8. プラズマエレクトロニクス

26a-EB - 1～12

• 13次元原子スケールセルモデルによるSiエッチング形状進展シミュレーション:ナノスケール表面ラフネス形成機構の解明京大院工 ^○津田博隆，宮田浩貴，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 2分子動力学法を用いたSiエッチング表面反応解析：Cl，Br，HBrビームエッチングにおけるイオン入射角度依存性京大工 ^○中崎暢也，谷口　健，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 3フーリエ変換赤外吸収分光法を用いたCl₂プラズマによるSiエッチングの表面および気相における反応解析京大院工 ^○福島大介，宮田浩貴，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 4SF₆/O₂プラズマを用いたSiエッチング機構II名大院工¹，JST-CREST²，東芝^{3 ○}尼崎新平¹，竹内拓也¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2，櫻井典子³，林　久貴³，酒井伊都子³，大岩徳久³
• 5Si酸化反応における水素イオン照射効果阪大院工¹，ソニー^{2 ○（D）}伊藤智子¹，唐橋一浩¹，深沢正永²，辰巳哲也²，浜口智志¹
• 6物理的プラズマダメージに対するプロセス最適化問題京大院工 ^○江利口浩二，鷹尾祥典，斧　高一
•  休憩　10:30～10:45
• 7イオンエネルギー分布制御バイアスを用いたFinFET のエッチング形状評価日立中研 ^○上林雅美，森　政士，小林浩之，板橋直志，根岸伸幸
• 8エッチング代替ガスの解離過程名大¹，アルバック^{2 ○}林　俊雄¹，石川健治¹，関根　誠¹，堀　　勝¹，河野明廣¹，鄒　弘綱²
• 9C₃F₆O代替ガスを用いた絶縁膜の高速エッチングとその機構解明(II)名大院工¹，JST-CREST²，旭硝子^{3 ○}近藤祐介¹，宮脇雄大¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，林　俊雄¹，関根　誠^1,2，岡本秀一³，堀　　勝^1,2
• 10In-situ FTIRを用いたプラズマ曝露および大気曝露によるポーラスSiOCH low-k膜の化学組成変化解析名大工¹，JST-CREST^{2 ○（D）}山本　洋¹，浅野高平¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 11デュアルプラズマによる絶縁性基板の加工茨城大院理工 ^○富田和成，増子冬馬，水野　天，池畑　隆，佐藤直幸
• 12CO⁺イオンによるCo,NiおよびTaエッチング反応阪大院工原子分子センター ^○唐橋一浩，伊藤智子，浜口智志
•  昼食　12:15～13:00

