13. 半導体A（シリコン）

26p-KS - 1～17

• 1宇宙線中性子起因ソフトエラーに対するマルチスケールシミュレーションの高精度化 (I) 概要および核反応物理モデルの考察九大院総理工¹，筑波大院数物²，半導体理工学研究センター^{3 ○}渡辺幸信¹，安部晋一郎¹，平山嵩祐¹，佐野伸行²，古田博伺³，筒井将史³，上村大樹³，荒川隆彦³
• 2宇宙線中性子起因ソフトエラーに対するマルチスケールシミュレーションの高精度化 (II) TCADシミュレーションによる過渡電流応答解析九大院総理工¹，筑波大院数物²，半導体理工学研究センター^{3 ○（D）}安部晋一郎¹，渡辺幸信¹，佐野伸行²，柴野望己²，古田博伺³，筒井将史³，上村大樹³，荒川隆彦³
• 3化学反応を考慮したHTO-CVD炉のCFD解析東芝 ^○山本幸司，木下　繁
• 4XFEL用CCD検出器の高注入条件下における応答シミュレーション理化学研究所 ^○桐原陽一，初井宇記
• 5トンネルトランジスタのツェナートンネル電流に対する局所ひずみの効果阪大工¹，JST CREST² 山本将央¹，^○三成英樹^1,2，森　伸也^1,2
• 6ナノワイヤートンネルFETの非平衡グリーン関数によるシミュレーションＩＢＭ東京基礎研究所 ^○中村　肇
• 7現実的なシリコンナノワイヤにおけるキャリア輸送シミュレーション阪大工¹，早大理工²，JST CREST^{3 ○（PC）}三成英樹^1,3，図師知文²，渡邉孝信^2,3，森　伸也^1,3
• 8バリスティックSiナノワイヤMOSFETの注入速度の直径依存におけるキャリア縮退の影響東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}李　映勲^1,2，角嶋邦之²，名取研二¹，岩井　洋¹
• 9四角形断面GAA-MOSFETにおける弾道輸送電流特性コンパクトモデル名大院工¹，阪大院工²，JST, CREST^{3 ○}沼田達宏^1,3，宇野重康^1,3，中里和郎¹，ゲナディ ミリニコフ^2,3，鎌倉良成^2,3，森　伸也^2,3
•  休憩　15:45～16:00
• 10弾道・準弾道輸送Gate-All-Around MOSFETの回路シミュレーション簡易モデル名大 ^○（M1）程　　賀，宇野重康，沼田達宏，中里和郎
• 11バリスティックn⁺-i-n⁺ ダイオードのドレイン領域内のフォノン発生が電子伝導に与える影響東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○（DC）}Abudureheman Abudukelimu¹，角嶋邦之²，Parhat Ahmet¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 12モンテカルロ法によるナノスケールデバイス中の電子-フォノン伝導過渡解析阪大院工¹，早大理工²，JST-CREST^{3 ○}鎌倉良成^1,3，図師知文²，渡邉孝信²，森　伸也^1,3，谷口研二¹
• 13モンテカルロ法によるGAA-MOSFET構造での電流密度分布の解析筑波大電物 ^○田中伸和，佐野伸行
• 14EMC-MDシミュレーションによる電流揺らぎのチャネル幅依存性評価(II)早大¹，筑波大学²，阪大³，JST-CREST^{4 ○}神岡武文^1,4，大毛利健治^2,4，白石賢二^2,4，鎌倉良成^3,4，渡邉孝信^1,4
• 15超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面の酸化反応シミュレーション東北大 ^○坪井秀行，稲葉賢二，林由紀江，南雲　亮，三浦隆治，鈴木　愛，遠藤　明，高羽洋充，久保百司，宮本　明
• 16２セルモデルによるパワーMOSFETの自己発熱解析ルネサスエレクトロニクス ^○黄　俐昭，飯塚貴弘
• 17Trench-Gate型高耐圧MOSFETの為の回路シミュレーション用ドリフト抵抗モデル広島大工 ^○福島賢治，田中昭洋，三浦道子