9. 応用物性

9.3 ナノエレクトロニクス

3月24日 10:00~16:45  会場:K2-KR

24a-KR - 3~9

  • 1〜29:30〜10:00(9.2 微粒子・粉体)
  • 3ナノギャップ電極のための分子定規無電解金メッキ(MREP)法の開発東工大応セラ1,CREST-JST2,筑波大理工3 真島 豊1,2,村木太郎1,2,Victor M. Serdio V.1,2,岡林則夫1,2,田中大介2,3,寺西利治2,3
  • 4無電解金メッキナノギャップにおける金ナノ粒子の化学吸着東工大応セラ1,CREST-JST2,筑波大数理3,東北大多元4 岡林則夫1,2,前田幸祐1,2,村木太郎1,2,田中大介2,3,寺西利治2,3,猪狩佳幸4,米田忠弘4,真島 豊1,2
  •  休憩 10:30~10:45
  • 5無電解金メッキナノギャップ電極を用いた単一金ナノ粒子単電子トランジスタ東工大応セラ1,CREST-JST2,筑波大数理3 前田幸祐1,2,岡林則夫1,2,村木太郎1,2,田中大介2,3,寺西利治2,3,真島 豊1,2
  • 6塩基性配位子保護金ナノ粒子ナノギャップ素子におけるクーロンブロッケード現象の常温観察東工大応セラ1,CREST-JST2,筑波大数理3 加納伸也1,2,村木太郎1,2,前田幸祐1,2,岡林則夫1,2,金原正幸2,3,寺西利治2,3,真島 豊1,2
  • 7アルカンジチオール分子接合の電気化学スイッチング東工大院理工1,産総研ナノシステム2,東洋大学際・融合科学3 高橋雄太1,木口 学1,内藤泰久2,堀川昌代2,筒井 謙3,森田正幸3,徳田正秀3,高木 均3,伊藤嘉敏3,和田恭雄3
  • 8フラーレン分子クラスター接合における電子状態東大生研、ナノ量子機構1,JST-CREST2 坂田修一1,2,梅野顕憲1,2,吉田健治1,2,平川一彦1,2
  • 910-time current multiplier based on the Quantum Current Mirror.電通大量子・物質1,電通大先進理工2 ○(D)Srinivas Gandrothula1,水柿義直2,島田 宏2
  •  昼食 12:00~13:00

