6. 薄膜・表面

24a-BC - 1～11

• 1シリコンワイヤーの高温アニールによる形態変化阪大産研¹，ヤマハ²，JST-ERATO³，兵庫県立大院工^{4 ○}須藤孝一¹，中村　純²，樋口行平³，前中一介^3,4
• 2光電子制御プラズマによる基板表面処理の開発: Al. Si表面へのプラズマ照射効果東北大多元研 ^○（M1）大友悠大，小川修一，高桑雄二
• 3シリサイド薄膜の光電子分光による研究ダルムシュタット工科大¹，富士通研究所^{2 ○}Robert Schafranek^1,2，John Baniecki²，石井雅俊²，阿曽広之²，山中一典²，栗原和明²
• 4光学的手法を用いたSi(001)表面上のアルカリ金属吸着過程のリアルタイム観測横国大工¹，防衛大応物^{2 ○}森本真弘¹，大野真也¹，鈴木隆則²，田中正俊¹
• 5Si(001)-c(4x2)表面における一酸化炭素分子の吸着脱離過程横国大工¹，防衛大^{2 ○}百瀬辰哉¹，落合俊之¹，大野真也¹，北嶋　武²，鈴木隆則²，田中正俊¹
• 6分光法によるメソポーラスシリカ細孔内制限水の調査名大工¹，名大エコ研^{2 ○（M1）}青木淑恵¹，稗田純子¹，高井　治¹，齋藤永宏²
•  休憩　11:00～11:15
• 7Si高指数面初期酸化過程のリアルタイム光電子分光計測横国大工¹，原子力機構²，産総研^{3 ○}大野真也¹，井上　慧¹，森本真弘¹，新江定憲¹，豊島弘明¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，尾形祥一¹，安田哲二³，田中正俊¹
• 8Mo(112)表面上に作製した酸化シリコン超薄膜のLEEDによる構造決定九大総理工 木下哲博，^○水野清義
• 9ステップ制御されたα-Al₂O₃(0001)表面の構造相転移の反射高速電子線回折法による観察横浜市立大¹，並木精密宝石^{2 ○（B）}杉山卓嘉¹，小山浩司²，戸坂亜希¹，重田諭吉¹
• 10サファイヤ基板の大面積平坦化加工東大院工 ^○八井　崇，栗原一徳，関谷　毅，染谷隆夫，野村　航，大津元一
• 11強相関酸化物(Fe, M)₃O₄(M= Zn, Mn)の超平滑表面阪大産研 ^○服部　梓，神吉輝夫，田中秀和
•  昼食　12:30～13:30

24p-BC - 1～11

• 1MgO(111)表面原子構造に関する研究大阪府大（総・理）¹，パスカル^{2 ○}梅澤憲司¹，中西繁光²，東堤秀明²，林　秀樹²，長澤裕樹²
• 2CO₂をプローブとしたMgO/Nb:SrTiO₃(111) 表面特性の観察東工大応セラ研¹，東工大フロンティア²，JSTさきがけ^{3 ○（M1）}藤橋忠弘¹，戸田喜丈²，細野秀雄^1,2，須崎友文^1,3
• 3EUPSを用いたPDP用保護膜材料の分析 - CO2暴露がMgO及びCaO保護膜最表面の電子状態に与える影響 -パナソニック¹，大阪大²，産業総合研究所^{3 ○}中山貴仁¹，森田幸弘^1,2，西谷幹彦^1,2，寺内正治^1,2，吉野恭平^1,2，辻田卓司^1,2，石塚知明³，富江敏尚³
• 4MgO薄膜の表面状態におけるSiドーピングの影響(III)阪大院工¹，パナソニック²，物質材料研究機構^{3 ○}深田　睦¹，西谷幹彦^1,2，寺内正治^1,2，森田幸弘^1,2，倉敷哲生¹，山内　泰³
• 5MgO膜へのH₂O吸着によるイオン誘起二次電子収率の変化阪大院工¹，パナソニック^{2 ○}村澤裕子¹，小出博仁¹，永富隆清¹，高井義造¹，吉野恭平^1,2，森田幸弘^1,2，西谷幹彦^1,2，北川雅俊²
• 62重パルス吸収電流解析による積層構造の帯電過渡特性日立中研 ^○津野夏規，小山　光，品田博之，木村嘉伸
•  休憩　15:00～15:15
• 7LEEMによるAu/Ni(111)成長過程の観察大阪電通大エレ研¹，大阪府立大^{2 ○}橋本道廣¹，梅澤憲司²，安江常夫¹，越川孝範¹
• 8TiO₂表面における相分離構造の発現条件の解明横国大 ^○吉原万莉，磯野俊成，塚本貴広，小紫大希，荻野俊郎
• 9電流誘起磁壁移動効果メモリ材料Co/Ni積層膜の磁区挙動-超高輝度・高スピン偏極LEEMによる観察-大阪電通大¹，アリゾナ州立大^{2 ○}鈴木雅彦¹，橋本道廣¹，安江常夫¹，越川孝範¹，Ernst Bauer²
• 10金属表面での磁気電気結合千葉大院融合¹，ＫＩＴ物理²，ＭＰＩハレ³，オークリッジ国研⁴，マーティンルター大^{5 ○}山田豊和¹，L. Gerhard²，T. Balashov²，A.F. Takacs²，R.J.H. Wesselink²，M. Daene^3,4，M. Fechner³，S. Ostanin³，A. Ernst³，I. Mertig^3,5，Wulfhekel Wulf²
• 11スピンクラスターの自己組織化における平面構造と立体構造の成り立ち東工大総理工 ^○劉　カン，伊藤治彦

