6. 薄膜・表面

24a-BF - 1～13

• 1光触媒ナノ粒子を用いたリソグラフィプロセスの開発II大阪府立高専 ^○（B）植村公亮，竹本絵理，前田篤志
• 2光触媒ナノシートを用いたリソグラフィプロセスの開発大阪府立高専¹，豊橋技科大^{2 ○（B）}中野瑞記¹，前田篤志¹，松田厚範²
• 3電子線描画を用いた謡曲酸化アルミナの形成物材機構 ^○（PC）原田善之，児子精祐，加藤誠一，中野嘉博，北澤英明，木戸義勇
• 4酸化物-金属界面における界面結合の一般的予測物材機構 ^○吉武道子，知京豊裕
• 5透明酸化物材料の近赤外プラズモニック機能：ヘテロ構造界面を活かした表面吸収振動分光（SPR-ABS)への展開東大工¹，食総研²，京都工繊大^{3 ○}松井裕章¹，Wasanthamala Badalawa¹，池羽田昌文²，蓮池紀幸³，播磨　弘³，田畑　仁¹
• 6絶縁体薄膜堆積による表面仕事関数制御東工大応セラ研¹，東工大フロンティア²，JSTさきがけ^{3 ○（M2）}牧島　旭¹，細野秀雄^1,2，須崎友文^1,3
•  休憩　10:30～10:45
• 7SrAl₂O₄:Eu,Dy薄膜の剥離の抑制の検討新潟大 ^○齋藤　稔，久野敬史，小林和晃，清水英彦，岩野春男，福島康夫，川上貴浩
• 8下地基板の影響を軽減した酸化物結晶薄膜形成沼津高専¹，神奈川工大^{2 ○}野毛　悟¹，宇野武彦²
• 9YO-YO法によるZnGa₂O₄微結晶の作製秋田県大 ^○鈴木真理子，木村親夫，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山　隆
• 10LaAlO₃/LaTiO₃/SrTiO₃ における界面伝導およびそのゲート電圧による制御東大新領域¹，スタンフォード大²，SLAC³，JST^{4 ○}細田雅之¹，クリストファー ベル¹，疋田育之¹，ハロルド ファン^1,2,3,4
• 11表面電荷によるSrTiO₃薄膜の電子蓄積・空乏名大院工¹，JFCC²，東大総研³，JST さきがけ^{4 ○}内田光亮¹，河本邦仁¹，Shijian Zheng²，加藤丈晴²，幾原雄一^2,3，太田裕道^1,4
• 12二元系遷移金属酸化物ReRAM における各抵抗状態及びその相関関係の分析鳥取大工¹，ディスプレイセンター^{2 ○（M1）}田中隼人¹，木下健太郎^1,2，岸田　悟^1,2
• 13フォーミングフリーReRAMにおけるフィラメント物性の解明鳥取大工¹，鳥取大ディスプレイセンター^{2 ○}木下健太郎^1,2，北村健一¹，依田貴稔¹，岸田　悟^1,2

