12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

24a-BU - 1～20

• 1メチル末端基を有したピレン誘導体のホール輸送特性九工大院・生命体工¹，九工大院・応化²，九工大院・情報工³，九工大院・先端エコ^{4 ○}岡　美里¹，森口哲次²，永松秀一³，高嶋　授⁴，金藤敬一¹
• 2ナフトジチオフェン-ジケトピロロピロールコポリマーのFET特性広島大院工 ^○品村祥司，宮碕栄吾，尾坂　格，瀧宮和男
• 3可溶化酸化グラフェン添加による有機電界効果トランジスタの特性改善埼玉大院理工¹，埼玉大理²，東大院新領域³，三菱ガス化学^{4 ○}菅沼洸一¹，坂本　舞²，斉木幸一朗³，後藤拓也⁴，上野啓司^1,2
• 4チオフェン系低分子有機半導体の輸送特性九工大 ^○石川修平，高宮和博，奥　慎也，永松秀一，高嶋　授，金藤敬一
• 5薄膜トランジスタ用新規可溶性ナフタレンジイミド誘導体信州大・繊維¹，大日精化工業²，JST・さきがけ^{3 ○（M1）}横田洋一郎¹，全　現九¹，小熊尚実²，平田直毅²，市川　結^1,3
• 6Regioregular ヘキシルチオフェンオリゴマーを有するπ共役高分子の合成とキャリヤ移動度佐大理工¹，物質・材料研究機構^{2 ○}江良正直¹，権藤勝一¹，安田　剛²
• 7tert-Butyl 基を導入したDBTTF 誘導体を用いた有機トランジスタの安定化東工大 ^○長久保準基，芦沢　実，谷岡明彦，森　健彦
• 8電荷移動錯体微粒子を電極に用いた有機トランジスタ東工大理工¹，ＣＮＲＳ　ＬＣＣ²，トゥールース大^{3 ○}角屋智史¹，Dominique De Caro^2,3，Kane Jacob^2,3，Christophe Faulmann^2,3，Lydie Valade^2,3，森　健彦¹
• 9ヘリンボーン構造における伝導の角度依存性に関する理論的考察東工大院理工 ^○小島広孝，森　健彦
• 10液晶性有機トランジスタの電気的特性に与える分子配向の効果山梨大 ^○小野島紀夫，新谷依紀，北原新一，高橋　努，加藤孝正，原本雄一郎
• 11下地層を有するペンタセントランジスタの移動度の異方性の考察立命館大理工 平木伴典，川口竜彦，大倉丈弘，^○藤枝一郎
• 12溶媒乾燥時の基板条件がポリマートランジスタへ与える影響立命館大理工 池谷啓太，近藤裕樹，杉本康裕，川口竜彦，^○藤枝一郎
• 13ｐ、ｎ型ジスチリルベンゼン誘導体による両極性トランジスタの特性九工大院・生命体工¹，九工大院・情報工²，先端エコ^{3 ○}三成将平¹，中原祐貴²，奥　慎也¹，永松秀一²，高嶋　授³，金藤敬一¹
• 14CuPc/Pentacene積層によるp型MBOTの高性能化山形大院理工 ^○（M1）秋庭涼太郎，中山健一，城戸淳二
• 15ボトムゲート/ボトムコンタクト型ペンタセンFETへの分子ドーピング京大院工¹，東洋大バイオナノ^{2 ○（M1）}若月雄介¹，野田　啓¹，和田恭雄²，鳥谷部達²，松重和美¹
• 16過渡状態でのペンタセン有機FETの活性化エネルギー東工大院・電物¹，スロバキア科学アカデミー^{2 ○（DC）}Jack Lin¹，Martin Weis²，田口　大¹，間中孝彰¹，岩本光正¹
• 17Charges accumulation at the interface of heterojunction of pentacene and perfluoropentacene阪大基礎工 ^○Toan Pham，Yoshitaka Kawasugi，Hirokazu Tada
• 18時間分解SHG 測定によるMIS構造素子内部のキャリア挙動の評価東工大 ^○宮沢　亮，田口　大，間中孝彰，岩本光正
• 19インピーダンス分光による有機ＭＩＳダイオードの界面準位評価‐温度依存性‐大阪府大院工¹，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研²，大阪府立産技総研³，大阪市工研^{4 ○}八田英之¹，宮川雄飛¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，村上修一³，渡辺　充⁴，松川公洋⁴，内藤裕義^1,2
• 20ペンタセン単分子膜相は基板相互作用起因か？：MD計算による解析 II産総研¹，日立ケンブリッジ研^{2 ○}米谷　慎¹，川崎昌宏²，安藤正彦²

