13. 半導体A（シリコン）

25a-KW - 1～11

• 1低温熱酸化における極薄シリコン酸化膜表面の凹凸成長筑波大電子・物理工学専攻¹，学際物質科学研究センター(TIMS)^{2 ○}太田雅浩¹，林　優介¹，蓮沼　隆^1,2，山部紀久夫^1,2
• 2DRY酸化のSi酸化膜界面への影響フェニテックセミコンダクター¹，岡大院自然科学^{2 ○}南　眞嗣^1,2，上浦洋一²
• 3ポスト酸化によるSi絶縁膜の信頼性向上フェニテックセミコンダクター¹，岡山大院自然科学^{2 ○}南　眞嗣^1,2，上浦洋一²
• 4硝酸酸化法を用いて形成した10 nmの膜厚の積層型ゲート酸化膜を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタの創製阪大産研¹，CREST-JST²，阪大院工³，シャープ^{4 ○}松本健俊^1,2，山田幹浩^1,2，辻　博史^2,3，谷口研二^2,3，久保田靖^2,4，今井繁規^2,4，寺川澄雄^1,2，小林　光^1,2
• 5新規二段階硝酸酸化法によるゲート酸化膜の低温創製阪大産研¹，科技振戦略基礎^{2 ○}深谷洋介^1,2，松本健俊^1,2，小林　光^1,2
• 6低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化プロセスにおけるSi酸化機構東北大¹，産総研^{2 ○}和田章良¹，遠藤和彦²，昌原明植²，寒川誠二¹
•  休憩　11:00～11:15
• 7マイクロ波励起RLSAプラズマALD法による高品位シリコン窒化膜の成膜東京エレクトロン技術研究所 ^○辛川孝行，岡　正浩，吹上紀明，上田博一，野沢俊久
• 8量子分子動力学法によるシリコン酸化膜SiO₂の高選択性CF₂ラジカルエッチングプロセス東北大院工 ^○（B）伊藤　寿，尾澤伸樹，島崎智実，久保百司
• 9メタノールガス照射熱処理による酸化Si薄膜からのOH基除去宮崎大工 ^○伊藤拓也，西岡賢祐
• 10絶縁膜中へのH₂O分子，OH^-ｲｵﾝの透過障壁三菱電機　波光電 ^○奥　友希，天清宗山，戸塚正裕，竹見正義
• 11アモルファスSiO₂中の格子間O₂の真空紫外光分解と後続反応首都大¹，Latvia大²，東工大^{3 ○}梶原浩一¹，Linards Skuja^2,3，細野秀雄³
•  昼食　12:30～13:30