25a-BZ - 1～11

• 1In-situ放射光光電子分光を用いた低環境負荷不揮発メモリAl/Fe₃O₄の界面化学状態解析東大工¹，東大院工²，JST-さきがけ³，東大放射光機構⁴，JST-CREST^{5 ○}中田耕次¹，並木武史²，山本大貴²，安原隆太郎²，大久保勇男^1,2，組頭広志^1,2,3,4,，尾嶋正治^1,2,4,5
• 2ペロブスカイト酸化物系ReRAMにおけるメモリ効果の発現機構鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}花田明紘¹，木下健太郎^1,2，松原勝彦¹，福原貴博¹，岸田　悟^1,2
• 3Pt/SiO_x/Ptキャパシタ構造の抵抗変化特性評価 (II)広大院 先端研¹，名大院工^{2 ○}後藤優太¹，大田晃生¹，西垣慎吾¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 4バイポーラ型Pt/NiO/Pt抵抗変化メモリの特性評価奈良先端大¹，CREST^{2 ○}上沼睦典^1,2，川野健太郎^1,2，鄭　　彬^1,2，石河泰明^1,2，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2
• 5Impact of Insertion of Ultrathin TaO_x Layer at the Pt/TiO₂ Interface on Resistive Switching Characteristics広大院　先端研¹，名大院工^{2 ○（D）}Guobin Wei¹，村上秀樹¹，藤岡知宏¹，大田晃生¹，後藤優太¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 6Ru添加したTiY_xO_yの抵抗変化特性評価広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}大田晃生¹，後藤優太¹，三嶋健斗¹，Goubin Wei¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
•  休憩　10:30～10:45
• 7凹凸構造を持った抵抗変化メモリの電流-電圧特性日大理工¹，関大システム理工²，名大院工^{3 ○}大塚慎太郎¹，古屋沙絵子¹，清水智弘²，新宮原正三²，牧原克典³，宮崎誠一³，渡辺忠孝¹，高野良紀¹，高瀬浩一¹
• 8フォーミング過程に起因するSrTiO₃バイクリスタル接合界面のEBIC コントラスト変化阪大院基礎工 ^○加藤哲司，Thanh Son Pham Phu，中村芳明，吉川　純，酒井　朗
• 9垂直接合カーボンナノチューブ電極を用いたReRAM産総研　連携研究体GNC ^○中野美尚，高橋　慎，川端章夫，佐藤元伸，二瓶瑞久，横山直樹
• 10抵抗型スイッチング素子を目指したアルミニウム酸化膜のフィラメント状伝導現象の研究物質材料研究機構¹，日本GIT^{2 ○}金　龍民¹，児子精祐¹，原田善之¹，加藤誠一¹，大吉啓司¹，中野嘉博²，北澤英明¹，木戸義勇¹
• 11酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製物材機構 ^○（PC）原田善之，大井修一，児子精祐，加藤誠一，中野嘉博，北澤英明，生田目俊秀，木戸義勇
•  昼食　12:00～13:00

