14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

26a-KU - 1～11

• 1均一組成Si_1-xGe_xバルク結晶の熱電特性静岡大電子研¹，静岡大工学部²，バーハ原子研究センター³，アンナ大⁴，宇宙航空研究開発機構^{5 ○}Arivanandhan Mukannan¹，齋藤洋祐¹，小山忠信¹，百瀬与志美¹，田中　昭¹，池田浩也¹，立岡浩一²，石田明広²，Aswal Dineshkumar³，Moorthy Babu Sridharan⁴，稲富裕光⁵，早川泰弘¹
• 2選択成長Geのファンデアポー型ホール素子による電気特性の評価明星大院理工¹，産総研²，東京理大³，住友化学^{4 ○}豊島　上¹，内田琢也¹，谷本充司¹，田沼伸久¹，鷹野到和¹，板谷太郎²，前田辰郎²，小林寛昭³，前田譲治³，山中貞則⁴，高田朋幸⁴，秦　雅彦⁴
• 3Si/SiO₂ Core/Shellナノワイアー内のNi-Silicide成長機構ケンブリッジ大¹，ブルーケーブン国立研究所^{2 ○（D）}緒方　健¹，Eli Sutter²，Xueni Zhu¹，Stephan Hofmann¹
• 4新規窒化炭素系化合物C₂N₂(CH₂)の結晶構造と圧縮率岡山理科大¹，東大物性研²，岡山大地球物質科学研究センター³，岡山県立大⁴，岡山県工業技術センター^{5 ○}寒川匡哉¹，隅谷隆洋¹，森　嘉久¹，財部健一¹，岡田　卓²，後藤弘匡²，八木健彦²，山崎大輔³，富岡尚敬³，桂　智男³，仮屋崎弘昭⁴，末岡浩治⁴，國次真輔⁵
• 5分散CNTを用いたMgO薄膜の構造制御龍谷大¹，兵庫県立工業技術センター^{2 ○}中川拓哉¹，吉岡秀樹²，富崎欣也¹，黒澤貴大¹，山本伸一¹
• 6Tiをドープした酸化アルミニウム(Al₂O₃)単結晶の青色発光II千歳科学技術大 ^○大門智範，成瀬寛峰，渡邉弘幸，小田久哉，山中明生
•  休憩　11:00～11:15
• 7MgとB₂O₃の固相反応を利用したカラーセンター含有MgO微結晶の作製１神戸大理 松本幸一，上中友希，^○内野隆司
• 8MgとB₂O₃の固相反応を利用したカラーセンター含有MgO微結晶の作製2神戸大 上中友希，^○内野隆司
• 9硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の中赤外吸収の温度依存特性甲南大理工¹，福岡大理²，U. S. Army ARDEC³，Australian National Univ.⁴，Harvard Univ.^{5 ○}高松義弘¹，香野　淳²，Warrender J. M.³，Charnvanichborikarn S.⁴，Aziz M. J.⁵，杉村　陽¹，梅津郁朗¹
• 10Cu₂Sスイッチング素子のひずみイメージング関西大院理工¹，広島大院^{2 ○}田村良太¹，高田啓二¹，笠間敏博²，横山　新²
• 11遺伝的アルゴリズムを用いた原子論的ナノ材料パラメータの探索神戸大院工 ^○宮田貴文，相馬聡文，小川真人
•  昼食　12:30～14:00