24p-KR - 1~14

  • 1ESD法による半導体ナノ粒子堆積膜の作製奈良先端大1,CREST2 土江貴洋1,2,堀田昌宏1,2,西田貴司1,2,石河泰明1,2,浦岡行治1,2
  • 2AAOテンプレートを用いたAu/Ag/Auナノワイヤの形成と特性評価関西大1,情報通信研究機構2 綱島祐人1,井上史大1,清水智弘1,大矢裕一1,田中秀吉2,新宮原正三1
  • 3結晶再構成を利用した単結晶ナノギャップ電極の作製産総研1,船井電機新応用研2,筑波大3 菅 洋志1,角谷 透2,古田成生2,植木竜一3,宮澤陽介3,西嶋拓哉3,藤田淳一3,堀川昌代1,清水哲夫1,内藤泰久1
  • 4Au細線を用いたエレクトロマイグレーションのTEM内同時観察北大院情報科学 ○(M1)村上暢介,有田正志,高橋庸夫
  • 5AFM陽極酸化によるInAs量子ドットへの強磁性ナノギャップ電極作製東大生研1,東大ナノ量子機構2,CREST-JST3,東大先端研4 池永恵梨子1,守谷 頼1,増渕 覚1,2,平川一彦1,2,3,石田悟己4,荒川泰彦1,2,町田友樹1,2,3
  • 6単接合型Ptナノギャップ電極の抵抗スイッチング特性に与える配線抵抗の影響京大院工1,京大SACI2,産総研3 石田大貴1,韓 智元1,宮戸祐治1,小林 圭2,松重和美1,清水哲夫3,内藤泰久3,山田啓文1
  • 7AFM/KFMによる単接合型Ptナノギャップスイッチの構造変化/表面電位観察(2)京大院工1,京大SACI2,産総研3 韓 智元1,石田大貴1,宮戸祐治1,小林 圭2,松重和美1,漬水哲夫3,内藤泰久3,山田啓文1
  •  休憩 14:45~15:00
  • 8グラファイトの近赤外イメージングとその場温度測定東京農工大院工 桑原洋介,西村信也,厚母息吹,白樫淳一
  • 9電圧制御型通電過程におけるグラファイトのIn-Situ近赤外線イメージングによる発熱温度分布の検討東京農工大院工 厚母息吹,西村信也,桑原洋介,白樫淳一
  • 10分割型電圧フィードバックエレクトロマイグレーションを用いたNiナノチャネルの抵抗制御進行過程の評価東京農工大院工 北川 潤,安武龍太朗,渡邉敬登,上野俊介,白樫淳一
  • 11電界放射電流誘起型EMによるナノギャップ作製における交互通電手法の検討東京農工大院工 八木麻実子,渡邉敬登,上野俊介,滝谷和聡,須田隆太郎,白樫淳一
  • 12電界放射電流誘起型EMによる集積化ナノギャップでの同時特性制御の検討東京農工大院工 伊藤光樹,上野俊介,渡邉敬登,滝谷和聡,秋元俊介,白樫淳一
  • 13電界放射電流誘起型EMによるNi量子ポイントコンタクトの形成東京農工大院工 須田隆太郎,渡邉敬登,上野俊介,滝谷和聡,八木麻実子,白樫淳一
  • 14電界放射電流誘起型EMによる単電子トランジスタの作製条件と特性制御の検討東京農工大院工 秋元俊介,上野俊介,渡邉敬登,滝谷和聡,伊藤光樹,白樫淳一

9.3 ナノエレクトロニクス

3月26日 9:30~12:30  会場:K2-KT

26a-KT - 1~11

  • 1単電子ポンプ動作を利用した冷却デバイスの開発静大電研 池田浩也,サレ ファイズ
  • 2NiOナノ構造体を用いた不揮発性メモリ効果の動作メカニズム解析阪大産研1,JSTさきがけ2,建国大(韓国)3 岡 敬祐1,柳田 剛1,2,長島一樹1,金井真樹1,川合知二1,3,Jin-soo Kim3,Bae-ho Park3
  • 3酸化物ナノ構造体による不揮発性抵抗スイッチング現象評価阪大産研1,JSTさきがけ2,建国大3 長島一樹1,柳田 剛1,2,岡 敬祐1,金井真樹1,Jin-soo Kim3,Bae Ho Park3,川合知二1,3
  • 4In-Plane Gateデバイスを用いた論理回路の製作と動作早大理工1,NTT BRL2 小松崎優治1,京極智輝1,佐波謙一1,小野満恒二2,山口浩司2,堀越佳治1
  • 5WPG制御GaAsナノワイヤCCDの電荷転送動作北大1,JST2 中野雄紀1,三浦健輔1,白鳥悠太1,葛西誠也1,2
  •  休憩 10:45~11:00
  • 6SiNx絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価北大院情報科学、量集センター1,JSTさきがけ2 村松 徹1,三浦健輔1,白鳥悠太1,葛西誠也1,2
  • 7自己組織化巨大分子を利用したクーロンブロッケードアレイの電気特性阪大産研1,北大工2 瀬川裕司1,三宅雄介1平野義明1,浅井哲也2,川合知二1,松本卓也1
  • 8シトクロムc/DNAネットワークの室温確率増幅阪大産研1,北大工2 松本卓也1,平野義明1,瀬川裕司1,三宅雄介1,浅井哲也2,川合知二1
  • 9シリコン・ナノ細線トランジスタを利用した確率共鳴NTT物性研 西口克彦,藤原 聡
  • 10熱雑音駆動単電子多数決論理回路の最適化横国大院工 ○(M1)伊藤武範,大矢剛嗣
  • 11熱雑音下における単電子確率共鳴回路の新規手法による出力特性評価横国大院工 黒瀧 大,大矢剛嗣