25p-BZ - 1～20

• 1「第11回応用物理学会業績賞（研究業績）受賞記念講演」（50分）
  透明酸化物の特徴と機能開拓東京工業大学 ^○細野秀雄
•  休憩　13:50～14:00
• 2Na添加によるNiO薄膜の電気特性制御筑波大院数理 皆見健史，田之上健司，^○櫻井岳暁，秋本克洋
• 3ペロブスカイト酸化物電極上のBa_0.7Sr_0.3TiO₃薄膜の強誘電特性名大院工 ^○小林　智，小林耕平，田代裕樹，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文
• 4LaAlO₃/Nb:SrTiO₃(001)へテロ構造におけるナノスケール内蔵電位の直接観察東大新領域¹，JST²，東大院工³，スタンフォード大⁴，SLAC^{5 ○（DC）}矢嶋赳彬¹，簑原誠人^1,2，疋田育之¹，クリストファー ベル¹，組頭広志³，尾嶋正治³，ハロルド ファン^1,2,4,5
• 5[(SrIrO₃)_m, SrTiO₃]超格子薄膜における次元性制御と電子相図東大新領域¹，理研ASI^{2 ○}井原康太¹，松野丈夫²，新高誠司²，高木英典^1,2
• 6放射光電子分光による無限層構造Eu_1-xSr_xFeO₂薄膜の電子状態東大院理¹，KAST²，東大院工^{3 ○}近松　彰¹，松山敏也¹，廣瀬　靖^1,2，組頭広志³，尾嶋正治³，長谷川哲也^1,2
• 7自己組織化相分離による(Fe,Zn)₃O₄-BiFeO₃磁性半導体-強誘電体ナノピラーヘテロ構造の創製(II)阪大¹，NIMS/SPring-8^{2 ○}阪本卓也¹，神吉輝夫¹，服部　梓¹，小畠雅明²，小林啓介²，田中秀和¹
• 8ICP支援スパッタ法によるガラス基板上へのM₂相VO₂薄膜の成長東海大工¹，トゥール大学LEMA^{2 ○}沖村邦雄¹，坂井　穣²
• 9反応性スパッタ法による相転移V₂O₃薄膜成長と異相共存の影響東海大工 ^○鈴木康史，沖村邦雄
• 10VO₂薄膜の多値メモリ効果観測阪大産研 ^○川谷健一，高見英史，神吉輝夫，田中秀和
•  休憩　16:15～16:30
• 11(Fe_1-xCr_x)₂O₃薄膜の作製と光学特性評価東工大院工 ^○増子尚徳，大島孝仁，大友　明
• 12Aサイトオーダーペロブスカイト型酸化物強磁性体CaCu₃Mn₄O₁₂のエピタキシャル薄膜の作製 (3)東大院工¹，東工大応セラ研²，東大新領域³，JST-CREST⁴，東大放射光機構^{5 ○}磯部真里¹，大久保勇男¹，下山淳一¹，松本祐司²，鯉沼秀臣³，尾嶋正治^1,4,5
• 13Electric Field Effect of Electrolyte-gated CaMnO₃ Thin Films産総研¹，JST-CREST²，WPI Tohoku University³，QPEC Tokyo University⁴，CERG RIKEN^{5 ○}Ping-Hua Xiang^1,2，S. Asanuma^1,2，H. Yamada¹，I. H. Inoue¹，H. Sato¹，H. Akoh^1,2，A. Sawa¹，K. Ueno³，M. Kawasaki^3,5，Y. Iwasa^4,5
• 14高指数面基板上へのＭｎ酸化物薄膜のエピタキシャル成長富士電機HD¹，東大先端研²，JST-CREST^{3 ○}荻本泰史^1,2,3，小川直毅^2,3，宮野健次郎^2,3
• 15高指数面基板上に作製したＭｎ酸化物薄膜の磁気・輸送特性富士電機HD¹，東大先端研²，JST-CREST^{3 ○}荻本泰史^1,2,3，小川直毅^2,3，宮野健次郎^2,3
• 16PLD法により作製したSrMnO_3-δ薄膜の原子構造解析東大新領域¹，物質・材料研究機構²，東大生研³，東大総研^{4 ○}小林俊介¹，大西　剛²，溝口照康³，柴田直哉⁴，佐藤幸生⁴，幾原雄一⁴，山本剛久¹
• 17LSAT基板上でのBサイトオーダーダブルペロブスカイトLa₂NiMnO₆のエピタキシャル薄膜作製条件の最適化東大院工¹，東工大応セラ研²，東大新領域³，JST-CREST⁴，東大放射光機構^{5 ○}桜井康成¹，大久保勇夫¹，松本祐司²，鯉沼秀臣³，尾嶋正治^1,4,5
• 18LSAT(100)基板上のSr₂RuO₄薄膜の成長様式変化理研¹，スタンフォード大²，東北大WPI材料機構³，東大工⁴，ERATO-MF^{5 ○}堀田育志¹，高橋　圭¹，ハロルド ファン^{1, 2}，川崎雅司^{1, 3, 4}，十倉好紀^{1, 4, 5}
• 19DyScO₃基板上に作成したSrRuO₃薄膜の異方性計測阪大レーザー研 ^○許　偉銘，金城隆平，川山　巌，村上博成，斗内政吉
• 20パルスレーザー堆積法を用いたSrLaVMoO₆薄膜の作製と評価東大理¹，KAST^{2 ○}大瀧未帆¹，近松　彰¹，重松　圭¹，中尾祥一郎²，廣瀬　靖^1,2，福村知昭¹，長谷川哲也^1,2