25a-BU - 1～20

• 1イオンゲルを用いた有機単結晶トランジスタの高性能化早大先進¹，東北大理²，東大工³，電中研⁴，CREST⁵，PRESTO^{6 ○}ディー ウェン¹，蓬田陽平²，澤部宏輔²，下谷秀和³，小野新平⁴，岩佐義宏^3,5，竹延大志^1,6
• 2カルシウム/ルブレン単結晶界面における接触抵抗評価早大先進理工¹，東北大理²，東京大工³，JST-CREST⁴，JST-PREST^{5 ○}今川雅貴¹，澤部宏輔²，サトリア ビスリ²，蓬田陽平²，岩佐義宏^3,4，竹延大志^1,5
• 3DPh-NDT誘導体の合成とそのキャリア注入層としての応用広島大院工 ^○瀬田　梢，品村祥司，尾坂　格，宮碕栄吾，瀧宮和男
• 4塗布プロセスによるF₄-TCNQ/C₈-BTBT複合有機半導体の高移動度トランジスタ阪大院理¹，阪大産研²，広大院工^{3 ○}添田淳史¹，山岸正和¹，植村隆文²，広瀬友里²，宇野真由美²，瀧宮和男³，竹谷純一^1,2
• 5多結晶半導体を用いた塗布型有機トランジスタの折り曲げ特性東大工¹，東大ナノ量子機構^{2 ○}徳原健富¹，福田憲二郎¹，横田知之¹，関谷　毅¹，染谷隆夫^1,2
• 6単層または多層Agナノ粒子トラップ層を持つペンダセン有機トランジスタの特性東工大¹，スロバキア^{2 ○（D）}李　建権¹，マーティン ワイス²，林　子傑¹，田口　大¹，マイコヴァ エヴァ²，間中孝彰¹，岩本光正¹
• 7大気中安定な大電流駆動三次元ポリマーFET阪大産研¹，阪府産技研²，広大院工^{3 ○}中山健吾¹，宇野真由美^1,2，尾坂　格³，瀧宮和男³，竹谷純一¹
• 8グラフェンナノリボンソース-ドレイン電極を用いた有機電界効果トランジスタ東工大院理工 ^○于　　妍，中島慶太，今泉伸治，鴻巣裕一，坪井一真，松本英俊，芦沢　実，森　健彦，皆川美江，谷岡明彦
• 9ポリフルオレン薄膜を用いた両極性トップゲート型有機電界効果トランジスタにおける紫外光照射の影響阪大先端センター ^○寺島大樹，小岩井恭平，楠本悠介，梶井博武，大森　裕
• 10真空蒸着法によるPVPゲート絶縁膜形成東工大総理工¹，建国大^{2 ○}神野浩介¹，石原　宏^1,2，大見俊一郎¹
• 11ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体を用いたトップゲート型有機電界効果トランジスタの高移動度化大阪府大¹，RIMED²，広島大³，日本化薬⁴，九大OPERA^{5 ○（B）}望月文雄¹，遠藤歳幸¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，瀧宮和男³，池田征明^4,5，内藤裕義^1,2
• 12ダブルゲート構造塗布型有機トランジスタのトップゲート・ボトムゲートモードのキャリア輸送特性大阪府大¹，RIMED²，帝人　融合技研^{3 ○（B）}高木謙一郎¹，吉川真史¹，遠藤歳幸¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，串田　尚³，内藤裕義^1,2
• 13浮遊薄膜転写法を用いた有機半導体層の大面積高配向薄膜作成と輸送特性九工大院・生命体工¹，九工大院・情報工²，九工大院・先端エコ^{3 ○（M1）}本間亮嗣¹，江崎燗太朗¹，永松秀一²，金藤敬一¹，高嶋　授³
• 14ソフトリソグラフィを用いてパターン形成した高分子電界効果トランジスタの作製信州大工 ^○（B）金井　涼，伊東栄次
• 15ソフトリソグラフィによる直接電極パターン形成したトップコンタクト型フラーレン薄膜トランジスタの作製信州大工 ^○伊東栄次，浦　裕亮
• 16背面露光法を用いた有機TFTの自己整合素子分離技術名市工研¹，中科センター²，ブラザー³，富山大^{4 ○}村瀬　真¹，板垣元士²，林　英樹¹，小島雅彦¹，宮林　毅³，井上豊和³，大森匡彦³，鈴木慎一³，中　茂樹⁴，岡田裕之⁴
• 171つの電極パターンから複数の有機TFTを形成するための自己整合技術名市工研¹，中科センター²，ブラザー³，富山大^{4 ○}村瀬　真¹，板垣元士²，林　英樹¹，小島雅彦¹，宮林　毅³，井上豊和³，大森匡彦³，鈴木慎一³，中　茂樹⁴，岡田裕之⁴
• 18イオン液体を絶縁層に用いたポルフィラジン薄膜相補型インバーター名大院理¹，名大物国研, JST-CREST^{2 ○（D）}藤本卓也¹，三吉康仁¹，松下未知雄¹，阿波賀邦夫²
• 19サブフェムトインクジェットを用いた低電圧駆動有機トランジスタと集積回路の作製東大工¹，マックスプランク研究所²，広島大³，日本化薬⁴，東大ナノ量子機構^{5 ○}横田知之¹，野口儀晃¹，加藤　裕¹，関谷　毅¹，福田憲二郎¹，中川　隆¹，栗原一徳¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，山本達也³，瀧宮和男³，池田征明⁴，桑原博一⁴，染谷隆夫^1,5
• 20スクリーン印刷電極を用いた有機擬CMOSインバータ回路東大工¹，東大生研²，日本化薬³，広島大工⁴，カリフォルニア大サンタバーバラ⁵，東大ナノ量子機構^{6 ○}小橋泰之¹，福田憲二郎¹，横田知之¹，栗原一徳¹，Tsung-Ching Huang²，池田征明³，桑原博一³，山本達也⁴，Kwang-Ting Cheng⁵，染谷隆夫^1,6，瀧宮和男⁴，関谷　毅¹

