6. 薄膜・表面

26a-BC - 1～11

• 1ヘテロエピタキシャルダイヤモンド粒子成長における核発生領域面積と結晶性の相関青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング²，阪大院基礎工^{3 ○}菊地啓翔¹，児玉英之¹，鈴木一博²，水落憲和³，澤邊厚仁¹
• 2エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価II青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○}市川公善¹，児玉英之¹，鈴木一博²，澤邊厚仁¹
• 3ヘテロエピタキシャルダイヤモンド横方向成長における成長過程のストライプ方位依存性青学大院理工¹，トウプラスエンジニアリング²，物質・材料研究機構^{3 ○}鷲山　瞬¹，児玉英之¹，鈴木一博²，寺地徳之³，澤邊厚仁¹
• 4大型単結晶基板上へ成長したホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜物材機構 ^○寺地徳之
• 5ダイヤモンド(111)ホモエピタキシャル成長のオフ角依存性金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，アリオス^{3 ○}徳田規夫^1,2，下村浩司³，有屋田修³，加藤宙光²，山崎　聡²，猪熊孝夫¹
•  休憩　10:45～11:00
• 6レーザーアブレーション法による窒素ドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の作製とその構造および電気特性九大総理工 ^○サウサン アリヤミ，大曲新矢，吉武　剛
• 7超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の紫外線受光特性九大総理工 ^○（DC）大曲新矢，サウサン アリヤミ，吉武　剛
• 8燐ドープヘテロエピタキシャルダイヤモンド(100)面の熱電子放出特性青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング²，物質・材料研究機構³，東北大多元研^{4 ○}野原拓也¹，阿部　諭¹，児玉英之¹，鈴木一博²，小泉　聡³，虻川匡司⁴，河野省三¹，澤邊厚仁¹
• 9ダイヤモンドpn接合陰極の放出電流安定性物材機構 ^○小泉　聡
• 10高濃度Pドープ層を最上層としたダイヤモンドp-i-n接合ダイオードからの電子放出産総研エネルギー¹，CREST-JST²，筑波大^{3 ○}竹内大輔^1,2，牧野俊晴^1,2，加藤宙光^1,2，大串秀世^1,2，山崎　聡^1,2,3
• 11気相合成ダイヤモンド粒子の自発形状と電子の電界放出特性東大生研 ^○野瀬健二，神子公男，光田好孝
•  昼食　12:30～13:30

26p-BC - 1～15

• 1「薄膜・表面分科内招待講演」（15分）
  グラフェン・オン・ダイヤモンドの形成金沢大院自然¹，産総研エネ部門²，材料科学技術振興財団^{3 ○}徳田規夫^1,2，福井　真¹，小島健太郎³，小松佳奈子³，船津国博³，牧野俊晴²，竹内大輔²，山崎　聡²，猪熊孝夫¹
• 2(001)微斜面基板上のホモエピタキシャルCVDダイヤモンド薄膜におけるδ燐ドープ積層構造の作製阪大院工 ^○西尾晴樹，多田周平，毎田　修，伊藤利道
• 3移動度の異なる複数のキャリア群を考慮した輸送モデルによる高濃度ホウ素ドープCVDダイヤモンドにおけるHallデータの解析阪大院工 青野雅之，九鬼知博，^○毎田　修，伊藤利道
• 4ホットフィラメントCVD法による超伝導ホウ素ドープダイヤダイヤモンド膜の作製岡山大院自然¹，JST-CREST^{2 ○}村岡祐治^1,2，土居智彰¹，平井正明¹，横谷尚睦^1,2
• 5トリメチル砒素を用いたｎ型ダイヤモンドのCVD成長NTT物性基礎研 ^○嘉数　誠，Michal Kubovic
• 6フッ素終端ダイヤモンドを用いたバイオセンサーによるSNPsおよびタンパク質の検出早大¹，マレーシアペルリス大^{2 ○}アブドルラヒム ルスリンダ^1,2，王　憲芬¹，石井陽子¹，石山雄一郎¹，田辺恭介¹，井掘翔志¹，川原田洋¹
• 7ダイヤモンド表面に作製したSiC結合界面とその界面準位評価早大理工 ^○（M1）佐藤隼介，小林拓磨，津野哲也，小野　祐，川原田洋
•  休憩　15:15～15:30
• 8ダイヤモンド熱酸化時の表面トポグラフィーII金沢大工¹，金沢大院自然²，産総研エネ部門^{3 ○}神谷昇吾¹，福井　真²，奥野央典²，徳田規夫^2,3，牧野俊晴³，竹内大輔³，山崎　聡³，猪熊孝夫²
• 9NO₂吸着によって正孔濃度が増大した水素終端ダイヤモンド表面の正孔移動度NTT物性基礎研 ^○嘉数　誠，佐藤寿志
• 10CVDダイヤモンド薄膜における局所的電気的諸特性の走査型プローブ顕微鏡による大気圧下の微視的評価阪大院工 市川喬啓，^○大島　光，毎田　修，伊藤利道
• 11AlN/Diamondヘテロ接合を用いたダイヤモンド電界効果トランジスタ物材機構¹，名大^{2 ○}井村将隆¹，早川竜馬¹，渡辺英一郎¹，大里啓孝¹，廖　梅勇¹，小出康夫¹，天野　浩²
• 12単結晶ダイヤモンド・ナノマシンスイッチの開発物質材料研究機構 ^○廖　梅勇，菱田俊一，小泉　聡，小出康夫
• 13選択成長を用いた縦型ダイヤモンドSBD作製法の検討産総研 ^○永瀬成範，渡部勝巳，梅澤　仁，鹿田真一
• 14炭化タングステン/p型ダイヤモンドショットキーダイオードの逆方向特性物材機構¹，日産自動車^{2 ○}寺地徳之¹，アレキサンダ フィオリ¹，桐谷範彦²，谷本　智²，小出康夫¹
• 15ダイヤモンド縦型ショットキーバリアダイオードにおける漏れ電流評価物材機構¹，九大総理工^{2 ○}大曲新矢^1,2，寺地徳之¹，小出康夫¹

