7. ビーム応用

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• 1オールシリコンフィールドエミッタアレイの作製とその電子放出特性京大院工¹，住友精密工業²，日新イオン機器³，中部大工^{4 ○}後藤康仁¹，松岡　元²，小巻賢治²，辻　博司¹，酒井滋樹³，石川順三⁴
• 2遷移金属窒化物を冷陰極に用いたフィールドエミッタアレイの電子放出特性の比較京大院工 ^○池田啓太，大上　航，後藤康仁，辻　博司
• 3導電性セラミックエミッタ用薄膜の作製静岡大電子研 ^○佐野恭央，文　宗鉉，中本正幸
• 4苛酷環境下における導電性セラミックエミッタアレイの電界電子放出特性静岡大電子研 ^○（M1）鈴木謙太，文　宗鉉，中本正幸
• 5耐環境性転写モールドアモルファスカーボンエミッタアレイの電界放出電流安定性静岡大電子研¹，JAXA^{2 ○}文　宗鉉¹，中本正幸¹，大川恭志²
• 6真空一貫エミッタ作製評価法により水素プラズマ処理した転写モールド法Niエミッタの電界電子放出特性静岡大電子研 ^○衛藤和久，文　宗鉉，中本正幸
• 7FEA制御のためのIGZO-TFTの試作産総研 ^○長尾昌善，神田信子，吉田知也，清水貴思
•  休憩　15:15～15:30
• 8nc-Si MOS冷陰極の光照射特性（II）八戸工大工¹，静大電研²，阪大極限センター^{3 ○}嶋脇秀隆¹，根尾陽一郎²，三村秀典²，若家冨士男³，高井幹夫³
• 9n型多孔質Si断面電子放出素子の薄膜化による電子放出特性変化沖縄高専 ^○儀間弘樹，比嘉勝也
• 10N型立方晶窒化ホウ素単結晶からの電界電子放出特性産総研ナノチューブRC¹，国際基督教大²，物材機構^{3 ○}山田貴壽¹，長谷川雅考¹，増澤智昭²，工藤唯義²，岡野　健²，谷口　尚³
• 11炭素ナノ構造体からの電界電子放出筑波大数物 ^○鶴見裕樹，樋口敏春，山田洋一，佐々木正洋
• 12熱電界前処理によるBlunt W tip先端上Nano-Pyramid形成支援(II)：FIM原子構造観察名城大 ^○（B）中川達裕，六田英治，橋本　剛，村田英一，藤田　真，下山　宏
• 13電界誘起エッチングにより先鋭化した電界放出電子源による微小領域型低速電子回折九大総理工 ^○（DC）小野田穣，江口智史，水野清義
• 14Cs₃Sbからの光電子放出に及ぼすCsの追加蒸着と保護膜の効果物質・材料研究機構 ^○木本高義