6. 薄膜・表面

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• 1CSD法により作製されたPr,Mn同時添加BiFeO₃薄膜の疲労特性評価金沢大工¹，金沢大院自然^{2 ○}瀬戸佑一郎¹，野村幸寛²，立居卓志¹，川江　健²，森本章治²
• 2Pr,Mn二元素置換BiFeO₃薄膜の低温物性評価金沢大工¹，金沢大院自然^{2 ○}立居卓志¹，野村幸寛²，瀬戸佑一郎¹，川江　健²，森本章治²
• 3Improvement of coercive voltage and fatigue endurance in Mn-doped BiFeO₃ capacitors using Pt/SrRuO₃ top electrode東京工業大 ^○金　正桓，舟窪　浩，石原　宏
• 4MnまたはCoをドープしたBiFeO₃-(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃薄膜の合成と評価名大エコトピア研 ^○坂本　渉，日恵野敦，守谷　誠，余語利信
• 5磁場中PLD法によるBiFeO₃薄膜の作製大阪大院基礎工¹，ナニシエンスデザイン教育センター²，兵庫県立大^{3 ○}Jungmin Park¹，後籐田文也¹，中嶋誠二³，金島　岳¹，奥山雅則²
• 6デュアルイオンビームスパッタ法を用いたBiFeO₃薄膜の作製兵庫県大工¹，阪大院基礎工²，阪大ナノサイエンスデザイン教育センター^{3 ○}中嶋誠二¹，住永寛幸¹，辻田陽介¹，藤沢浩訓¹，朴　正敏²，金島　岳²，小舟正文¹，奥山雅則³，清水　勝¹
• 7BiFeO₃/(111)diamond積層構造の作製と強誘電特性評価金沢大工¹，金沢大院自然²，東理大理³，物材機構^{4 ○}川崎寛樹¹，芳里有司²，川江　健²，中嶋宇史³，徳田規夫²，高野義彦⁴，岡村総一郎³，森本章治²
• 8BiFeO₃極薄膜キャパシタの電気特性におけるSrRuO₃下部電極の膜厚依存性金沢大工¹，金沢大院自然²，東理大理^{3 ○}塚田祥賀¹，寺内裕紀²，川江　健²，中嶋宇史³，岡村総一郎³，森本章治²
• 9LaNiO₃界面層を利用したBiFeO₃薄膜の選択配向成長上智大理工¹，東工大物創² 林　真里¹，安井伸太郎²，舟窪　浩²，^○内田　寛¹
• 10BiFeO₃エピタキシャル薄膜の微細構造が圧電特性におよぼす影響大阪府立大院・工 ^○（D）氏本勝也，吉村　武，藤村紀文
• 11エピタキシャルBi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃薄膜の作製と評価東工大物創¹，上智大²，東工大応セラ研³，キヤノン^{4 ○（M1）}長田潤一¹，安井伸太郎¹，山田智明¹，内田　寛²，東　正樹^1,3，薮田久人⁴，渡邉隆之⁴，三浦　薫⁴，舟窪　浩¹
• 12新規圧電体における巨大圧電性を設計するための指針東工大物創¹，上智大²，東工大応セラ研^{3 ○（DC）}安井伸太郎¹，長田潤一¹，山田智明¹，内田　寛²，東　正樹^1,3，舟窪　浩¹
•  休憩　10:30～10:45
• 13ナノ分散BiFeO₃-CoFe₂O₄ コンポジット薄膜の作製とその電気特性、磁気特性評価東理大¹，東北大^{2 ○}曽根圭太¹，関口　翔¹，永沼　博²，中嶋宇史¹，岡村総一郎¹
• 14バッファ層を用いてc軸一軸配向させたビスマス層状構造誘電体の高温電気特性東工大院物創¹，上智大理工²，NIMS^{3 ○（M1）}木村純一¹，多久和至¹，松島正明¹，山田智明¹，内田　寛²，柴田竜雄³，長田　実³，佐々木高義³，舟窪　浩¹
• 15SrBi₄Ti₄O₁₅ 薄膜キャパシタの電気的特性京工繊工芸¹，上智理工²，東工大物創³ 野村修平¹，内田　寛²，山下　馨¹，舟窪　浩³，^○野田　実¹
• 16酸化物ナノシートを利用した層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の選択配向成長上智大理工¹，東工大物創^{2 ○}内田　寛¹，近藤陽太¹，木村純一²，多久和至²，舟窪　浩²
• 17SrTiO₃単結晶基板上に形成したBST/Eu添加SBT積層構造の作製金沢工大院 ^○橋本直也，稲垣浩行，大城浩徳，堀邉英夫，得永嘉昭，會澤康治
• 18強誘電体膜の屈折率分散曲線の解析芝浦工大工¹，八戸工大工^{2 ○}山口正樹¹，増田陽一郎²