25p-KW - 1～20

• 1酸素プラズマ処理と高圧水蒸気熱処理の組み合わせによるシリコン表面のパッシベーション東京農工大¹，福岡大²，広島大^{3 ○}吉冨真也¹，蓮見真彦¹，白樫淳一¹，鮫島俊之¹，香野　淳²，東清一郎³
• 2第一原理計算を用いた Si 化合物の静的誘電率推定東京都市大工¹，宇宙研^{2 ○}渋谷寧浩^1,2，小林大輔²，野平博司¹，廣瀬和之²
• 3台一原理分子軌道計算によるSi(Al)化合物の局所絶縁破壊電界の推定慶大理工¹，東京都市大工²，宇宙研^{3 ○}関　　洋¹，渋谷寧浩²，小林大輔³，野平博司²，泰岡顕治¹，廣瀬和之³
• 4ECRスパッタ法により作成されたSiO₂/Si構造のV_FBシフトの考察農工大工 ^○菊池彬人，林　美里，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 5XPS時間依存測定法によるSiO₂/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価芝浦工大¹，東京都市大²，宇宙研^{3 ○（M1）}石原由梨¹，五十嵐智²，小林大輔³，野平博司²，上野和良¹，廣瀬和之³
• 6RTS原因欠陥のEDMR法による評価日立生研 ^○与名本欣樹，赤松直俊
• 7金属中の数eV電子の非弾性平均自由行程のEUPSによる評価産総研　ナノ電子 石塚知明，大塚照久，葛西　彪，太田裕之，^○富江敏尚
• 8表面に金属層がついた絶縁膜の帯電のEUPSによる評価産総研 ^○（PC）大塚照久，石塚知明，葛西　彪，太田裕之，秦　信宏，富江敏尚
• 9埋め込み界面のEUPS評価のためのサブnm深さ分解能イオンスパッタ産総研 ナノ電子デバイス ^○石塚知明，大塚照久，葛西　彪，太田裕之，秦　信宏，富江敏尚
• 10金属/絶縁膜界面のダイポールのEUPSによる評価産総研　ナノ電子 石塚知明，大塚照久，葛西　彪，太田裕之，^○富江敏尚
•  休憩　16:00～16:15
• 11触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oビームを用いたAl₂O₃薄膜の成長長岡技科大 永田一樹，大島　穣，三浦仁嗣，^○加藤孝弘，安井寛治
• 12マイクロ波生成プラズマ支援ALD法によるSi基板上HfO2薄膜の形成諏訪東京理科大¹，山梨大²，弘前大³ 飯田真正¹，石崎博基¹，王谷洋平¹，森田直樹²，佐藤哲也²，岡本　浩³，小野俊郎³，^○福田幸夫¹
• 13窒素プラズマ誘起固液界面反応によるHfSiON膜作製:層間SiO₂厚さの影響防大 ^○北嶋　武，中野俊樹
• 14放射光光電子分光によるTiN/HfSiO/Al₂O₃/SiO₂ゲートスタック構造の深さ方向プロファイリング東大¹，JST-CREST²，東大放射光機構³，JST-さきがけ⁴，パナソニック^{5 ○}豊田智史^1,2,3，組頭広志^1,3,4，尾嶋正治^1,2,3，菅谷英生⁵，森田弘洋⁵
• 15in-situ FT-IR ATRを用いたALD-Al₂O₃薄膜中における不純物Carbonの分析東芝 生産技術センター ^○池上友佳子，松葉　博，石川　諭，尾上誠司
• 16ECRスパッタ法により窒素組成を制御したHfON絶縁膜の形成東工大総理工 ^○大西峻人，佐野貴洋，大見俊一郎
• 17ECRスパッタ法により形成したHf窒化膜の電気的特性東工大 ^○韓　ヒ成，大見俊一郎
• 18HfOxNy膜作製における窒素導入手法の検討東京農工大 ^○森近真也，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 19High-k/Si構造における界面準位密度のスペクトル解析東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}久保田透¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat²，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 20急熱結晶化法によるSi基板上エピタキシャルHfO₂膜の成長と0.5 nm EOTの実現MIRAI-産総研 ^○右田真司，森田行則，水林　亘，太田裕之

26a-KW - 1～11

• 1酸素制御cap-PDAによるサブ0.5 nm EOT higher-k (k～46) HfO₂ゲートスタックの形成MIRAI-産総研ナノ電子 ^○森田行則，右田真司，水林　亘，太田裕之
• 2直接接合HfO₂/Si MOSFETの界面ダイポールとチャネル移動度産総研 ^○宮田典幸，石井浩之，板谷太郎，安田哲二
• 3高誘電率HfO₂膜における非平衡結晶相変態機構の解析東大院工 ^○中嶋泰大，喜多浩之，西村知紀，長汐晃輔，鳥海　明
• 4TiN/High-k/SiO₂中Hf及びLaの拡散現象に対するpoly-Si上部電極の影響阪大院工 ^○大嶽祐輝，有村拓晃，佐伯雅之，北野尚武，細井卓治，志村孝功，渡部平司
• 5CVDにより形成したCeO₂の誘電率周波数分散の成長プロセス依存性東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，産総研^{3 ○}幸田みゆき^1,3，小澤健児^1,3，角嶋邦之²，Parhat Ahmet¹，岩井　洋¹，卜部友二³，安田哲二³
• 6界面酸素の化学ポテンシャルデザインに基づく極微細MONOS型メモリーの原子レベルの設計指針筑波大院数物質¹，大阪大院基礎工^{2 ○}山口慶太¹，大竹　朗¹，神谷克政¹，重田育照²，白石賢二¹
•  休憩　11:00～11:15
• 7Si/La₂O₃/n-Si構造に対するFlash Lamp Annealingの電気特性への影響東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}金田　翼¹，幸田みゆき¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 8W電極/La₂O₃絶縁膜界面へのLa-silicate層形成によるMOSキャパシタの電気特性への影響東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}来山大祐¹，小柳友常¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 9MIPS構造による希土類MOSデバイスのEOTスケーリングの検討東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}川那子高暢¹，来山大祐¹，鈴木拓也¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 10MgO添加によるLa₂O₃ MOS キャパシタの電気特性の変化東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}小柳友常¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 11希土類酸化物キャップLa₂O₃ MOSデバイスに対する希釈酸素雰囲気熱処理を用いたV_FBシフトの検討東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}鈴木拓也¹，川那子高暢¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
•  昼食　12:30～13:30

