13. 半導体A（シリコン）

24a-P2 - 1～32

• 1エキシマ・レーザ・アニーリング、並びに固相成長により形成された多結晶Si薄膜の成長山口大院理工¹，兵庫県立大院工^{2 ○}河本直哉¹，只友一行¹，部家　彰²，松尾直人²
• 2青色半導体レーザアニールによるPoly-Si薄膜の結晶粒径制御日立コンピュータ機器¹，琉球大工^{2 ○}松島英紀¹，橋本隆夫¹，荻野義明¹，佐保田英司¹，ムジラネザ ジョンドゥジュ²，白井克弥²，鈴木俊治²，岡田竜弥²，野口　隆²
• 3スパッタ製膜した20 nm厚Si膜のブルーレーザアニールによる結晶化琉球大工¹，日立コンピュータ機器^{2 ○}岡田竜弥¹，J.D. Mugiraneza¹，白井克弥¹，鈴木俊治¹，野口　隆¹，松島英紀²，橋本隆夫²，荻野義明²，佐保田英司²
• 4マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン上アモルファスシリコン膜の結晶化広大院先端研 ^○松原良平，林　将平，東清一郎
• 5軟X線照射によるa-Si, a-Ge, a-SiGe膜の結晶化兵庫県立大工¹，兵庫県立大高度研²，九大シス情研^{3 ○（M1）}野々村勇希¹，部家　彰¹，天野　壮²，礒田伸哉¹，宮本修治²，神田一浩²，松尾直人¹，望月孝晏²，佐道泰造³，宮尾正信³
• 6極薄化したシリコン膜の金属誘起固相結晶化における結晶方位変化九大シ情 ^○仲前達也，永田　翔，中川　豪，浅野種正
• 7金属ナノ粒子を用いたa-Ge薄膜の低温結晶化奈良先端大¹，阪大²，CREST^{3 ○}分銅衡介^1,3，今澤孝則^1,3，上沼睦典^1,3，石河泰明^1,3，渡部平司^2,3，山下一郎^1,3，浦岡行治^1,3
• 8次世代フレキシブルデバイスの為の多結晶Si_1-xGe_x(x=0-1)/絶縁膜の極低温層交換成長(～250^oC)九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}朴ジョンヒョク¹，黒澤昌志^1,2，川畑直之¹，宮尾正信¹，佐道泰造¹
• 9パルス電界大気圧プラズマCVDによるガラス基板上Top-Gate TFTの作製東北大通研¹，積水化学²，産総研^{3 ○}植澤裕史¹，松本光正¹，稲吉陽平¹，村重正悟¹，中西国博¹，吹留博一¹，末光眞希¹，中嶋節男²，上原　剛²，豊島安健^1,3
• 10マイクロ熱プラズマジェット照射によるガラス基板上a-Si膜の高速横方向結晶化及びTFT応用広大院先端研 ^○林　将平，藤田悠二，西田悠亮，松原良平，東清一郎
• 11マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化における結晶粒界の観察広大院先端研 ^○（B）藤田悠二，林　将平，松原良平，東清一郎
• 12多結晶シリコン薄膜トランジスタの欠陥不活性化に対する水中レーザーアニールの効果奈良先端大¹，JST-CREST²，高知高専^{3 ○}町田絵美¹，山崎浩司¹，堀田昌宏^{1, 2}，石河泰明^{1, 2}，浦岡行治^{1, 2}，池上　浩³
• 13マイクロ融液プロセスによる水素終端Si基板上での疑似ヘテロエピタキシャルGe膜の形成広大院　先端研¹，名大院工^{2 ○}松本竜弥¹，牧原克典²，赤澤宗樹¹，東清一郎¹
• 14水素脱離のGe成長に与える効果とSi上Ge-pinダイオードのリーク電流低減東大院工 ^○高田陽一，鈴木亮太，朴　成鳳，大坂次郎，石川靖彦，和田一実
• 15Si/Ag層交換を利用したSi薄膜のレーザー直接パターニング高知高専 ^○（B）清岡雅弘，池上　浩
• 16ピエゾアクチュエータを利用した微小Si融液滴下による高結晶性Si膜の形成広大院先端研 ^○赤澤宗樹，松本竜弥，小柳俊貴，東清一郎
• 17トップダウンアプローチによる超高アスペクト比の垂直配向シリコンナノワイヤーヤマハ¹，阪大産研²，JST-ERATO³，兵庫県立大院工^{4 ○}中村　純¹，須藤孝一²，樋口行平³，前中一介^3,4
