8. プラズマエレクトロニクス

26a-BG - 1～11

• 1メゾプラズマ環境下におけるトリクロロシランを原料とした高速高収率シリコン堆積東大 ^○蘇東 ウ，神原　淳，吉田豊信
• 2パルスアーク型窒素プラズマジェットによる大気圧下での鉄鋼の硬化処理大分大工 ^○市來龍大，永松寛和，岩男忠典，赤峰修一，金澤誠司
• 3電子ビーム励起プラズマを用いた工具鋼の大量窒化処理名城大院¹，名城大^{2 ○}宮本潤示¹，ペトロス アブラハ²
• 4電子ビーム励起プラズマによる複合硬化処理のためのアトム窒化豊田工大 ^○大嶋伸明，市川洋次，大田幹史
• 5紫外光照射プロセスを用いないTiO2表面の超親水化物材機構 ^○石田暢之，藤田大介
• 6プラズマ酸化法で形成した極薄金属酸化膜の成長と絶縁特性豊田中研¹，豊田合成^{2 ○}伊藤　忠¹，山田　登¹，加藤直彦¹，元廣友美¹，上野幸久²，宮崎　毅²
• 7気相中に導入した酢酸亜鉛のプラズマ照射による酸化亜鉛形成阪大接合研 ^○竹中弘祐，奥村祐介，節原裕一
•  休憩　10:45～11:00
• 8大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いたZnO-CVD装置の開発阪府大¹，積水化学工業^{2 ○（B）}野瀬幸則¹，井手康太¹，上原　剛²，藤村紀文¹
• 9大気圧プラズマCVD法によるZnO薄膜の高速形成とその評価阪大院工¹，シャープ^{2 ○}峰　執大¹，山田高寛¹，大参宏昌¹，垣内弘章¹，安武　潔¹，岡崎真也²
• 10大気圧LFプラズマジェットを用いたAZO薄膜の生成愛媛大院理工 ^○岡山　進，劉　テツ，本村英樹，神野雅文，橘　邦英
• 11リモート大気圧プラズマ処理による金属酸化膜の表面改質とその応用京都大工¹，京都大院工² 上田芳彦²，^○秋山知英¹，酒井　道²
•  昼食　12:00～14:30

26p-BG - 1～15

• 1大気圧プラズマを用いた水酸アパタイト結晶層作製法の3次元表面への適用信州大院工¹，信州大工²，東大院工^{3 ○（M1）}榎本弘美¹，手嶋勝弥²，李　先炯²，田嶋聡美³，土屋章一³，一木隆範³，大石修治²
• 2大気圧VHFプラズマによるシリコン酸化膜の常温・高速形成とその構造評価阪大工 ^○横山京司，水野裕介，山田高寛，大参宏昌，垣内弘章，安武　潔
• 3RF駆動大気圧プラズマジェットを用いた銅薄膜堆積静大院工¹，矢崎総業^{2 ○}中廣尚志¹，荻野明久¹，鄭　　偉²，永津雅章¹
• 4大気圧プラズマジェットを用いた常温・大気開放下でのシリコン酸化膜の成膜特性阪大院工¹，パナソニック電工^{2 ○}東田皓介¹，中村　慶¹，柴田哲司²，山田高寛¹，大参宏昌¹，垣内弘章¹，安武　潔¹
• 5熱流束抑制による微結晶シリコン薄膜特性の改善名大工¹，名大プラズマナノ^{2 ○（M1）}伊藤裕紀¹，坂井淳二¹，石島達夫²，豊田浩孝^1,2
• 6薄膜太陽電池製造装置開発に向けたSiH₄/H₂プラズマにおける水素ラジカル表面損失確率計測名大院工¹，JST-CREST^{2 ○}阿部祐介¹，竹田圭吾¹，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 7SiH₄+ B₁₀H₁₄マルチホロー放電プラズマCVDによるp型a-Si:Hの製膜九大システム情報科学府 ^○（M1）中原賢太，川嶋勇毅，松永剛明，佐藤宗治，山本康介，内田儀一郎，山下大輔，板垣奈穂，古閑一憲，白谷正治
• 8マルチホロー放電プラズマCVD 法を用いたラジカルフラックス評価九大 ^○（M1）松永剛明，川嶋勇毅，金　淵元，古閑一憲，中原賢太，佐藤宗治，山下大輔，内田儀一郎，鎌滝晋礼，板垣奈穂，白谷正治
• 9ダブルマルチホロー放電による表面窒化Siナノ粒子含有薄膜のコンビナトリアル成膜九大 ^○（B）山本康介，佐藤宗治，川嶋勇毅，中原賢太，山下大輔，松崎秀文，鎌滝晋礼，板垣奈穂，内田儀一郎，古閑一憲，白谷正治
•  休憩　16:45～17:00
• 10Combinatorial study on deposition profiles of silicon thin films deposited using high gas pressure multi-hollow discharge plasma CVD九大 ^○（D）金　淵元，松永剛明，川嶋勇毅，山下大輔，鎌滝晋礼，板垣奈穂，内田儀一郎，古閑一憲，白谷正治
• 11窒素-水素混合大気圧メゾプラズマジェットを用いたはんだ接合豊橋技術科学大¹，大研化学工業^{2 ○}鹿又大資¹，西尾　啓¹，源　潤一¹，辻井謙一¹，田上英人¹，須田善行¹，滝川浩史¹，志岐　肇²
• 12水素プラズマ処理によるダイヤモンド表面形状神奈川工科大 ^○（M1）比嘉　司，三栖貴行，後藤みき，荒井俊彦
• 13プラズマCVDで製膜したトレンチ基板上の炭素系薄膜の製膜速度の主放電電力依存性九大シス情¹，阪大接合研²，名大院工³，JST,CREST^{4 ○（B）}浦川達也¹，野村卓也¹，松崎秀文¹，山下大輔¹，内田儀一郎¹，古閑一憲^1,4，白谷正治^1,4，節原裕一^2,4，関根　誠^3,4，堀　　勝^3,4
• 14放電ランプ用MgOコーティングNi円筒電極の放電特性神奈川工科大 ^○（M1）中村有佑，後藤みき，荒井俊彦
• 15プラズマ処理圧力変化による微細針状構造のFE特性群馬高専¹，東工大^{2 ○}狩野貴史¹，清水孝浩¹，加藤正明¹，太田道也¹，大手丈夫¹，安田榮一²