26a-BF - 1～11

• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  酸化物ヘテロ界面におけるダイポールエンジニアリングとショットキー障壁高さの制御東大新領域¹，JST²，東大院工³，スタンフォード大⁴，SLAC^{5 ○}矢嶋赳彬¹，疋田育之¹，簑原誠人^1,2，佐藤弘樹¹，クリストファー ベル¹，組頭広志³，尾嶋正治³，ハロルド ファン^1,2,4,5
• 2作製条件によるLaAlO₃/SrTiO₃界面の電気伝導特性の制御東大新領域¹，JST²，スタンフォード大³，SLAC^{4 ○（M2）}佐藤弘樹¹，Christopher Bell¹，疋田育之¹，Harold Hwang^1,2,3,4
• 3SrTiO₃(001)-(√13×√13)基板表面上におけるホモエピタキシャル成長初期過程の原子スケール観察東北大WPI-AIMR¹，東大院理^{2 ○}清水亮太^1,2，岩谷克也¹，大澤健男¹，白木　将¹，長谷川哲也²，橋詰富博¹，一杉太郎¹
• 4SrO終端SrTiO₃(001) 基板表面の電子状態東北大WPI-AIMR ^○大澤健男，岩谷克也，清水亮太，橋詰富博，一杉太郎
• 5ワイドギャップ絶縁体/SrTiO₃ ヘテロ界面における空乏層形成東大新領域¹，東大物性研²，物質材料研究機構^{3 ○（D）}西尾和記¹，ミッコ マトヴィエフ²，高橋竜太²，角谷正友³，ミック リップマー^1,2
• 6水電気分解によるSrTiO₃の次元クロスオーバー名大院工¹，JFCC²，東大総研³，科技機構さきがけ^{4 ○}水野　拓¹，Shijian Zheng²，加藤丈晴²，幾原雄一^2,3，太田裕道^1,4
•  休憩　10:30～10:45
• 7パルスレーザー堆積法により作製したアナターゼ型TiO₂薄膜の成長レート依存性東大新領域¹，JST-CREST²，東大物性研³，スタンフォード大⁴，SLAC^{5 ○}立川　卓¹，簑原誠人^1,2，秋山英文³，疋田育之¹，クリストファー ベル¹，ハロルド ファン^1,2,4,5
• 8界面終端層制御によるアナターゼ型TiO₂/LaAlO₃(001)へテロ構造の金属絶縁体転移東大院新領域¹，JST-CREST²，スタンフォード大³，SLAC^{4 ○（P）}簑原誠人^1,2，立川　卓¹，中西康生¹，疋田育之¹，ベル クリストファー^1,2，ファン ハロルド^1,2,3,4
• 9Al/La_0.6Sr_0.4MnO₃界面型ReRAMにおける多値スイッチング動作東大院工¹，JST さきがけ²，東大放射光機構³，JST-CREST^{4 ○（M2）}山本大貴¹，安原隆太郎¹，大久保勇男¹，組頭広志^1,2,3，尾嶋正治^1,3,4
• 10Al/Pr_0.7Ca_0.3MnO₃ 構造ReRAM における素子特性の酸化物膜厚依存性東大¹，JSTさきがけ²，東大放射光機構³，JST-CREST^{4 ○（M1）}並木武史¹，山本大貴¹，安原隆太郎¹，大久保勇男¹，組頭広志^1,2,3，尾嶋正治^1,3,4
• 11固体電解質ReRAMにおけるフィラメント形成過程のTEM観察北大情報¹，STARC^{2 ○（DC）}藤井孝史¹，有田正志¹，浜田弘一¹，高橋庸夫¹，藤原一郎²
•  昼食　12:00～13:00

