山田郁彦，神谷　格
• 10窒素ラジカル処理によるInP表面準位密度分布の変化島根大¹，北大量集セ^{2 ○}吉田俊幸¹，橋詰　保²
• 11n-BPのオーミック電極に対するアニールの影響慶応大理工¹，湘南工科大^{2 ○}伊野裕司¹，岡部弘志¹，亀山和俊¹，片岡秀樹¹，藤野能久¹，松本　智¹，西村鈴香²，寺島一高²
•  昼食　12:30～13:30

24p-KS - 1～12

• 1n型GaN表面へのNi電解めっき膜形成における表面前処理の最適化首都大理工 ^○小山皓洋，中村成志，奥村次徳
• 2n型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥分布に対する付加照射紫外光の効果首都大理工 星野晃一，竹下浩司，^○中村成志，奥村次徳
• 3炭素ドーピングされたn-GaN中の深い準位の評価愛知工業大¹，福井大^{2 ○}山田悠二郎¹，横井将大¹，坂崎真司¹，石倉正也¹，塩島謙次²，徳田　豊¹
• 4サファイア基板、n⁺-GaN基板上MOCVD n-GaNのDLTS、MCTSによる比較研究愛知工大¹，豊田中研^{2 ○（M1）}柴田龍成¹，松村俊哉¹，徳田　豊¹，上田博之²，上杉　勉²，加地　徹²
• 5Ni/p-GaNショットキー電極におけるMgドーピング濃度依存性の評価福井大院工 ^○出店克顕，塩島謙次
• 6容量およびコンダクタンス測定によるSiO₂/p-GaN接合の界面評価名工大 ^○（B）岩田康宏，Freedsman Joseph，久保俊晴，江川孝志
•  休憩　15:00～15:15
• 7オン状態ストレス印加したAlGaN/GaNへテロ接合電界効果トランジスタの非局在化トラッピング効果北大量集センター ^○（P）胡　成余，橋詰　保，大井幸多，田島正文
• 8In ドープしたMOVPE 成長AlGaN 超薄膜内電界のXPS による評価北大量集セ¹，JST-CREST²，NTTフォトニクス研^{3 ○}赤澤正道^1,2，高　　博¹，橋詰　保^1,2，廣木正伸³，山幡章司³，重川直輝³
• 9硬X線光電子分光法によるAlGaN/GaN HEMTの表面状態解析住友電気工業¹，住友電工デバイス・イノベーション^{2 ○}荒谷　毅¹，駒谷　務²，河内剛志¹，斎藤吉広¹，和田　淳²，舘野泰範¹
• 10AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMT構造におけるトラップ準位の評価名工大 ^○久保俊晴，フリーズマン ジョセフ，セルバラージ ローレンス，江川孝志
• 11ALD-Al₂O₃/GaNおよびAl₂O₃/AlGaN構造の界面特性評価と制御北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○}堀　祐臣¹，水江千帆子¹，橋詰　保^1,2
• 12Al2O3/InAlN/AlGaN/AlN/GaN構造のC-V特性北大¹，JST-CREST²，NTTフォトニクス研究所^{3 ○}高　　博¹，赤澤正道^1,2，橋詰　保^1,2，廣木正伸³，山幡章司³，重川直輝³