14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

25a-KV - 1～11

• 1多重量子井戸太陽電池におけるI-V特性の励起強度依存性物材機構¹，豊田工大^{2 ○}Yi Ding¹，野田武司¹，間野高明¹，迫田和彰¹，榊　裕之^1,2
• 2発光スペクトルによるhigh-kゲート絶縁膜付きGaAs/AlGaAs量子井戸のゲート制御性評価筑波大院物質創成¹，NTT物性基礎研^{2 ○}森川　祐^1,2，野村晋太郎¹，山口真澄²，小野満恒二²，原田裕一²，赤崎達志²
• 3Si及びGe量子ドットの対称なバンド構造における非対称な電子・正孔励起エネルギー緩和京大院理¹，ワシントン大²，ロチェスター大^{3 ○}金　賢得¹，Angeline Madrid²，Oleg Prezhdo³
• 4半導体ナノワイヤアレイにおける光吸収北大院情報科学研究科¹，北大量子集積センター^{2 ○}本久順一¹，比留間健之^1,2，福井孝志^1,2
• 5量子ドット・ナノ共振器結合系における単一レーザ励起コヒーレント単一光子発生法の提案東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}都木宏之^1,2，太田泰友^1,2，Alexandre Enderlin¹，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 6GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子の磁気光学特性神戸大院工 ^○原田幸弘，久保輝宜，井上知也，小島　磨，喜多　隆
•  休憩　11:00～11:15
• 7重心運動閉じ込め励起子の量子ビートの生成と検出神戸大院工¹，徳大院工^{2 ○}大田翔平¹，小島　磨¹，喜多　隆¹，井須俊郎²
• 8GaAs/AlAs多層膜三結合共振器の面型波長変換素子への応用徳島大院フロンティア ^○北田貴弘，安長千徳，上山日向，森田　健，井須俊郎
• 9ウエハ接合により作製したGaAs/AlAs多層膜結合共振器徳島大院フロンティア¹，日亜化学^{2 ○}滝本隼主¹，加藤　翔¹，田中文也¹，中河義典^1,2，森田　健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹
• 10光学的に検出可能な状態密度不連続のフェルミ端共鳴東大院総合（駒場） ^○寺田陽祐，深津　晋
• 11一次元導体におけるポテンシャル変調の効果に関する理論的研究阪大 ^○（B）前田悠佑，森藤正人，近藤正彦
•  昼食　12:30～13:30