26a-BU - 1～11

• 1高度に拡張したπ電子系をもつDATTの合成と電界効果トランジスタへの応用広島大院工 ^○（M1）新見一樹，姜　明辰，宮崎栄吾，尾坂　格，瀧宮和男
• 2ホール輸送性発色団を中心骨格とした液晶の合成とキャリア移動度佐大理工 ^○江良正直，河野慎司
• 3ペンタセン電界効果トランジスタのインピーダンス分光 -トランジスタ動作状態におけるチャネル形成過程-千葉大院融合¹，千葉大先進²，アウグスブルク大^{3 ○}田中有弥¹，野口　裕^1,2，Michael Kraus³，Wolfgang Bruetting³，石井久夫^1,2
• 4光第２次高調波による有機発光トランジスタのキャリア挙動の直接観測東工大院理工¹，檀国大²，キャヴェンディッシュ研究所^{3 ○}大嶋優記¹，平子宣明¹，金　英輝¹，間中孝彰¹，岩本光正¹，銀珠　林²，Henning Sirringhasu³
• 5FI-ESR法によるDNTT薄膜トランジスタの微量不純物分析住化分析センター¹，産総研光技術²，東大新領域³，広大工^{4 ○}高橋永次^1,2，松井弘之^2,3，瀧宮和男⁴，長谷川達生²
• 6FI-ESR法による有機薄膜トランジスタのグレイン間ポテンシャル障壁の評価産総研光技術¹，東大新領域²，住化分析センター³，山形大工⁴，広大工^{5 ○（D）}松井弘之^1,2，高橋永次^1,3，熊木大介⁴，時任静士⁴，瀧宮和男⁵，長谷川達生¹
•  休憩　11:30～11:45
• 7高移動度有機半導体単結晶薄膜のダブルショット・インクジェット印刷産総研光技術¹，東大²，物構研CMRC^{3 ○}峯廻洋美¹，山田寿一¹，千葉亮輔^1,2，松井弘之^1,2，堤　潤也¹，Haas Simon¹，熊井玲児^1,3，長谷川達生¹
• 8高撥水性基板上における有機半導体の簡易成膜プロセス開発産総研光技術 ^○井川光弘，千葉亮輔，松井弘之，所　和彦，山田寿一，長谷川達生
• 9裏面重合によるポリジアセチレン薄膜を用いたOFETの高性能化九大¹，リコー²，九大・CFC^{3 ○（B）}森永秀一¹，加藤拓司^2,3，加藤喜峰¹，安達千波矢²
• 10塗布工程によるフラーレンC₆₀ 薄膜トランジスタの作製と高移動度の達成東大ナノ量子機構¹，東大生産研²，神戸大院工^{3 ○（DC）}康　宇建^1,2，北村雅季^2,3，荒川泰彦^1,2
• 11高速応答ルブレン単結晶トランジスタの開発阪大院工¹，阪大産研^{2 ○}藤原孝彰¹，赤井　恵¹，植村隆文²，齋藤　彰¹，竹谷純一²，桑原裕司¹
•  昼食　13:00～14:00