26p-BF - 1～23

• 1単結晶酸化バナジウム細線中における金属-絶縁体Domain Wallの運動東大生研 ^○守谷　頼，町田友樹
• 2強誘電体ドメインによる光電流の制御東大物性研¹，NTNU^{2 ○}高橋竜太¹，Thomas Tybell²，Mikk Lippmaa¹
• 3強誘電体スイッチングにおける紫外光照射の効果東大物性研¹，NTNU^{2 ○}高橋竜太¹，Thomas Tybell²，Mikk Lippmaa¹
• 4様々な基板上へのハーフメタル酸化物Sr₂FeMoO₆薄膜の合成と物性東工大 応セラ研¹，東工大 総理工^{2 ○}門田祥悟¹，安井伸太郎²，舟窪　浩²，松本祐司¹，笹川崇男¹
• 5ハーフメタル酸化物Sr₂FeMoO₆薄膜における物性の膜厚依存性東工大 応セラ研¹，東工大 総理工^{2 ○}門田祥悟¹，安井伸太郎²，舟窪　浩²，松本祐司¹，笹川崇男¹
• 6BiFeO₃薄膜における分極誘起抵抗スイッチング産総研 ^○（PC）鶴巻　厚，山田浩之，澤　彰仁
• 7室温溶液酸化法によるSrFeO₃薄膜の作成京大化研 ^○松本和也，境口　綾，平井　慧，市川能也，菅　大介，島川祐一
• 8Sm置換による絶縁体無限層酸化物SrFeO₂薄膜の金属化東大¹，KAST^{2 ○}片山　司¹，近松　彰¹，松山敏也¹，廣瀬　靖^1,2，福村知昭¹，長谷川哲也^1,2
• 9Eu置換したSrFeO₂エピタキシャル薄膜の輸送・磁気特性東大院理¹，KAST^{2 ○（M2）}松山敏也¹，近松　彰¹，廣瀬　靖^1,2，福村知昭¹，長谷川哲也^1,2
• 10SrRuO₃エピタキシャル薄膜の構造相転移におけるストレイン効果京大化研 ^○菅　大介，島川祐一
• 11LaNiO₃薄膜の次元性制御による金属絶縁体転移東大工¹，東大院工²，JST-CREST³，JSTさきがけ⁴，東大放射光機構^{5 ○}玉光雅智¹，坂井延寿^2,3，吉松公平²，組頭広志^2,4,5，尾嶋正治^2,3,5
• 12パルスレーザー堆積法によるペロブスカイト型EuMoO₃薄膜の作製東北大金研¹，理研CERG²，東北大WPI材料機構³，東大院工⁴，JST-CREST^{5 ○（M1C）}関　秀悦¹，スバンカー チャクラバティー²，小塚裕介¹，上野和紀³，川崎雅司^1,3,4,5
•  休憩　16:00～16:15
• 13Ti_1-xCo_xO_2-dの化学ドーピングによる強磁性制御:電界効果との比較東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，東大理³，科技機構さきがけ⁴，東大工⁵，科技機構戦略^{6 ○}山田良則¹，上野和紀²，福村知昭^3,4，袁　洪涛^5,6，下谷秀和^5,6，岩佐義宏^5,6，川崎雅司^1,2,5,6
• 14TiO₂/VO₂超格子薄膜の金属-絶縁体転移理研CMRG&CERG¹，東北大WPI材料機構²，東大工³，ERATO-MF^{4 ○}渋谷圭介¹，川崎雅司^1,2,3，十倉好紀^1,3,4
• 15軟X線光電子分光によるV_1-xW_xO₂薄膜の電子状態解析東大院工¹，JST-CREST²，理研 CMRG&CERG³，JST-さきがけ⁴，東大放射光機構⁵，東北大WPI機構⁶，ERATO-MF^{7 ○（PC）}坂井延寿^1,2，吉松公平¹，渋谷圭介³，組頭広志^1,4,5，川崎雅司^2,3,6，十倉好紀^1,3,7，尾嶋正治^1,2,5
• 16トライフェーズエピタキシー法によるデラフォサイト型CuScO₂単結晶薄膜の作製と評価東北大金研¹，東北大WPI材料機構²，東大院工³，科技機構戦略^{4 ○}松原雄也¹，平賀広貴²，上野和紀²，牧野哲征²，川崎雅司^1,2,3,4
• 17CuMO2(M = Sc, Cr, Mn, Fe, Co)薄膜のエピタキシャル成長と電子構造東北大WPI¹，東大院理²，科技機構さきがけ³，中国科学院物理⁴，東大院工⁵，科技機構戦略^{6 ○}平賀広貴¹，牧野哲征¹，福村知昭^2,3，Weng Hongming⁴，川崎雅司^1,5,6
• 18スパッタ法により堆積したCu₂O膜の評価九工大 ^○大平恭右，オンウォナ-アジマン ボアティン，中尾　基
• 19TiO₂ナノチューブのガスセンサ特性の評価(2)阪府大¹，長岡技科大^{2 ○}石井将之¹，寺内雅裕²，吉村　武¹，中山忠親²，藤村紀文¹
• 20放射光を用いたPET/ITO薄膜引張過程の応力・歪み・電気抵抗同時測定日東電工 ^○待永広宣，佐々木恵梨，水池敦子，武田雄希，下北啓輔，宮崎　司
• 21Neイオンを用いたMgO薄膜のトラップ準位解析広島大院先端研 ^○末貞和真，宮本真太郎，梶山博司
• 22熱ルミネッセンス法による酸化物半導体の電子トラップ状態計測広大院先端研¹，グエラテクノロジー^{2 ○}宮本真太郎¹，末貞和真¹，梶山博司¹，中澤　明²
• 23MgO粒子上への高品質MgO薄膜の低温作製龍谷大¹，兵庫工技セ²，タテホ化学工業^{3 ○}大橋義信¹，吉岡秀樹²，清川敏夫³，山本伸一¹