25p-KV - 1～20

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  電子スピン量子ビットに向けた少数電子シリコン量子ドットの実現東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³，東工大院理工⁴，東大生産研^{5 ○}小寺哲夫^1,2,3，堀部浩介¹，蒲原知宏¹，山端元音¹，内田　建⁴，荒川泰彦^2,5，小田俊理¹
• 2縦型pinダイオードを用いた面内電場による単一量子ドット発光の制御東大生研¹，東大ナノ量子機構²，上智大理工^{3 ○}田村悠悟¹，中岡俊裕^1,3，宮澤俊之²，斎藤敏夫^1,2，渡邉克之²，太田泰友^1,2，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 3自己集合半導体量子ドットでの光学異方性と発光の偏光状態変化北大工¹，北大院工^{2 ○}大野槙悟¹，鍜治怜奈²，足立　智²，武藤俊一²
• 4シリコン（Si）ナノディスクアレイ構造制御による高精度バンドギャップエネルギー制御東北大¹，慶應大²，JST-戦略的創造研究推進事業^{3 ○}ブディマン モハマド ファイルズ^1,3，黄　啓賢^1,3，五十嵐誠^1,3，磯田大河^2,3，伊藤公平^2,3，寒川誠二^1,3
• 5バイオテンプレートにより作製したＳｉナノディスクアレイの発光特性北大¹，東北大²，JST-戦略的創造研究推進事業^{3 ○}水島佳也¹，木場隆之^1,3，村山明宏^1,3，五十嵐誠^2,3，黄　啓賢^2,3，寒川誠二^2,3
• 6Siナノディスク2次元アレイにおけるピコ秒キャリアダイナミクス北大¹，東北大²，JST-戦略的創造研究推進事業^{3 ○}木場隆之^1,3，水島佳也¹，村山明宏^1,3，五十嵐誠^2,3，黄　啓賢^2,3，寒川誠二^2,3
• 7Siナノディスク構造におけるPL特性の界面状態依存性東北大¹，北大²，JST-戦略的創造研究推進事業^{3 ○}五十嵐誠^1,3，田村洋典¹，木場隆之^2,3，水島佳也²，黄　啓賢^1,3，村山明宏^2,3，寒川誠二^1,3
• 8SiC/Si量子ナノディスク構造の作製とその特性東北大¹，JST-戦略的創造研究推進事業^{2 ○}五十嵐誠^1,2，田村洋典¹，黄　啓賢^1,2，寒川誠二^1,2
• 9Investigation of Miniband Formation in Two-Dimensional Array of Silicon Nanodisk東北大¹，東大²，奈良先端大³，JST-戦略的創造研究推進事業^{4 ○}Chi-Hsien Huang^1,4，海津利行^2,4，五十嵐誠^1,4，岡田義隆^2,4，山下一郎^3,4，寒川誠二^1,4
• 10Fabrication of Two-dimensional Array of Sub-10nm GaAs Nanodisk by Bio-template Neutral Beam Etching Process東北大¹，奈良先端大²，東大³，JST-戦略的創造研究推進事業^{4 ○}王　宣又^1,4，Chi-Hsien Huang^1,4，塚本里佳子^2,4，海津利行^3,4，山下一郎^2,4，岡田義隆^3,4，寒川誠二^1,4
•  休憩　16:00～16:15
• 11時間分解ポンププローブ反射計測による高均一 InAs 量子ドットのスピン緩和の観測早大先進理工¹，電通大先進理工^{2 ○}笹山和俊¹，太田　潤²，貫井貴夫¹，中西奏太¹，山口浩一²，竹内　淳¹
• 12PVKまたはPMMA層に埋め込まれたCdTeナノ粒子の時間分解フォトルミネッセンス測定早大先進理工¹，漢陽大²，亞洲大^{3 ○}中西奏太¹，Dong-Yeol Yun²，Tae-Whan Kim²，Sung-Woo Kim³，Sang-Wook Kim³，貫井貴夫¹，笹山和俊¹，竹内　淳¹
• 13ナノクリスタルSiにおける量子閉じ込め効果のラマン分光測定明大¹，豊田工業大^{2 ○}水上雄輝¹，小瀬村大亮¹，沼澤陽一郎¹，大下祥雄²，小椋厚志¹
• 14結合DQW構造におけるスピン偏極励起子発光の動特性山梨大　電気電子システム工学専攻 ^○（M2）菱川正夫，深澤左興，岩崎文昭，村中　司，鍋谷暢一，松本　俊
• 15室温におけるPドープSiナノ結晶集合体の光伝導特性甲南大理工¹，関西大システム理工^{2 ○}寺嶋　秀¹，小泉亮太¹，稲田　貢²，齊藤　正²，梅津郁朗¹，杉村　陽¹
• 16Si上のInGaAsナノワイヤサラウンディングゲートトランジスタ北大院情報科学、量子集積センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}冨岡克広^1,2，吉村正利¹，本久順一¹，原真二郎¹，比留間健之¹，福井孝志¹
• 17Si/InAsヘテロ接合を用いたナノワイヤトンネルFET北大院情報科学、量子集積センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}冨岡克広^1,2，福井孝志¹
• 18InPナノワイヤにおけるアニール工程無しのオーミック接触形成NTT物性基礎研 ^○Guoqiang Zhang，齊藤志郎，舘野功太，後藤秀樹，寒川哲臣
• 19機械振動２準位系におけるパラメトリックポンピングＮＴＴ物性基礎研 ^○岡本　創，Imran Mahboob，小野満恒二，山口浩司
• 20GaAs/AlGaAs微小機械振動子の遠隔高周波励振NTT物性科学基礎研究所 ^○畑中大樹，Imran Mahboob，山口浩司