27a-BC - 1～11

• 1複雑形状へのテクスチャーDLC膜の作成法東工大院¹，iMott²，東工大^{3 ○}高島　舞¹，神沢　圭¹，松尾　真²，松尾　誠²，岩本喜直²，大竹尚登³
• 2高周波プラズマCVD法による樹脂・繊維材料へのDLC密着性評価三共製作所¹，東京電機大²，兵庫県立大³，半一^{4 ○}増子貞光¹，雫二公雄¹，平栗健二²，岩月正人²，東　欣吾³，坂本仁志⁴
• 3ナノパルス基板バイアスを用いたフィルタードアーク蒸着による細孔内面DLCコーティング豊橋技科大¹，伊藤光学工業²，オンワード技研³，日立ツール⁴，石川県工試⁵，舞鶴高専^{6 ○（M1）}柏木大幸¹，奥田浩史¹，田上英人¹，柳田太一郎¹，神谷雅男^1,2，須田善行¹，滝川浩史¹，瀧　　真³，長谷川祐史³，辻　信広³，石川剛史⁴，安井治之⁵，清原修二⁶
• 4磁気引き出し型ガスプラズマ銃を用いたカーボン膜の形成豊橋技科大¹，伊藤光学工業²，オンワード技研³，日立ツール⁴，石川県工試^{5 ○}堀井裕樹¹，柳田太一郎¹，田上英人¹，神谷雅男^1,2，須田善行¹，滝川浩史¹，瀧　　真³，長谷川祐史³，辻　信広³，石川剛史⁴，安井治之⁵
• 5ニューラルネットワークを用いたDLC成膜方法提案システムの構築(II)電機大理工¹，埼玉医科大²，電機大工^{3 ○（P）}大越康晴¹，金井太一¹，加藤綾子²，平栗健二³，舟久保昭夫¹，福井康裕¹
• 6アモルファス水素化炭素膜表面へのタンパク質吸着制御長岡技術科学大 ^○竹田　葵，大塩茂夫，赤坂大樹，斎藤秀俊
•  休憩　10:30～10:45
• 7N-DLC/DLC 多層膜の細胞親和性評価東京電機大工 ^○（B）木村洋裕
• 8遷移金属ドープによる透明水素化アモルファスカーボン膜の色相制御と機械的特性名大院工¹，名大エコトピア²，JST/CREST^{3 ○}苅和慎平¹，稗田純子¹，寺島千晶¹，齋藤永宏^2,3，高井　治^1,2,3
• 9CVD法によって作製した非晶質炭素材の電気化学特性に及ぼす窒素含有量の影響名大院工¹，名大エコトピア²，JST/CREST^{3 ○}秋山慎太朗¹，寺島千晶¹，齋藤永宏^2,3，高井　治^1,2,3
• 10質量分析法によるDLC膜のトライボ反応生成物の観察産総研¹，上海大^{2 ○}大花継頼¹，呉　行陽^1,2，中村挙子¹，田中章浩¹
• 11水処理膜の特性向上に向けたDLCコーティング電機大工¹，電機大理工²，物材研^{3 ○}村田智史¹，岩月正人¹，大越康晴²，平栗健二¹，佐藤慶介¹，深田直樹³，福井康裕²
•  昼食　12:00～13:00

27p-BC - 1～8

• 1水素化DLC膜の軟X線照射により起きる水素放出反応の解明兵庫県立大高度研¹，神戸大工^{2 ○}神田一浩¹，姜　有志¹，新部正人¹，横田久美子²，田川雅人²，松井真二¹
• 2Sb含有アモルファス炭素膜の合成と電気的特性評価東工大工 ^○奥山紘章，斉藤　啓，大竹尚登
• 3バンド型スーパーマグネトロンプラズマによるa-CN_x:H膜のCVD静大電子研 ^○木下治久，八木俊輔，櫻井一輝
• 4FIBを用いたGa+イオン注入によるDLC薄膜のp型化日大院理¹，日大理工^{2 ○}金子貴慶¹，鈴木　薫²，胡桃　聡²
• 5アモルファス窒化炭素薄膜における光電気伝導の成膜温度依存性防衛大 ^○岩崎千尋，青野祐美，北沢伸章，渡邉芳久
• 6ArとHeのECRプラズマを用いたCH₃CNの分解反応長岡技科大工 ^○鬼束さおり，越村克明，伊藤治彦
• 7Arの放電フローによるBrCNおよびCH₃CNの分解：a-CN_x(:H)膜の前駆体長岡技科大工 ^○山元愛弓，新木一志，和田　晃，伊藤治彦
• 8液相中で堆積した窒化炭素膜の電気的特性の評価 [II]東海大産業工¹，東海大情報理工²，東海大開発工^{3 ○}東　幹晃¹，清田英夫¹，黒須楯生²，千葉雅史³