13. 半導体A（シリコン）

25p-CE - 1～7

• 1イントロダクトリートーク：今後の種々デバイスでの信号伝達／配線技術（15分）産総研 ^○小川真一
• 2集積回路における信号伝送技術の基礎と今後の展望（45分)東工大 ^○松澤　昭
• 3Cu再配線の微細化と微細バンプ接合による低消費電力SiP(30分)東芝セミコン社 ^○江澤弘和，右田達夫，猪原正弘，宮田雅弘，福田昌利，細美英一
• 4シリコン貫通光インターコネクション(TSPV)を用いた光電子三次元集積化技術(45分)東北大未来¹，東北大院工²，東北大院医工^{3 ○}福島誉史¹，乗木暁博²，田中　徹^2,3，小柳光正¹
•  休憩　15:15～15:30
• 5ウエハレベル異種デバイスシステムインテグレーション技術によるフレキシブル擬似SoC（30分）東芝研究開発センター ^○山田　浩，小野塚豊，飯田敦子，板谷和彦，舟木英之
• 6積層フレキシブルメモリ技術：３次元集積回路におけるロジックとメモリの新規接続方法(30分)ルネサスエレクトロニクス ^○水野正之
• 7原子レベルの金属ナノ配線とエレクトロマイグレーション（45分）東大生研¹，東大ナノ量子機構²，科学技術振興機構CREST^{3 ○}平川一彦^1,2,3，梅野顕憲¹，吉田健治¹，坂田修一¹