26a-KV - 1～11

• 1Wurtzite 結晶構造 InAsP量子ドット/InPナノワイヤのVLS成長の検討NTT物性基礎研 ^○舘野功太，Guoqiang Zhang，後藤秀樹，寒川哲臣
• 2InAsナノワイヤースピントランジスタの作製プロセス北大量集センター ^○崔　志欣，石倉丈継，鈴木健司，小西敬太，バブ J.バベシュ，陽　完治
• 3GaAs基板A面上のInAsナノワイヤを用いたスピンダイオードの作製北大量集 ^○鈴木健司，崔　志欣，石倉丈継，Babu J. Bubesh，陽　完治
• 4シリサイドバッファ層を用いたSi基板上弗化物ヘテロ構造の成長東工大総理工 ^○萱沼良介，林　優士，齊藤　昇，高橋慶太，筒井一生
• 5Ge基板上の弗化物絶縁膜へのSrF₂層導入による電流リーク制御東工大総理工 ^○高橋慶太，林　優士，萱沼良介，齊藤　昇，筒井一生
•  休憩　10:45～11:00
• 6CoSi₂上弗化物共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の作製と特性評価東工大院総理工 ^○仲正路友康，瓜生和也，渡辺正裕
• 7CVD成長したGaN_1-xO_yナノワイヤの形状と酸素含有量の関係北大総合化学院¹，北大院工^{2 ○（M1）}早坂浩昭¹，清野　肇²，米澤　徹²，島田敏宏²
• 8SPM陽極酸化によって作製する量子ドット位置制御のためのシリコン・テンプレート横浜国大院工 ^○山本翔平，向井剛輝
• 9Nanostructures based on engineered silicon nanocrystal surface produced by DC microplasma and ns pulsed laser processing in liquid solutions産業技術総合研究所¹，ウルスター大^{2 ○}Vladimir Svrcek¹，Davide Mariotti²，Michio Kondo¹
• 10スパッタ法による平坦Ge擬似基板を用いたSi/Ge RTDの作製東京農工大　院工¹，情報通信研究機構^{2 ○}花房宏明¹，広瀬信光²，笠松章史²，三村高志²，松井敏明²，須田良幸¹
• 11Reflection effect of SAW single electron pump(II)東京農工大¹，英国物理学研究所^{2 ○（PC）}掛本博文¹，片岡真哉²
•  昼食　12:30～13:30