26p-EB - 1～19

• 1「プラズマエレクトロニクス分科内招待講演」（30分）
  次世代プラズマ技術へのマイクロ波の応用中部大学 ^○菅井秀郎
• 2「プラズマエレクトロニクス分科内招待講演」（30分）
  高圧マイクロ波放電とその応用静大電研¹，プラズマアプリケーションズ^{2 ○}神藤正士¹，Jan Husarik²，Martin Kral²
• 3フロロカーボンプラズマからのイオン照射によるPMMAのエッチングイールド阪大工¹，産総研² 塚崎泰裕¹，^○吉村　智¹，木内正人^1,2，浜口智志¹
• 4PMMA（ポリメチルメタクリレート）のビームエッチング分子動力学シミュレーション阪大院工 ^○森田泰光，礒部倫郎，浜口智志
• 5フルオロカーボン系エッチング種によるArFフォトレジスト表面改質の解明名大院工¹，JST-CREST^{2 ○}竹内拓也¹，尼崎新平¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
•  休憩　14:45～15:00
• 6プラズマプロセス中における有機薄膜表面反応の実時間・その場観察電子スピン共鳴（ESR）解析名大院工¹，金沢工大²，JST-CREST^{3 ○（M1）}鷲見直也¹，石川健治¹，河野昭彦²，堀邊英夫²，竹田圭吾^1,3，近藤博基¹，関根　誠^1,3，堀　　勝^1,3
• 7プラズマエッチングにおけるArF レジストLine-Edge-Roughness (LER) のポリマー構造依存性東北大¹，三菱レイヨン^{2 ○}上杉拓志¹，加藤圭輔²，安田　敦²，佐久間諭²，前田晋一²，寒川誠二¹
• 8RLSAマイクロ波プラズマを用いた高選択比SiNエッチングプロセス東京エレクトロン技術研究所 ^○井上雅喜，野沢俊久，佐々木勝
• 9分子動力学法を用いたシリコン窒化膜のエッチングシミュレーション大阪工 ^○重川遼太，礒部倫郎，浜口智志
• 10低損傷GaNエッチングのための塩素プラズマビーム表面相互作用と角度分解ＸＰＳによるその場解析名大工¹，名工大工²，阪大院工³，JST-CREST^{4 ○}盧　　翌¹，陳　　尚¹，米谷亮祐¹，石川健治¹，近藤博基¹，竹田圭吾¹，関根　誠^1,4，江川孝志²，天野　浩¹，節原裕一³，堀　　勝^1,4
• 11真空一貫プロセスによるGaNプラズマビームエッチング及び水素ラジカルダメージ層除去とその表界面反応機構の解明名大工¹，NUｴｺ･ｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ²，愛知工大³，JST-CREST⁴，阪大院工⁵，名工大工^{6 ○}陳　　尚¹，盧　　翌¹，米谷亮祐¹，江川孝志⁶，石川健治¹，近藤博基¹，加納浩之²，徳田　豊³，関根　誠^1,4，節原裕一⁵，竹田圭吾¹，天野　浩¹，堀　　勝^1,4
• 12GaNのプラズマエッチング損傷のフォトルミネッセンス評価中部大総工研¹，徳島大院工²，兵庫県立大高度研^{3 ○}中野由崇¹，川上烈生²，新部正人³，武市　敦²，稲岡　武²，富永喜久雄²
•  休憩　16:45～17:00
• 13プラズマ照射されたイットリア材料の表面分析日立中研 ^○池永和幸，廣田侯然，小林浩之，根岸伸幸
• 14基板ホルダを用いた両面エッチング技術の検討日立中研 ^○佐竹　真，前田賢治，伊澤　勝
• 15オンウエハーセンサを用いたプラズマエッチングプロセスにおけるシース形状およびイオン軌道予測東北大¹，みずほ情報総研^{2 ○}荒木良亮¹，和田章良¹，三輪和弘²，岩崎拓也²，小野耕平²，寒川誠二¹
• 16F中性粒子ビームを用いたSiエッチング特性の評価産総研　ナノ電子デバイス¹，理研²，豊工大^{3 ○（PC）}原　安寛¹，浜垣　学²，三瀬孝也²，原　民夫³
• 17中性粒子ビームによるシリコンエッチング（３）BEANSプロジェクト¹，東大²，みずほ情報総研³，東北大^{4 ○}久保田智広^1,2，大塚晋吾³，渡辺尚貴³，岩崎拓也³，小野耕平³，入江康郎¹，杉山正和^1,2，大竹浩人⁴，寒川誠二^1,4
• 18中性粒子ビームのエネルギー・角度分布解析とエッチングシミュレーションへの適用みずほ情報総研¹，BEANSプロジェクト 3D BEANSセンター²，東大³，東北大^{4 ○}大塚晋吾¹，渡辺尚喜¹，岩崎拓也¹，小野耕平¹，額賀　理²，植木真治²，久保田智広^2,3，杉山正和^2,3，寒川誠二^2,4，入江康郎²
• 19第一原理電子状態計算による中性粒子ビーム生成メカニズムの解析IVみずほ情報総研¹，BEANS研究所²，東京大³，東北大^{4 ○}渡辺尚貴¹，大塚晋吾¹，岩崎拓也¹，小野耕平¹，入江康郎²，額賀　理²，植木真治²，久保田智広²，杉山正和^2,3，寒川誠二^2,4