25a-BC - 1～10

• 1GaAsに吸着したCsが作るNEA表面のXAFS測定名大院工¹，名大工²，名大VBL³，理研^{4 ○}恵良淳史¹，坪田光治²，田渕雅夫³，西谷智博⁴，竹田美和¹
• 2Cu(111)上のC₆₀単分子層における水素の分子状吸着筑波大数物 ^○渡邉研人，佐竹勇樹，山田洋一，佐々木正洋
• 3Ne固体上に共吸着した水とメタンの光化学反応学習院大理 ^○松本大吾，武隈真一，田村麗美，三浦　崇，荒川一郎
• 4Fe₂O₃表面におけるH₂O分子の第一原理計算富山大総合情報基盤セ¹，富山大院理工^{2 ○}布村紀男¹，砂田　聡²
• 5触媒表面におけるNO分子の吸着プロセスに関する理論的解析阪大院工 ^○岸　浩史，アラン パダマ，笠井秀明
• 6反応ガス中での電子線照射によるAu/TiO₂触媒の形状変化阪大院理¹，阪大産研²，産総研ユビキタス^{3 ○}桑内康文¹，吉田秀人²，河野日出夫¹，秋田知樹³，竹田精治²
•  休憩　11:00～11:15
• 7ステンレス薄板を横切る水素の透過特性物材機構¹，東邦大理^{2 ○}板倉明子¹，高木祥司²，酒井大樹²，後藤哲二²
• 8気体放出源がある導管の端から脱出する気体分子の衝突回数分布電機大工¹，高エネ研^{2 ○}松田七美男¹，佐藤吉博²，齊藤芳男²
• 9天然と人工のダイヤモンドの摩擦破壊発光スペクトル学習院大理 ^○三浦　崇，今井悦子，荒川一郎
• 10界面熱抵抗を含む2層積層材の熱物性同定法京都電子工業 ^○加納喜代継
•  昼食　12:15～13:15

25p-BC - 1～17

• 1GaN(0001)表面上へのFeの二次元成長阪大産研 市原寛也，古屋貴明，別府亜由美，米岡　賢，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 2GaN(0001)表面上の酸化鉄薄膜の形成とその評価阪大産研 別府亜由美，古屋貴明，市原寛也，米岡　賢，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 3GaN(0001)表面上の窒化鉄薄膜の形成と評価阪大産研 米岡　賢，古屋貴明，市原寛也，別府亜由美，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 4二酸化チタン(100)表面に作製した酸化ケイ素超薄膜北陸先端大 ^○笹原　亮，Pang Chi，富取正彦
• 5アルミナ-金属界面における界面結合の一般的予測物材機構 ^○吉武道子，スラボミール ネムシャク，柳生進二郎，知京豊裕
• 6Zn面とO面におけるZnO-Pt界面の結合物材機構¹，カレル大^{2 ○}吉武道子¹，ピーター ブルメントリット^1,2，テヨン キム¹，知京豊裕¹
• 7[Li@C₆₀](PF₆)塩からのLi内包C₆₀薄膜形成筑波大数物¹，イデアルスター^{2 ○}山田洋一¹，田中　健¹，佐々木正洋¹，才田守彦²，横尾邦義²，表　研次²
• 8Pt(111)上C₆₀単分子層の微視的計測 -グラフェン化-筑波大 ^○山田俊太郎，中山拓人，田中　健，山田洋一，佐々木正洋
• 9炭素吸着Au(111)面のSTM/STS観察 II京大院工 ^○黒川　修，森　健太，酒井　明
•  休憩　15:30～15:45
• 10二ホウ化ジルコニウム薄膜上シリセンの構造と電子状態北陸先端大マテ¹，北陸先端大融合院^{2 ○}高村（山田）由起子^1,2，アントワーヌ フロランス^1,2，川井弘之^1,2，王　　鷹^1,2，尾崎泰助^2,1，ライナー フリードライン^1,2
• 11表面反射分光によるSi(001)表面上のα-sexithiophene分子配列構造の解析横国大工¹，横市大国際総合^{2 ○（M1）}豊島弘明¹，井上　彗¹，大野真也¹，横山　崇²，田中正俊¹
• 12強相関有機ラジカルTTTAのSi(001)基板上での電子状態横国大院工 ^○（M2）島津知彦，首藤健一，佐竹哲夫，武田　淳
• 13CT固体NMR法による光触媒表面へのアセトアルデヒドの吸着状態解析青山学院大¹，京都大^{2 ○}村田亜紀代¹，塚本直樹¹，岡　伸人¹，福地将志²，福島達也²，梶　弘典²，重里有三¹
• 14金属基板とコロネン単分子層間の相互作用に関する微視的研究筑波大数物 ^○（B）矢野雅大，藤田　瞬，山田啓吾，山田洋一，佐々木正洋
• 15Al(111)及びアモルファスアルミナ表面でのフェニルリン酸の吸着構造物材機構¹，カレル大^{2 ○}柳生進二郎¹，吉武道子¹，Nataliya Tsud²，知京豊裕¹
• 16ルブレン単結晶表面の力学的刺激による秩序化阪大産研¹，阪大理^{2 ○}須藤孝一¹，高城大輔²，植村隆文¹，三輪一元¹，竹谷純一¹
• 17アミロイド線維と脂質二重膜の相互作用筑波大数物 松下周平，平野　篤，^○山田洋一，白木賢太郎