27a-BG - 1～12

• 1大電力パルスマグネトロンスパッタによる高密度メタルプラズマの発生茨城大工¹，茨城大院理工²，兵庫県立大工^{3 ○}安藤龍哉¹，根本　翔²，深澤孝嘉¹，池畑　隆²，佐藤直幸²，東　欣吾³
• 2量子ドット増感太陽電池の電流密度-電圧特性の膜堆積による影響九大¹，産総研^{2 ○}佐藤宗治¹，川嶋勇毅¹，山本康介¹，中原賢太¹，松永剛明¹，山下大輔¹，松崎秀文¹，内田儀一郎¹，鎌滝晋礼¹，近藤道雄²，板垣奈穂¹，古閑一憲¹，白谷正治¹
• 3プラズマにより形成されるカーボンナノカリフラワーの形成過程および色彩特性の検討群馬高専¹，東工大^{2 ○}鈴木淳史¹，狩野貴史¹，加藤正明¹，太田道也¹，大手丈夫¹，安田榮一²
• 4水素希釈炭化水素プラズマによるDLC薄膜堆積プロセスの分子動力学シミュレーション解析阪大工 ^○村上泰夫，浜口智志
• 5プラズマ励起化学気相堆積法で成長したアモルファスカーボン膜の結晶構造に対するRFバイアス印加の効果名大院工 ^○近藤博基，木野徳重，石川健治，関根　誠，堀　　勝
• 6複合プラズマ処理により形成されるカーボンナノニードルとFE特性群馬高専¹，東工大^{2 ○}清水孝浩¹，狩野貴史¹，加藤正明¹，大手丈夫¹，安田榮一²
•  休憩　10:30～10:45
• 7ダイヤモンド合成のための窒素を導入したマイクロ波プラズマの数値計算産総研DRL ^○山田英明，茶谷原昭義，鹿田真一
• 8プラズマ処理を用いた接着剤レスラミネート法上智大¹，藤森工業^{2 ○（M1）}土橋由華¹，真鍋篤司²，田中邦翁¹，小駒益弘¹
• 9パルス立ち上がり時間によるプラズマ照射効果への影響名工大工¹，中部大^{2 ○（M1）}籔内崇大¹，安井晋示¹，野田三喜男²
• 10パルスoff期のターゲット電位を変化させた高電力パルスマグネトロンスパッタにおけるプラズマ診断成蹊大理工 ^○中野武雄，日留川紀彦，佐伯修平，馬場　茂
• 11振幅変調パルス放電を用いてトレンチ基板上に堆積させたナノ粒子の付着形状九大 ^○宮田大嗣，西山雄士，岩下伸也，山下大輔，松崎秀文，内田儀一郎，板垣奈穂，鎌滝晋礼，古閑一憲，白谷正治
• 12斜め堆積スパッタリングのモンテカルロシミュレーション千葉工大工 ^○井上泰志
•  昼食　12:15～13:00

27p-BG - 1～7

• 1MEMS用途PECVDシリコン窒化膜のストレス制御東北大マイクロシス研¹，東北大院工ナノメカ²，東北大原分子材料高研^{3 ○}三輪和弘¹，遠藤嵩幸²，戸津健太郎¹，江刺正喜^{1, 3}
• 2表面波プラズマCVD法を用いた低水素含有SiNx膜の低温形成(2)島津製作所¹，島津エミット^{2 ○}上野智子¹，蓬田　守²，鈴木正康¹，小西善之¹，石田進一郎¹，東　和文¹
• 3プラズマCVD法を用いた高耐熱性Si3N4膜の形成山口大院理工¹，長州産業^{2 ○}内田聡充¹，岡田成仁¹，只友一行¹，中山雅晴¹，揖斐恒治²，渡部　嘉²
• 4PETフィルムの高密度プラズマ処理によるITO層の密着性向上III中部大¹，東洋紡^{2 ○}小川恭史¹，佐藤祐輔¹，加藤公孝¹，伊関清司²，菅井秀郎¹
•  休憩　14:00～14:15
• 5マイクロ波酸素プラズマにおけるシリコン酸化特性のアスペクト比依存性東海大院工¹，東海大情報理工^{2 ○}進藤春雄^1,2，小池　潤¹，五十嵐祐人²
• 6狭ギャップマイクロ波水素プラズマを用いたSi高速エッチングにおける基板温度の効果阪大院工¹，JST CREST^{2 ○}山田高寛^1,2，岡本康平¹，大参宏昌^1,2，垣内弘章^1,2，安武　潔^1,2
• 7SiO₂膜上Hfナノ粒子への窒素プラズマ照射によるHfSiON膜作製 ～ 金属Hfの特性と役割防大 ^○北嶋　武，中野俊樹