13. 半導体A（シリコン）

24a-KM - 1～11

• 1ナトリウム内包量を変化させたシリコンクラスレートの半導体的物性岐大院工¹，岐阜高専²，明石高専^{3 ○}姫野呂人¹，大橋史隆¹，長瀬友彦¹，伴　隆幸¹，久米徹二¹，羽渕仁恵²，飯田民夫²，堤　保雄³，野々村修一¹
• 2反応性スパッタリング法で作製したTaN薄膜の熱処理依存性明大理工 ^○田島裕章，勝俣　裕，植草新一郎
• 3SiGe-S/D p-MOSFETの電子線照射による劣化と熱処理による回復特性中央電子工業¹，熊本高専²，imec³，宮崎大^{4 ○}中島敏之^1,4，出本竜也²，角田　功²，高倉健一郎²，米岡将士²，大山英典²，Mireia Gonzalez³，Eddy Simoen³，Cor Claeys³，吉野賢二⁴
• 4IGBTの電子線照射及び熱処理による影響熊本高専¹，ルネサスエレクトロニクス²，中央電子工業³，宮崎大^{4 ○}津曲大喜¹，高倉健一郎¹，角田　功¹，米岡将士¹，中林正和²，中島敏之^3,4，大山英典¹
• 5オン電流特性の異なるMOSデバイスの3次元STEM観察日立製作所　中央研究所¹，MIRAI-Selete²，日立ハイテクノロジーズ^{3 ○}山根未有希¹，小野志亜之¹，奥島浩久³，矢野史子²，角村貴昭²，高口雅成¹，西田彰男²，柿林博司³，最上　徹²，大路　譲²
•  休憩　10:45～11:00
• 6n,p-type Siウエハの非破壊キャリア濃度測定古河機械金属¹，理研仙台²，東北大院理^{3 ○}濱野哲英¹，高津好伸¹，大野誠吾^2,3，南出泰亜²，伊藤弘昌²，薄　善行¹
• 7電荷保存を考慮したSTMキャリア分布計測シミュレーション産総研¹，富士通セミコンダクタ^{2 ○}福田浩一¹，西澤正泰¹，多田哲也¹，鈴木　腕²，佐藤成生²，有本　宏¹，金山敏彦¹
• 8レーザー補助３次元アトムプローブによる¹⁸O-enriched SiO₂薄膜の組成分析東芝研究開発センター¹，物質材料研究機構²，CREST-JST^{3 ○}金野晃之^1,3，富田充裕¹，大久保忠勝^2,3，竹野史郎¹，宝野和博^2,3
• 9TiN堆積によるn-Ge基板へのオーミックコンタクトの形成九大総理工¹，九大KASTEC^{2 ○}井餘田昌俊¹，楊　海貴²，王　　冬²，中島　寛²
• 10電解めっき法によるゲルマニウム薄膜の形成と熱的安定性芝浦工大 ^○角井基秀，前田高広，上野和良
• 11アモルファスSiO₂中の酸素空孔の拡散富士通研 ^○高橋憲彦，山崎隆浩，金田千穂子
•  昼食　12:30～13:30

24p-KM - 1～15

• 1圧縮歪ゲルマニウム中の自己拡散慶大理工¹，東京都市大²，UC Berkeley³，The Univ. of Warwick^{4 ○}河村踊子¹，植松真司¹，伊藤公平¹，星　裕介²，澤野憲太郎²，白木靖寛²，Eugene Haller³，Masksym Myronov⁴
• 2第一原理計算によるドーパント表面偏析挙動の検討都市大 ^○飯島郁弥，安倍章太郎，澤野憲太郎，丸泉琢也
• 3金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変化の理論的検討千葉大理 ^○小日向恭祐，中山隆史
• 4有限要素シミュレーションおよびEBSP測定を用いたSi中の異方性応力に関する考察明大理工¹，学振特別研究員DC^{2 ○（M1）}富田基裕¹，小瀬村大亮^1,2，武井宗久¹，永田晃基¹，赤松弘彬¹，小椋厚志¹
• 5液浸ラマン分光法によるSiのせん断応力評価明治大理工¹，学振研究員^{2 ○（D）}小瀬村大亮^1,2，武井宗久¹，永田晃基¹，赤松弘彬¹，富田基裕¹，小椋厚志¹
• 6ラマン分光法およびEBSPによる多結晶シリコンの各種面方位における応力テンソル解析明大¹，学振研究DC^{2 ○}武井宗久¹，鮫島　崇¹，永田晃基¹，小瀬村大亮^1,2，小椋厚志¹
• 7微小制限視野電子回折法による各種デバイスの局所格子歪み解析東レリサーチセンター¹，日立ハイテクノロジーズ^{2 ○}伊藤俊彦¹，内城貴則¹，杉江隆一¹，福井宗利²，松本弘昭²，仲野靖孝²，柿林博司²
• 8ストライプ加工したひずみSi層のラマン計測による軸分解応力解析MIRAI-産総研¹，MIRAI-東芝^{2 ○}多田哲也¹，ウラジミール ポボロッチ¹，臼田宏治²，金山敏彦¹
• 9熱プラズマジェットミリ秒熱処理による高密度Pt ナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用名大院工¹，広大院先端研^{2 ○}牧原克典¹，山根雅人²，森澤直也²，松本和也²，池田弥央²，東清一郎²，宮崎誠一¹
•  休憩　15:45～16:00
• 10熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPtシリサイドナノドットの形成広島大¹，名大^{2 ○}山根雅人¹，池田弥央¹，森澤直也¹，松原良平¹，西田悠亮¹，松本和也¹，林　将平¹，牧原克典²，宮崎誠一²，東清一郎¹
• 11高密度自己整合集積したSi系量子ドットのエレクトロルミネッセンス名大院工¹，広島国際学院大²，広大院先端研^{3 ○}牧原克典¹，出木秀典²，森澤直也³，池田弥央³，宮崎誠一¹
• 12ホットインプランテーションによるSiナノワイヤへのPドーピング筑波大院電子・物理工¹，物材機構²，JSTさきがけ^{3 ○}滝口　亮¹，石田慎哉¹，横野茂輝¹，深田直樹^2,3，菱田俊一²，陣　　君²，関口隆史²，村上浩一¹
• 13デバイス評価に向けたSiナノワイヤーの発光測定筑波大院数物¹，東工大総理工²，東工大フロンティア研^{3 ○}櫻井蓉子¹，大毛利健治¹，山田啓作¹，角嶋邦之²，岩井　洋³，白石賢二¹，野村晋太郎¹
• 14Measurements of the Position-Dependent Potential and Conductance along Passivated SOI Nanowires by Multimode Scanning Probe Microscopy産総研 ナノ電子デバイス研究センター¹，筑波大数理物質科学研究科^{2 ○}Leonid Bolotov^1,2，Vladimir Poborchi¹，多田哲也¹，森田行則¹，金山敏彦¹
• 15Ag₂O/HFを用いた化学エッチングによるシリコンナノワイヤの作製と評価群馬大工¹，群馬大院工^{2 ○}加藤優希¹，安達定雄²