13. 半導体A（シリコン）

25a-CE - 1～12

• 1X線マイクロ回折を用いたSi貫通ビア配線周辺における局所歪構造の評価名古屋大院工¹，東大院工²，富士通研^{3 ○}中塚　理¹，北田秀樹²，金永ソク²，水島賢子³，中村友二³，大場隆之²，財満鎭明¹
• 23次元LSIに向けた無電解バリア膜の形成及び密着性評価関西大 ^○有馬良平，井上史大，横山　巧，三宅浩志，清水智弘，新宮原正三
• 3ウエハレベルハイブリッド接合を実現するＣｕ/樹脂の同時平坦化ＡＳＥＴ ^○青木真由，朴澤一幸，武田健一
• 4三次元集積化技術のための簡易低コストハイブリッド接合早大¹，IBM東京基礎研究所²，日産化学工業^{3 ○}仁村将次¹，佐久間克幸²，荻野浩司³，榎本智之³，庄子習一¹，水野　潤¹
• 5三次元集積化用高密度接合バンプの金属間化合物の評価技術研究組合　超先端電子技術開発機構 ^○佐久間克幸，末岡邦昭，堀部晃啓，小原さゆり，松本圭司，折井靖光，山田文明，小林治文
• 6超臨界CO₂法によるTrue3次元貫通配線孔内への均一Cu被覆山梨大　院医工¹，フジクラ^{2 ○}竹内裕人¹，近藤英一¹，松原正弘¹，山本　敏²，末益龍夫²
•  休憩　10:30～10:45
• 7TEMおよびEELS分析によるTSV構造評価東レリサーチセンター¹，富士通研究所²，東大^{3 ○}篠崎夕子¹，大塚祐二¹，橋本秀樹¹，水島賢子²，北田秀樹²，中村友二²，大場隆之³
• 8環境負荷低減に向けたCu配線プロセスにおけるCuめっき薄膜化の検討ルネサスエレクトロニクス ^○野田香織，北尾良平，中沢絵美子，中嶋　章，泰地稔二，土屋泰章，藤井邦宏
• 9超臨界CO₂を用いて作製されたCu薄膜へのバリア層の影響東理科大工電気工学科¹，東理科大工工業化学科^{2 ○}伊藤勝利¹，沼川智則¹，前田優樹¹，野間隆弘¹，江澤正晃¹，宇原祥夫¹，大竹勝人²，斉藤　茂¹
• 10超臨界流体中Cu薄膜堆積過程のその場分光エリプソメトリ解析山梨大院 ^○佐々木拓哉
• 11ホットワイヤーALD法による高品質コバルト薄膜の製膜大陽日酸¹，東大院工^{2 ○}清水秀治^1,2，迫田　薫¹，霜垣幸浩²
• 12CVD法および新規ALD法によるコバルト合金膜を用いた新規バリア膜の検討大陽日酸¹，東大院工^{2 ○}清水秀治^1,2，迫田　薫¹，霜垣幸浩²

26a-KS - 1～11

• 1Si(100)及びSi(110)上におけるPtSiの均一形成東工大総理工 ^○吉村泰彦，石川純平，高　　峻，大見俊一郎
• 2タングステン化学機械研磨におけるコンディショニングが研磨パッドアスペリティ高さ分布に及ぼす影響日立製作所 マイクロデバイス事業部 ^○渡辺秀介，川久保正徳，菅谷貴浩，山田洋平
• 3中性粒子ビームCVDによる超低誘電率SiOC膜の形成と構造制御 =混合ガス(DMOTMDS/MTMOS)による検討=東北大¹，半導体理工学研究センター^{2 ○}佐々木亨¹，安原重雄¹，田島邦敏²，矢野　尚²，門村新吾²，島山　努²，松永範昭²，吉丸正樹²，寒川誠二¹
• 4プラズマ重合多孔質Low-k膜物性に及ぼす有機水酸化剤添加の影響ルネサスエレクトロニクス ^○阪口智則，川原　潤，山本博規，竹内常雄，林　喜宏
• 5ＭＥＬピュアシリカゼオライト膜のイオン振動スペクトル広大RNBS¹，広島産科研^{2 ○（P）}茅場靖剛¹，佐藤　旦²，山本貴章¹，秦　祐貴¹，吉川公麿¹
• 6ポーラスシリカ膜の電気特性広大RNBS¹，広島県産科研^{2 ○}山本貴章¹，茅場靖剛¹，佐藤　旦²，秦　佑貴¹，吉川公麿¹
•  休憩　11:00～11:15
• 7ゼオライト含有ポーラスシリカ膜のエキシマ光照射による高機械強度化広島県産科研¹，広大RNBS²，産総研³，タツモ^{4 ○}佐藤　旦¹，茅場靖剛²，清野　豊³，秦　佑貴²，山本貴章²，廣田俊明⁴，吉川公麿²
• 8Low-k 膜の組成制御による微細Cu 配線の均一性と信頼性の向上ルネサス先行研 ^○久米一平，植木　誠，井上尚也，川原　潤，五十嵐信行，齋藤　忍，古武直也，林　喜宏
• 9極薄SiN膜を用いたCuバリアLow-k膜の増強窒化界面(ENI)プロセスの開発ルネサスエレ ^○三浦幸男，中村朝至，小林千香子，大音光市，宇佐美達矢，土屋秀昭，横川慎二，藤井邦宏
• 10絶縁性バリア膜/Cuにおける密着性と界面状態日産アーク ^○阿部聡子，馬場輝久，上岡健一，米田孝治，叶　際平
• 11高速ロジック混載DRAMに向けた多孔質Low-k膜層へのシリンダMIM容量形成技術ルネサス　先行研 ^○肱岡健一郎，井上尚也，久米一平，川原　潤，古武直也，齋藤　忍，小野寺貴弘，山本博則，間部謙三，長谷　卓，林　喜宏