26p-KW - 1～19

• 1超薄いHigh-kゲートスタックMOSFETにおける電子移動度の劣化東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}買買提熱夏提買買提¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat²，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，岩井　洋¹
• 2高アスペクト比トレンチ構造を用いた超臨界流体製膜法による高密度3次元キャパシタの作製東大¹，Beans Project 3D BEANS Center²，デンソー^{3 ○}百瀬　健^1,2，山田英雄²，北村康宏³，浅海一志³，霜垣幸浩¹，杉山正和¹
• 3LaAlSiOの絶縁破壊寿命の分布におけるAl組成の影響東芝研究開発センター¹，早大基幹理工²，東芝セミコンダクター社^{3 ○}平野　泉¹，諸田　昇²，秋山直緒³，柳澤政生²，三谷祐一郎¹
• 4高温バイアス下におけるHfLaSiO絶縁膜の絶縁特性劣化現象阪大院工 ^○細井卓治，佐伯雅之，有村拓晃，北野尚武，志村考功，渡部平司
• 5EBICとTDDB によるHigh-kゲートスタック破壊メカニズムの解明物材機構¹，筑波大^{2 ○}陳　　君¹，関口隆史¹，高瀬雅美¹，深田直樹¹，蓮沼　隆²，山部紀久夫²，佐藤基之¹，山田啓作²，知京豊裕¹
• 6High-k絶縁膜中の欠陥生成と信頼性劣化 - HfSiON中の水素と酸素欠損 -東芝研開セ ^○中崎　靖，平野　泉，加藤弘一，三谷祐一郎
• 7MBE成長したCa_xSr_1-xF₂ / GaAs (001) 界面層の評価東芝¹，宮大工^{2 ○}武内　健¹，圷　晴子¹，川口谷ひとみ¹，小池三夫¹，竹野史郎¹，原口智宏²，尾関雅志²
• 8表面処理の違いがLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47As界面の化学結合状態に及ぼす影響東京都市大工¹，東工大総理工²，東工大フロンティア研^{3 ○（M1）}山下晃司¹，沼尻侑也¹，野平博司¹，角嶋邦之²，岩井　洋³
• 9La₂O₃/InGaAs MOS キャパシタに及ぼす界面特性の熱処理による変化東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，National Chiao Tung Univ.^{3 ○}神田高志¹，Dariush Zade¹，Yueh Chin Lin³，角嶋邦之²，Parhat Ahmet¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，Edward Yi Chang³，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
•  休憩　15:45～16:00
• 10Impact of Al(CH₃)₃ dosage in initial cycles of Al₂O₃ ALD on MIS properties of InGaAs産総研¹，住友化学²，東大^{3 ○（PC）}Jevasuwan Wipakorn¹，卜部友二¹，前田辰郎¹，宮田典幸¹，安田哲二¹，山田　永²，秦　雅彦²，田岡紀之³，竹中　充³，高木信一³
• 11窒素プラズマを用いたAl₂O₃/InGaAs MOS構造の価電子帯近傍界面特性の改善東大¹，産業技術総合研究所²，住友化学^{3 ○}李　成薫¹，飯田　亮¹，金　相賢¹，星井拓也¹，田岡紀之¹，横山正史¹，ウィポコーン ジェバスワン²，安田哲二²，山田　永³，福原　昇³，秦　雅彦³，竹中　充¹，高木信一¹
• 12ALD-Al₂O₃/InP界面におけるコンダクタンスカーブの定量解析東大院工¹，産総研²，住友化学^{3 ○（PC）}田岡紀之¹，横山正史¹，金　相賢¹，鈴木麗菜¹，星井拓也¹，飯田　亮¹，李　成薫¹，卜部友二²，宮田典幸²，山田　永³，安田哲二²，福原　昇³，秦　雅彦³，竹中　充¹，高木信一¹
• 13表面窒化Ge基板の高温酸化に関する検討東京農工大・工 ^○冨田　翔，河面英夫，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 14低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化(NBO)を用いた高品質GeO2膜の形成東北大¹，産総研^{2 ○}和田章良¹，遠藤和彦²，昌原明植²，寒川誠二¹
• 15GeO₂/Ge界面で形成された酸素空孔支援によるGeO₂の結晶化東大院工¹，JST-CREST^{2 ○（DC）}王　盛凱^1,2，喜多浩之^1,2，西村知紀^1,2，長汐晃輔^1,2，鳥海　明^1,2
• 16硬X線光電子分光法による金属電極/GeO₂絶縁膜界面反応の解析TRC¹，阪大院工^{2 ○}小川慎吾¹，須田泰市¹，山元隆志^{1, 2}，秀島伊織²，朽木克博²，細井卓治²，志村考功²，渡部平司²
• 17GeO₂膜の吸湿性と固定電荷の生成農工大 ^○鬼木悠丞，上野智雄
• 18第一原理計算によるGeO₂/Ge(001)界面構造の解析阪大院工 ^○（D）齊藤正一朗，小野倫也
• 19ゲルマニウム熱酸化膜中の残留秩序構造阪大院工 ^○志村考功，下川大輔，松宮卓也，細井卓冶，渡部平司