26p-BU - 1～12

• 1DNTT誘導体における置換基と置換位置の結晶構造およびFET特性への影響広大院工 ^○姜　明辰，新見一樹，宮碕栄吾，尾坂　格，瀧宮和男
• 2構造異性ナフトジチオフェンを有する半導体ポリマーにおける構造とOFET特性との相関広大院工 ^○尾坂　格，阿部　達，品村祥司，宮碕栄吾，瀧宮和男
• 3n型ジスチリルチオフェン誘導体のOTFT特性と薄膜構造の相関九工大院 ^○足立大輔，蔵本晃士，永松秀一，森口哲次，高嶋　授，岡内辰夫，溝口勝大，早瀬修二，金藤敬一
• 4プラスチック基板上に作製した大気安定なＮ型有機トランジスタＮＨＫ技研¹，東工大^{2 ○}藤崎好英¹，中嶋宜樹¹，武井達哉¹，河野隆広²，西田純一²，山本敏裕¹，山下敬郎²，藤掛英夫¹
• 5イオンゲルを用いたルブレン単結晶電気二重層トランジスタの電子スピン共鳴筑波大院数物¹，JST さきがけ²，東北大院理³，早大院先進⁴，東大院工^{5 ○（M1）}辻　大毅¹，高橋優貴¹，丸本一弘^1,2，蓬田陽平³，竹延大志^4,2，岩佐義宏⁵
• 6有機単結晶/電極界面における電荷注入障壁の可逆的スイッチング東北大WPI-AIMR¹，東北大薬²，東北大理^{3 ○}野内　亮¹，重野真徳²，山田　直³，谷垣勝己^1,3，山口雅彦^1,2
•  休憩　15:30～15:45
• 7ルブレン単結晶を用いたOFETにおけるキャリアの電子状態京大院理¹，JSTさきがけ²，阪大産研^{3 ○}宮田潔志¹，中井郁代¹，渡邊一也^1,2，石野雄太¹，三輪一元³，植村隆文³，竹谷純一^2,3，松本吉泰¹
• 8Diamond-Like Carbonをゲート絶縁膜に用いた有機薄膜トランジスタ富山大 佐藤竜一，^○武藤広和，柴田　幹，中　茂樹，岡田裕之
• 9自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた有機トランジスタにおける耐熱性能のアルキル鎖長依存性東大工¹，マックスプランク研²，広島大³，日本化薬^{4 ○}栗原一徳¹，内山直哉¹，福田憲二郎¹，横田知之¹，関谷　毅¹，Ute Zschieschang²，Hargen Klauk²，山本達也³，瀧宮和男³，池田征明⁴，桑原博一⁴，染谷隆夫¹
• 10スタンプ法による低電圧駆動有機トランジスタの閾値電圧制御東大工¹，マックスプランク研究所²，広島大³，日本化薬⁴，東大ナノ量子機構^{5 ○（M1）}平田郁恵¹，Ute Zschieschang²，Frederik Ante²，Hagen Klauk²，関谷　毅¹，山本達也³，瀧宮和男³，池田征明⁴，桑原博一⁴，染谷隆夫^1,5
• 11Low temperature fabrication of HfON gate insulator for low-voltage operating pentacene based organic transistorsTokyo Institute of Technology¹，Konkuk University^{2 ○（D）}廖　　敏¹，石原　宏^1,2，大見俊一郎¹
• 12サブフェムトリッターインクジェットを用いた有機トランジスタの電極焼成プロセス東大工¹，マックスプランク研究所²，広島大³，日本化薬^{4 ○（M1）}加藤　裕¹，横田知之¹，関谷　毅¹，栗原一徳¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，山本達也³，瀧宮和男³，池田征明⁴，桑原博一⁴，染谷 隆夫¹