27a-BF - 1～11

• 1InTaO₄光触媒表面における水分子の運動について物材機構 ^○押切光丈
• 2LiFドーピングによるITO成膜中部大工 ^○小林大輔，多賀康訓
• 3有機EL素子用ITO薄膜の検討新潟大¹，東京工芸大^{2 ○}劉　　暢¹，中村陽平¹，松井博章¹，清水英彦¹，岩野春男¹，福嶋康夫¹，永田向太郎¹，星　陽一²
• 4有機金属塗布熱分解法で作製したMgZnO薄膜の特性評価龍谷大¹，兵庫工技セ^{2 ○}中村裕亮¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹
• 5低電圧スパッタ法により作製したAZO薄膜の特性新潟大¹，東京工芸大^{2 ○}樫出　淳¹，名越克仁¹，清水英彦¹，岩野春男¹，川上貴浩¹，永田向太郎¹，福嶋康夫¹，星　陽一²
•  休憩　10:15～10:30
• 6AZO/Cu₂O構造太陽電池の光起電力特性に対するCu₂Oの表面処理の影響金沢工大 OEDS R&D センター ^○西　祐希，宮田俊弘，南　内嗣
• 7水を用いた酸化によるCu2O薄膜の作製名工大 ^○（DC）梁　剣波，岸　直希，曽我哲夫，神保孝志
• 8スピンコート法によるp形CuAlO₂薄膜の作製と評価新潟大自然研¹，新潟大工²，新潟大超域^{3 ○}萩原篤志¹，南　征志²，坪井　望^2,3
• 9RFリアクティブスパッタ法によるNiO薄膜の低酸素分圧成長東理大 総研/理工¹，東北大多元研^{2 ○}石田　淳¹，村田芳綱¹，秩父重英²，杉山　睦¹
• 10ゾルゲル法によるNiO薄膜の作製と評価和歌山高専 ^○羽田正雄，西村卓馬，岡本拓也，辻本剛平，佐久間敏幸
• 11酸化物ナノアイランドを用いた光電変換素子の材料評価香川高専 ^○結城広登，桟敷　剛，岡野　寛
•  昼食　12:00～13:00

27p-BF - 1～8

• 12スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO₂薄膜の低温結晶化促進法の検討東京工芸大院 ^○安田洋司，上栗賢人，飛坂真幸，星　陽一
• 2不純物ドープTiO₂光触媒薄膜の特性評価芝浦工大 ^○齋藤寛己，石井智之，小林篤憲，石川博康
• 3電気泳動法による製膜へのTiO₂ナノ粒子の分級効果同志社大院工 ^○川上　亮，伊東一篤，佐藤祐喜，森　康維，足立基齊，吉門進三
• 4陽極化成法による自己組織化TiO2ナノチューブ電極の光吸収と光電気化学特性電気通信大¹，JST さきがけ^{2 ○}太田朋佳¹，山田　灯¹，沈　　青^1,2，豊田太郎¹
• 5ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積(3)東北大多元研¹，住友金属鉱山² 羽豆耕治¹，^○アリィ フォウダ¹，南風盛将光¹，中山徳行²，田中明和²，秩父重英¹
• 6ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc面GaN上へのルチル/アナターゼTiO₂:Nb薄膜の結晶相選択成長東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○}羽豆耕治¹，アリィ フォウダ¹，中山徳行²，田中明和²，秩父重英¹
• 7PbS量子ドットを吸着したナノ構造TiO₂光電極の光電変換特性電通大先進理工¹，JSTさきがけ^{2 ○}八谷聡二郎¹，沈　　青^1,2，豊田太郎¹
• 8アナターゼ型TiO₂薄膜の熱電能変調名大院工¹，JFCC²，東大総研³，JSTさきがけ^{4 ○（M2）}長尾有記¹，吉川　陽¹，河本邦仁¹，加藤丈晴²，幾原雄一^2,3，太田裕道^1,4