27a-KW - 1～11

• 1酸素欠損GeO₂薄膜の原子レベル誘電特性電通大院電子¹，電通大院先進理工^{2 ○（M2）}田村雅大¹，赤崎充洋²，中村　淳^1,2
• 22層パッシベーション法で作製したGe-MOSFETの電気特性九大・総理工¹，九大・産学セ^{2 ○}山本圭介¹，上野隆二¹，山中　武¹，平山佳奈¹，楊　海貴²，王　　冬²，中島　寛²
• 3Ge-MOSキャパシタに於けるTiNメタルゲート形成後の熱処理効果九大・院総合理工学府¹，九大・産学連携センター^{2 ○}岩村義明¹，坂本敬太¹，平山佳奈¹，山本圭介¹，楊　海貴²，王　　冬²，中島　寛²
• 4角度分解X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 III東京都市大¹，Warwick大^{2 ○（M1）}小松　新¹，那須賢太郎¹，星　裕介¹，榑林　徹¹，澤野憲太郎¹，マクシム ミロノフ²，野平博司¹，白木靖寛¹
• 5金属/Ge界面に導入した酸化膜と硫化膜がFermi-level pinningに与える影響の比較東大院工¹，JST-CREST^{2 ○}西村知紀^1,2，李　忠賢^1,2，長汐晃輔^1,2，喜多浩之^1,2，鳥海　明^1,2
• 6Ge上におけるHigh-k膜安定化東京農工大・工 ^○鈴木祐也，河面英夫，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
•  休憩　11:00～11:15
• 7HfO₂/Ge MIS構造のHCl表面処理による電気的特性の向上大阪大基礎工 ^○（B）久保和樹，Donghun Lee，金島　岳
• 8極薄膜GeOx界面特性の膜厚依存性東大院工 ^○（D）張　　睿，岩崎敬志，田岡紀之，竹中　充，高木信一
• 9EOT薄層化に向けた後酸化Al₂O₃/GeO₂/Geゲートスタックの作製と評価阪大 ^○秀島伊織，朽木克博，糟谷篤志，細井卓治，志村考功，渡部平冶
• 10熱処理によるAl₂O₃/Ge界面構造制御名大院工 ^○柴山茂久，加藤公彦，坂下満男，竹内和歌奈，中塚　理，財満鎭明
• 11HfO₂/Ge界面へのTiO_x挿入による界面反応制御広大院 先端研¹，名大院工^{2 ○（M2）}藤岡知宏¹，大田晃生¹，三嶋健斗¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²