27a-BU - 1～11

• 1ポリイミド光配向膜上に作製した高配向F8T2-電界効果トランジスタ物材機構¹，産総研光技術^{2 ○}坂本謙二¹，安田　剛¹，三木一司¹，近松真之²，阿澄玲子²
• 2ジアルキルジナフトチエノチオフェンを用いた高移動度塗布型有機トランジスタアレイ阪府産技研¹，阪大産研²，阪大院理³，広大院工^{4 ○}宇野真由美^1,2，広瀬友里²，中山健吾³，添田淳史³，中原理恵^1,2，植村隆文²，姜　明辰⁴，瀧宮和男⁴，竹谷純一²
• 3電荷変調分光法によるペンタセンFETにおける両極性動作の評価東工大院理工 ^○間中孝彰，川島　啓，岩本光正
• 4有機半導体分子の熱ゆらぎと有機トランジスタのキャリア伝導阪大産研¹，阪大院理²，筑波大数物³，NEC⁴，東北大WPI-AIMR^{5 ○}植村隆文¹，山岸正和²，高槻有一²，石井宏幸³，小林伸彦³，広瀬賢二⁴，塚田　捷⁵，竹谷純一^1,2
• 5ペンタセントランジスタダイオードの整流特性東大ナノ量子機構¹，東大生研²，神戸大院工^{3 ○}北村雅季^1,2,3，荒川泰彦^1,2
• 6有機トランジスタのガス応答：ゲート電圧依存豊田中研 ^○森　朋彦，菊澤良弘，野田浩司
•  休憩　11:30～11:45
• 7フレキブル基板上に作製した低電圧駆動プリンタブル有機TFTとCMOSインバータ産総研光技術¹，産総研ナノシステム²，鳥取大院工^{3 ○}堀井美徳^1,3，井川光弘¹，名子屋俊介¹，近松真之¹，阿澄玲子¹，牛島洋史¹，八瀬清志²，北川雅彦³，小西久俊³
• 82 V駆動有機擬CMOSインバータ回路の高速動作東大工¹，東大生研²，マックスプランク研³，日本化薬⁴，広大工⁵，カリフォルニア大サンタバーバラ⁶，東大ナノ量子^{7 ○}福田憲二郎¹，Tsung-Ching Huang²，栗原一徳¹，横田知之¹，関谷　毅¹，Ute Zschieschang³，池田征明⁴，山本達也⁵，Kwang-Ting Cheng⁶，染谷隆夫^1,7，Hagen Klauk³，瀧宮和男⁵，桑原博一⁴
• 9In-situ formation of Al/pentacene contact to improve n-type characteristics東工大¹，建国大学校^{2 ○（D）}宋　永旭¹，石原　宏^1,2，大見俊一郎¹
• 10半導体コロイダルドットを分散混合させた薄膜をフローティングゲートとして用いた有機メモリFET和歌山大システム工 ^○梶本かおり，黒川　篤，宇野和行，田中一郎
• 11高効率エミッタ電極による縦型メタルベース有機トランジスタの高速応答山形大院理工 ^○浅野智博，大内　誠，中山健一，城戸淳二