7. ビーム応用

25a-KX - 1～11

• 1電界誘起酸素エッチング法による電界電離型イオン源エミッタの作製三重大院工¹，三重大極限ナノエレセ²，エスアイアイ・ナノテクノロジー³，名大院工^{4 ○}杉浦康史¹，劉　華栄²，杉山安彦^1,2,3，永井滋一^1,2，岩田達夫²，梶原和夫^1,2，畑　浩一^1,2，安坂幸師⁴，齋藤弥八⁴
• 2電界電離型ガスイオン源のArイオン電流測定三重大院工¹，三重大極限ナノエレセ²，エスアイアイ・ナノテクノロジー^{3 ○}大川隆太¹，森川由基¹，杉山安彦^1,2,3，永井滋一^1,2，岩田達夫²，梶原和夫^1,2，畑　浩一^1,2
• 3含浸型イオン液体イオン源のイオンビーム特性京大光・電子理工学教育研究センター ^○植田　亨，竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛
• 4シリコンフィールドエミッタアレイを用いた極低エネルギー大電流イオンビームの空間電荷中和京大院工¹，日新イオン機器²，中部大^{3 ○}田口周平¹，後藤康仁¹，池田啓太¹，辻　博司¹，酒井滋樹²，石川順三³
• 5高分解能RBS/ERDAの検出器系におけるバックグラウンド・ノイズ低減京大院・工 ^○橋元弘貴，藤田　頌，中嶋　薫，鈴木基史，木村健二
• 6半揮発性物質を含む環境微粒子分析のための試料導入方法の検討工学院大 ^○（P）大石乾詞，坂本哲夫
•  休憩　11:00～11:15
• 7単結晶ダイヤモンド基板のイオンビームを利用した面取り処理産総研 ^○村澤功基，梅沢　仁，渡邊幸志，鹿田真一
• 8高分解能反跳散乱分析法による極浅イオン注入ボロンの分析コベルコ科研¹，神戸製鋼²，京大工^{3 ○}笹川　薫^1,3，牟礼祥一²，中嶋　薫³，鈴木基史³，木村健二³
• 9レーザ支援による真空中でのエレクトロスプレー観測山梨大医工¹，山梨大クリーン^{2 ○}二宮　啓¹，リーチュイン チェン¹，境　悠治²，平岡賢三²
• 10液相中イオンビーム照射による物質堆積理化学研究所 ^○小林知洋，池田時浩，荻原　清，山崎泰規
• 11イオン照射法による一次元Znナノ構造体の作製と評価：イオン種依存性名工大院工 ^○棚瀬友晴，林　　灯，林　靖彦，種村眞幸
•  昼食　12:30～13:30

25p-KX - 1～19

• 1アセトンクラスターの生成京大光・電子理工セ ^○糸崎俊介，龍頭啓充，竹内光明，高岡義寛
• 2極超音速凝縮流とクラスター生成特性の定量評価東工大総理工¹，IHI^{2 ○（D）}高橋一匡¹，大形勇人¹，中島充夫¹，桑原　一²，堀岡一彦¹
• 3大電流密度ガスクラスターイオンビームのサイズ選別照射VII京大工¹，JST-CREST^{2 ○}市木和弥¹，二宮　啓^1,2，瀬木利夫^1,2，青木学聡^1,2，松尾二郎^1,2
• 4ガスクラスターイオンビームエッチングにおける照射中雰囲気・基板温度依存性兵庫県立大 ^○内藤浩喜，住江健介，間下喬史，豊田紀章，山田　公
• 5多原子分子クラスターイオンのシリコン基板表面に対する照射効果の基板温度依存性京大光・電子理工セ 向井　寛，^○大村祐貴，龍頭啓充，竹内光明，高岡義寛
• 6サイズ選別されたガスクラスターイオンビームのエネルギー分布・照射効果のイオン化条件依存性兵庫県立大 ^○（M1）古屋隆司，豊田紀章，山田　公
• 7斜入射ガスクラスターイオンビーム照射によるリップル形成の基板温度依存性兵庫県立大インキュベーションセンター ^○間下喬史，住江健介，豊田紀章，山田　公
• 8水クラスターイオンビーム照射によるアクリル基板のスパッタリング京大光・電子理工セ ^○（M1）市橋　岳，龍頭啓充，竹内光明，高岡義寛
• 9ポリイミド基板への酸素クラスターイオンビーム照射効果京大院工 ^○古谷健悟，龍頭啓充，竹内光明，ピヤヌット ソムマニ，辻　博司，高岡義寛
• 10有機試料表面のイオンビーム照射損傷深さ評価京大工¹，JST-CREST^{2 ○}山本恭千¹，市木和弥¹，瀬木利夫^1,2，青木学聡^1,2，松尾二郎^1,2
•  休憩　16:00～16:15
• 11PBII法で表面改質したPETフィルムのガスバリア性とイオン種の関係金沢工大　ものづくり研究所 ^○中川健太，池永訓昭，岸　陽一，矢島善次郎，作道訓之
• 12PTFEフェルトへのイオンビーム照射法を用いた組織適合性の改善明大院理工¹，東理大院²，理研^{3 ○（M1）}森崎真也¹，真野大輔¹，小椋厚志¹，濱子峻輔²，田中俊行³，鈴木嘉昭^1,3
• 13イオン注入法によって形成した薄膜の表面特性と細胞接着性理研¹，東理大^{2 ○}田中俊行¹，土屋好司²，矢島博文²，鈴木嘉昭¹
• 14酸素クラスターイオンビーム援用蒸着法により作製したSiO_x薄膜の表面分析京大光・電子理工セ ^○（B）福島大貴，Xin Jin，龍頭啓充，竹内光明，高岡義寛
• 15シリコン基板への炭素系多原子分子イオンビーム蒸着京大院工 ^○竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛
• 16MOCVDによる窒化シリコン膜上へのGaN成長におけるイオン照射効果滋賀県立大工 ^○柳沢淳一
• 17高エネルギー重イオン照射によるSiO₂中のAuナノ粒子の形状変化若狭湾エネ研¹，原子力機構^{2 ○}笹瀬雅人¹，岡安　悟²，山本博之²
• 18ゲルマニウム負イオンを斜め注入した熱酸化シリコン薄膜におけるPL発光の熱処理条件依存性京大院工¹，シャープ^{2 ○}木下翔平¹，宮川　豪¹，辻　博司¹，洗　暢俊^1,2，原田真臣²，小滝　浩²，後藤康仁¹
• 19非晶質Cuナノ粒子の表面プラズモン共鳴吸収物材機構量子ビームセ¹，豪州放射光施設^{2 ○}雨倉　宏¹，Bernt Johannessen²