• 18大気圧熱プラズマジェット照射による低温堆積SiO₂膜の信頼性向上広大院先端研 ^○（M1）西田悠亮，林　将平，松本和也，東清一郎
• 19マイクロ波励起プラズマを用いた加熱技術の開発:金属種依存性山梨大¹，SST^{2 ○}中村浩之¹，荒井哲司²，高松利行²，有元圭介¹，山中淳二¹，佐藤哲也¹，中川清和¹
• 20リモート水素プラズマ処理によるPt/a-Ge:H の合金化反応制御名大院工¹，広大院先端研²，琉球大工^{3 ○}牧原克典¹，森澤直也²，藤岡知宏²，松本竜弥²，林　将平²，岡田竜弥³，池田弥央²，東清一郎²，宮崎誠一¹
• 21H₂プラズマダメージに対する熱処理プロセスの影響京大院工¹，ソニー^{2 ○（DC）}中久保義則¹，松田朝彦¹，深沢正永²，鷹尾祥典¹，辰巳哲也²，江利口浩二¹，斧　高一¹
• 22加熱触媒体により生成した原子状水素を用いたSU-8レジストの除去金沢工大 ^○河野昭彦，丸岡岳志，新井　祐，堀邊英夫
• 23電解硫酸装置(グリーンサルファシードKD)を用いたレジスト剥離処理の実証栗田工業 ^○大津　徹，永井達夫
• 24グリーンレーザーアニールにより形成した積層構造多結晶シリコン薄膜のデバイス応用奈良先端大¹，戦略的創造研究推進事業^{2 ○}山崎浩司¹，町田絵美¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2
• 25三次元基板を用いた低温poly-SiTFTフラッシュメモリのトンネル酸化膜厚の影響神戸高専¹，奈良先端大^{2 ○}市川和典¹，松江将博¹，赤松　浩¹，山崎浩司²，堀田昌宏²，浦岡行治²
• 26ガラス上に形成された大粒径を有する低温 poly-Si_1-xGe_x TFT東北学院大¹，島根大^{2 ○}岡部泰典¹，近藤健二¹，広瀬研太²，鈴木順季²，北原邦紀²，原　明人¹
• 27埋め込みメタルボトムゲート上への大粒径ラテラルpoly-Si薄膜の形成東北学院大 ^○近藤健二，尾形浩之，原　明人
• 28トライゲート構造によるレーザー結晶化Poly-Si TFTの実効電子移動度ばらつき低減東北大院工 ^○藤井俊太朗，黒木伸一郎，川崎雄也，小谷光司
• 292層同時結晶化poly-Si薄膜デバイスを用いた人工網膜の解析龍谷大理工¹，奈良先端科学技術大学院大物質創成科^{2 ○}大野史郎¹，松村　篤¹，安藤博晃¹，三浦佑太²，小倉　健¹，山下毅彦²，木村　睦¹，浦岡行治²
• 30薄膜Hall素子による磁場センサ龍谷大理工 ^○（M1C）山口陽平，橋本早未，瀬川剛司，木村　睦
• 31薄膜トランジスタによる温度センサ龍谷大理工¹，奈良先端科学技術大物質創成科^{2 ○（BC）}田矢　純¹，中島章宏¹，佐川祐樹²，木村　睦¹
• 32LSIインテグレーション手法を用いたイネ水耕栽培システム東大院工¹，リアライズ理工センター²，朝日工業社^{3 ○}深水克郎^1,2，鹿島光司³，大場隆之¹

25a-P3 - 1～24

• 1Siへのクラスターイオン注入IV - クラスターC注入により形成したa-Si層の評価 -日新イオン機器 ^○鉄田　博，濱本成顕，永山　勉，海勢頭聖，古賀雄二，河村泰典，中島良樹，田中浩平，橋本昌大，川上喬子
• 2ClF₃クラスター・インジェクションによるSiエッチング（III）岩谷産業¹，京大院工^{2 ○}吉野　裕¹，妹尾武彦¹，小池国彦¹，瀬木利夫²，青木学聡²，松尾二郎²
• 3Bイオン注入した熱処理無しのGeにおけるホール層生成：Ge中B₁₂クラスター形成の可能性MIRAI-東芝 ^○小池正浩，上牟田雄一
• 4Si粒子を含有するSi機能膜の形成三菱電機 ^○田屋昌樹，内藤皓貴，出尾晋一，西川和康，福本　宏
• 5弾道電子源の還元効果による湿式シリコン薄膜堆積農工大・院･工 ^○（PC）太田敢行，Gelloz Bernard，越田信義
• 6プラズマを用いたナノシリコンの表面構造制御電機大工 ^○深井浩輝，渡辺晃次，長島康仁，須田健一，仲田英起，本橋光也