26p-KU - 1～11

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  β-FeSi₂薄膜における残留キャリア濃度の熱処理温度依存性阪大院工 ^○米田圭佑，寺井慶和，野田慶一，三浦直行，藤原康文
• 2Si(001)基板上β-FeSi₂エピタキシャル膜におけるPRスペクトルの成長条件依存性阪大院工¹，茨城大工^{2 ○}野田慶一¹，寺井慶和¹，米田圭佑¹，三浦直行¹，片山　広¹，鵜殿治彦²，藤原康文¹
• 3β-FeSi₂における光励起キャリアの緩和過程の検証阪大院¹，京大エネ科^{2 ○}寺井慶和¹，野田慶一¹，米田圭佑¹，三浦直行¹，前田佳均²，藤原康文¹
• 4β-FeSi₂ナノ結晶の発光特性の解析京大エネルギー科学 ^○中島孝仁，市川孝之，松倉武偉，前田佳均
• 5半絶縁性4H-SiC基板上β-FeSi₂ 薄膜の電気伝導特性神奈川産技セ ^○秋山賢輔，金子　智，小沢　武，平林康男
• 6Si照射下でのβ-FeSi₂基板熱処理とホモエピタキシャル成長茨城大¹，日本原子力研究開発機構^{2 ○（M1C）}松村精大¹，山中雄介¹，鵜殿治彦¹，山口憲司²，江坂文孝²，北条喜一²
•  休憩　15:30～15:45
• 7スパッタ処理による鉄シリサイド単結晶試料のホモエピタキシャル成長原子力機構¹，茨大工^{2 ○}山口憲司¹，松村精大²，山中雄介²，北條喜一¹，鵜殿治彦²
• 8固相反応法によるSi(111)基板上のβ-FeSi₂形成過程の評価山形大院理工¹，山形大工^{2 ○}籾山克章¹，鈴木貴彦²，廣瀬文彦¹
• 9Fe₃Si 強磁性量子井戸層を用いた微小RTD の電流電圧特性筑波大院 電子･物理工学専攻(物理工学系)¹，産総研^{2 ○}眞壁健司¹，鈴野光史¹，原田一範¹，末益　崇¹，秋永弘幸²
• 10Fe/Fe₃Si/CaF₂/Fe₃Si MTJ構造における磁化の反平行状態の実現筑波大院電・物¹，産総研^{2 ○（M1）}原田一範¹，眞壁健司¹，末益　崇¹，秋永広幸²
• 11イオンチャネリングによるFe₂CoSi, Co₂FeSi/Geへテロ界面の評価京大エネルギー科学¹，原研開発機構²，九大システム情報^{3 ○}松倉武偉¹，鳴海一雅²，境　誠司²，浜屋宏平³，宮尾正信³，前田佳均¹

27a-KU - 1～11

• 1高純度マグネシウムシリサイド結晶の電気特性評価茨城大院 ^○鵜殿治彦，八島研一，高橋良幸
• 2マグネシウムシリサイドpn接合の形成と特性茨城大院 関野和幸，^○鵜殿治彦，高橋良幸
• 3Molecular beam epitaxy of undoped BaSi₂/tunnel junction (n⁺-BaSi₂/p⁺-Si) structure with reduced Sb diffusion筑波大院数理¹，東北大²，JST-CREST^{3 ○}杜　偉傑¹，齋藤隆允¹，Khan Ajmal¹，中村航太郎¹，馬場正和¹，藤　克昭¹，宇佐美徳隆^2,3，末益　崇^1,3
• 4ドーパントの拡散を抑制したp型BaSi₂膜のMBE成長筑波大院電子・物理工学専攻¹，CREST JST^{2 ○}中村航太郎¹，齋藤隆允¹，Khan Ajmal¹，Weijie Du¹，岡田淳史¹，藤　克昭¹，馬場正和¹，末益　崇^1,2
• 5透明基板上へのBaSi₂膜のMBE成長と評価筑波大院数理¹，JST CREST^{2 ○}藤　克昭¹，齋藤隆允¹，末益　崇^1,2
• 6EBIC法によるBaSi₂薄膜の少数キャリア拡散長評価筑波大院　電子・物理工学専攻¹，物材機構²，JST-CREST^{3 ○}馬場正和¹，Khan Ajmal¹，藤　克昭¹，岡田淳史¹，中村航太郎¹，末益　崇^1,3，Karolin Jiptner²，関口隆史^2,3
•  休憩　10:30～10:45
• 7AIC法による多結晶Si結晶成長におけるAZO層の影響と結晶配向性に関する研究東北大¹，筑波大²，クリスト　³ 鄭　美娜¹，有福直樹¹，岡田　篤²，西都高惟²，末益　崇^2,3，^○宇佐美徳隆^1,3
• 8基板および酸化膜層がAIC-Si多結晶薄膜の配向性に与える影響筑波大院　電子・物理工学専攻¹，東北大 金研²，JST-CREST³，若狭湾エネ研^{4 ○（M1）}岡田淳史¹，宇佐美徳隆^2,3，笹瀬雅人⁴，末益　崇^1,3
• 9BaSi₂格子へのCu侵入サイト･･ｎ型伝導の発現機構産総研 ^○今井庸二，渡辺昭雄
• 10BaSi₂粉末の衝撃圧縮処理防衛大材料 ^○岸村浩明，松本　仁
• 11半導体Siクラスレートの探索物材機構¹，茨城大²，産総研³，東大物性研^{4 ○}今井基晴¹，佐藤　晃¹，鵜殿治彦²，今井庸二³，田島裕之⁴