26p-KV - 1～19

• 1量子ドット広帯域光ゲインによる外部共振器型波長可変光源の開発電機大工¹，情報通信研^{2 ○}吉岡佑毅¹，山本直克²，赤羽浩一²，川西哲也²，高井裕司¹
• 2InP(001)基板上へのGaAsSb/AlAsSb DBRの作製と多重積層量子ダッシュキャビティ構造情通機構 ^○赤羽浩一，山本直克
• 3多層積層量子ドットにおける偏光特性の励起光強度依存性神戸大院工¹，情通機構^{2 ○}田中秀治¹，小島　磨¹，喜多　隆¹，赤羽浩一²
• 4InGaAs量子ドットのInAs埋込による偏光対称性制御と温度依存性横国大工 ^○菊島浩介，田中健裕，向井剛輝
• 5量子ドット発光制御のための可動式マイクロキャビティの検討横国大工 ^○川井洋介，向井剛輝
• 6Si/SiGe量子ドット作製に向けたPdトップゲート動作点の低電圧化東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³，東大工⁴，東京都市大総研⁵，東工大院理工^{6 ○}福岡佑二¹，小寺哲夫^1,2,3，大塚朋廣⁴，武田健太⁴，小幡利顕⁴，吉田勝治⁴，澤野憲太郎⁵，内田　建⁶，白木靖寛⁵，樽茶清悟^2,4，小田俊理¹
• 7位置制御InAs 量子ドットの成長とその光学的特性IIS, Univ. of Tokyo¹，INQIE, Univ. of Tokyo²，CREST-JST^{3 ○}堀内　功¹，車　圭晩¹，柴田憲治¹，野村政宏¹，平川一彦^1,2,3
• 8ナノギャップ電極に結合した位置制御単一InAs量子ドットの伝導特性IIS¹，INQIE²，CREST-JST^{3 ○（D）}車　圭晩¹，柴田憲治¹，堀内　功¹，平　将人¹，平川一彦^1,2,3
• 9単一自己組織化InAs量子ダッシュトランジスタの伝導特性東大生産研¹，Univ. of Jyväskylä²，東大ナノ量子機構³，CREST-JST^{4 ○}柴田憲治¹，関　享太¹，Kyu Man Cha¹，Esa RäSäNen²，平川一彦^1,3,4
• 10ナノギャップ電極近傍のバンドベンディングによる量子準位制御上智理工¹，JSTさきがけ²，東大生研³，東大ナノ量子機構^{4 ○}中岡俊裕^1,2,3，渡邉克之^3,4，熊谷直人^3,4，荒川泰彦^3,4
•  休憩　16:00～16:15
• 11InAs/GaAs量子ドットの励起子微細構造の磁場印加効果(III)：面内方向磁場東大ナノ量子機構 ^○斎藤敏夫，荒川泰彦
• 12集団量子ドットの巨視的非線形信号の空間分布情通機構¹，上智大理工²，慶応大理工³，JST　さきがけ^{4 ○}光武　慧^1,2，中尾陽象³，早瀬(伊師)潤子^3,4，赤羽浩一¹，山本直克¹，江馬一弘²，佐々木雅英¹
• 13自己集合単一量子ドットでの動的核スピン分極過程相関時間の直接評価北大院工¹，北大電子研^{2 ○}鍜治怜奈¹，笹倉弘理²，足立　智¹，武藤俊一¹
• 14量子ドット励起子状態における荷電遷移レートの評価北大電子研¹，JST CREST^{2 ○}中島秀朗¹，熊野英和^1,2，飯島仁史¹，笹倉弘理¹，末宗幾夫^1,2
• 15量子ドットでの最低次励起子・励起子分子における光非線形効果の励起エネルギー依存性ＮＴＴ物性研 ^○後藤秀樹，眞田治樹，鎌田英彦，山口浩司，寒川哲臣
• 16量子もつれ光子対生成に向けたRTAによる励起子微細構造分裂の低減NECグリーン研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研^{3 ○}五十嵐悠一^1,2，白根昌之^1,2，太田泰友^2,3，野村政宏³，熊谷直人²，大河内俊介²，桐原明宏^1,2，石田悟己^2,3，岩本　敏^2,3，萬　伸一^1,2，荒川泰彦^2,3
• 17量子ドットからの量子もつれ光子対発生NEC¹，東大ナノ量子機構²，東大生研^{3 ○}白根昌之^1,2，五十嵐悠一^1,2，太田泰友^2,3，野村政宏³，熊谷直人²，大河内俊介²，桐原明宏^1,2，石田悟己^2,3，岩本　敏^2,3，萬　伸一^1,2，荒川泰彦^2,3
• 18Au₂₅超クラスターからの発光機構甲南大理工¹，関西大システム理工²，関西大化学生命工³，情報通信研究機構^{4 ○（M1）}坂永　勇¹，松末和憲¹，稲田　貢²，齊藤　正²，川崎英也³，岩崎泰彦³，山田俊樹⁴，梅津郁朗¹，杉村　陽¹
• 19ITO基板上の単一CdSe/ZnS量子ドットのトラップ準位寿命解析北大電子研¹，JST-さきがけ^{2 ○}太田宏紀¹，藤原英樹^1,2，笹木敬司¹