• 7シリコンp⁺nダイオードの欠陥生成への水素イオン注入温度の効果愛工大¹，住重試験検査^{2 ○}中井雅文¹，徳田　豊¹，伊藤成志²，坂根　仁²
• 8軟X線光電子分光によるSi中の極浅ドープ層における化学結合状態の検出とその深さ方向分布東工大総理工¹，東京都市大²，高輝度光科学研究センター³，東工大フロンティア研^{4 ○}金原　潤¹，田中正興¹，宮田陽平¹，筒井一生¹，野平博司²，室隆桂之³，木下豊彦³，パールハット アヘメト⁴，角嶋邦之¹，服部健雄⁴，岩井　洋⁴
• 9反復剥離法を用いたFin構造中ドーピングプロファイルの測定精度向上東工大総理工¹，東工大フロンティア研^{2 ○}宮田陽平¹，田中正興¹，金原　潤¹，筒井一生¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット²，服部健雄²，岩井　洋²
• 10イオン注入により形成されたPN接合のフォトキャリア減衰特性東京農工大¹，日新イオン機器^{2 ○}吉冨真也¹，神田　康¹，加藤　航¹，蓮見真彦¹，鮫島俊之¹，立道潤一²，井内　裕²，内藤勝男²
• 11マイクロ波光導電減衰法によるイオン注入ダメージ評価神戸製鋼所 ^○乾　昌広，迫田尚和，高松弘行
• 12超低エネルギーボロンイオン注入層のTEM観察産総研計測F ^○山本和弘
• 13３次元トンネル領域を持つフローティングゲート(FG)型メモリキャパシタの作製及び電気特性評価産総研¹，明大^{2 ○（P）}郭　若峰¹，Yongxun Liu¹，亀井貴弘²，松川　貴¹，遠藤和彦¹，大内真一¹，塚田順一¹，山内洋美¹，石川由記¹，林田哲郎²，坂本邦博¹，小椋厚志²，昌原明植^1,2
• 14ドーパント位置制御による電界効果トランジスタの相互コンダクタンス評価早大理工¹，早大高等研²，NTT基礎研³，東北大^{4 ○}堀　匡寛¹，品田賢宏²，平　圭吾¹，小松原彰¹，小野行徳³，谷井孝至¹，遠藤哲郎⁴，大泊　巌¹
• 15ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価京都工芸繊維大¹，WaferMasters, Inc.^{2 ○}七種宏樹¹，奥谷真士¹，高島周平¹，吉本昌広¹，Woo Sik Yoo²
• 16低ドースイオン注入領域におけるシリコン中砒素のESR観察NTT物性基礎研 ^○小野行徳，藤原　聡
• 17NiGe/n⁺ Geコンタクトの低抵抗/浅接合化ＰＥＣＳＴ¹，ＰＥＴＲＡ²，産総研³，東大生研^{4 ○}三浦　真^1,2，野口将高^1,2，藤方潤一^1,2，堀川　剛^1.3，高橋正志^1,3，埜口良二^1,3，荒川泰彦^1,4
• 18HfN/HfSiONゲートスタック構造を用いたMISFETの作製東工大 ^○（DC）佐野貴洋，大見俊一郎
• 19CVD 法によるGeSbTe 膜の高アスペクト比ホール内組成制御明治大理工¹，気相成長²，豊田工大^{3 ○}宇納知寛¹，堀池喬文¹，浜田せいち¹，澤本直美¹，須藤　弘²，石川真人²，町田英明²，大下祥雄³，小椋厚志¹
• 20Si-on-SiC基板上シリコンMOSFETの熱的および電気的特性京都工繊大電子システム ^○荒木亮祐，清水秀雄，来見貴誠，木下博之，吉本昌広
• 21SIMOX基板のSOI層における正孔捕獲中心の評価東洋大バイオナノ研 ^○宮澤　元，中島義賢，花尻達郎，菅野卓雄
• 22SOI/BOX界面凹凸がSOI層中の局所応力および捕獲中心に与える影響東洋大バイオナノ研 ^○渡邉幸俊，中島義賢，鳥谷部達，花尻達郎，菅野卓雄
• 23エキシマレーザアニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強九大¹，学振²，兵庫県立大^{3 ○}佐道泰造¹，黒澤昌志^1,2，部家　彰³，松尾直人³，宮尾正信³
• 24コンプライアントバンプによるフレキシブル基板上へのLSIチップ実装の低温化九大 ^○（M1）首藤高徳，渡辺直也，池田晃裕，浅野種正