13. 半導体A（シリコン）

24p-BA - 1～14

• 1ナノインデンテーション法を用いたSi(111)表面の原子ステップ制御筑波大数理¹，TIMS^{2 ○}工藤　駿¹，蓮沼　隆^1,2，山部紀久夫^1,2
• 2湿度掃引下でのin-situ XPS測定によるSiO₂上に形成された吸着水層の観察阪大院工¹，バークレー国立研^{2 ○}有馬健太¹，Hendrik Bluhm²，Miquel Salmeron²
• 3レーザ急速加熱によるシリコン中の埋め込みボイド層形成東京農工大¹，日新イオン機器^{2 ○}神田　康¹，加藤　航¹，蓮見真彦¹，鮫島俊之¹，立道潤一²，井内　裕²，内藤勝男²
• 4レーザ急速加熱による少数キャリアライフタイムの減少東京農工大¹，Aurea Works Corporation^{2 ○}加藤　航¹，神田　康¹，吉冨真也¹，蓮見真彦¹，鮫島俊之¹，佐野直樹²
• 5太陽電池電極用アルミニウムのシリコン基板との反応性阪大産研¹，科技振・戦略基礎^{2 ○}井川麻衣^1,2，高橋昌男^1,2，小林　光^1,2
• 6燐酸エッチングにおける液中のSi濃度と光の影響ルネサスエレクトロニクス¹，ルネサスセミコンダクター九州・山口^{2 ○}齋藤俊介¹，古山幸宏²，松舟久美子²
•  休憩　14:30～14:45
• 7枚葉IPA乾燥プロセスにおける雰囲気中アンモニア成分の影響東京エレクトロン九州¹，ソニー^{2 ○}川渕洋介¹，南　輝臣¹，萩本賢哉²，岩元勇人²
• 8金属汚染除去プロセスにおける金属及び下地膜種の影響(2)ソニーセミコンダクタ九州¹，ソニー^{2 ○}齋藤　卓¹，萩本賢哉²，岩元勇人²
• 9高濃度湿潤オゾンによるフォトレジストの高速除去金沢工大¹，岩谷産業²，阪大^{3 ○}安形行広¹，後藤洋介¹，河野昭彦¹，牧平尚久²，小池国彦²，堀邊英夫^1,3
• 10電解硫酸液による枚葉処理方式でのレジスト剥離の検討栗田工業 ^○山川晴義，内田　稔，永井達夫
• 11枚葉式シリコンウエハ湿式洗浄機における水流の数値解析(２)横浜大院工¹，プレテック^{2 ○}大橋新太郎¹，土持鷹彬¹，羽深　等¹，木下哲男²
• 12液滴洗浄における粒子除去閾値エネルギーの検討大日本スクリーン製造 ^○佐藤雅伸，宗徳皓太，山口久美子，泉　　昭
• 13微小パーティクル除去可能な新しいダメージレス洗浄技術大日本スクリーン製造 ^○藤原直澄，加藤雅彦，宮　勝彦，泉　　昭
• 14超純水中の尿素高度除去方法栗田工業 ^○床嶋裕人