• 19最大局在化ワニア関数による圧電評価とそのBi系強誘電体への適用富士フイルム ^○奥野幸洋，坂下幸雄
• 20移流集積法により作製した誘電体ナノキューブ配列構造体の圧電特性産総研¹，慶應大²，山梨大³，物材機構⁴，九州大^{5 ○（P）}三村憲一¹，党　　鋒¹，加藤一実¹，今井宏明²，和田智志³，羽田　肇⁴，桑原　誠⁵
• 21圧電高分子フィルムを用いた発電システムのエネルギー変換能東理大理¹，小林理研^{2 ○}中嶋宇史¹，岡屋慶子¹，太田賀奈子¹，児玉秀和²，古川猛夫²，岡村総一郎¹
• 22VDF/TrFE共重合体超薄膜の膜厚の精密決定及び薄膜効果の検証東理大･応物 ^○馬渕雄一郎，中嶋宇史，岡村総一郎
• 23配向制御された強誘電性PVDF薄膜の作製と評価東理大 ^○森本崇史，馬渕雄一郎，中嶋宇史，岡村総一郎
• 24強誘電体の分極がZnO薄膜の伝導特性に及ぼす影響 II阪府大院工 ^○山田裕明，福島匡泰，吉村　武，藤村紀文
• 25P(VDF-TeFE)薄膜の表面平坦化によるFETメモリ特性の向上阪大院基礎工¹，阪大ナノサイエンス² 谷部一輝¹，桂　　悠¹，^○金島　岳¹，奥山雅則²
• 26背面露光法により作製した強誘電体ゲートTFTの電気特性阪府大工 ^○（B）野村侑平，福島匡泰，前田和弘，吉村　武，藤村紀文
• 27In₂O₃をチャネルに用いた強誘電体ゲートTFTの電気的特性東工大精研 ^○菊池和哉，徳光永輔

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• 1「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
  酸化物デュアルゲートFeFET～OxiM(Oxide Memory)トランジスタ～パナソニック　先端研¹，パナソニック　セミコン社^{2 ○}金子幸広¹，田中浩之¹，上田路人¹，加藤剛久²，藤井映志¹
• 2アモルファスMgO層の潮解性を利用したPZT転写膜の作製と評価金沢大院自然¹，石川県工業試験場^{2 ○}松岡　樹¹，川江　健¹，的場彰成²，米澤保人²，森本章治¹
• 3チタン酸ジルコン酸鉛厚膜における深さ方向の歪み分布防衛大¹，高知工大²，東工大^{3 ○}西出正道¹，西田　謙¹，山本　孝¹，河東田隆²，横山信太郎³，船窪　浩³
• 4圧縮歪みを有するエピタキシャルPbTiO₃ナノ島の作製兵庫県大工 ^○畠江康文，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝
• 5AFMによるPbTiO₃ナノ島の分極反転電流の測定(II)兵庫県大・工 ^○山田耕生，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝
• 6PZT薄膜の33モードにおける正圧電特性II大阪府立大¹，府立産技研^{2 ○}宮渕弘樹¹，吉村　武¹，村上修一²，藤村紀文¹
• 7Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃- Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃-Pb(Zr,Ti)O₃薄膜の電気熱量効果と焦電効果湘南工大工¹，イノステック^{2 ○}眞岩宏司¹，Seung-Hyun Kim²
• 8エピタキシャルγ-Al2O3/Si基板上のPZT薄膜を用いた超音波センサアレイの製作と評価豊橋技科大¹，本多電子² 與木隆弘¹，岡田長也²，樋口和樹²，^○赤井大輔¹，石田　誠¹
• 9レーザ顕微鏡及び圧電応答顕微鏡によるNaNbO₃薄膜のドメイン観察龍谷大¹，東大^{2 ○}小堀晃弘¹，櫻井裕之¹，山添誠司¹，北中祐樹²，野口祐二²，宮山　勝²，和田隆博¹
• 10パルスレーザアブレーション薄膜形成法によるKNN薄膜長野県工技セ¹，長野県テクノ財団²，セラテックジャパン^{3 ○}水嵜英明¹，米久保荘¹，黒河内靖子¹，工藤賢一¹，菅沼幸男¹，小口幸一²，西野入隆³，奥冨　衛³，児玉泰史³，平林　明³
• 11水熱合成法による(K, Na)NbO₃厚膜の金属板上での配向制御とその特性評価東工大¹，上智大²，富士フイルム^{3 ○}白石貴久¹，榮西　弘¹，石河睦生¹，長谷川智仁¹，黒澤　実¹，内田　寛²，坂下幸雄³，舟窪　浩¹
• 12水熱合成法を用いたエピタキシャル(K,Na)NbO₃厚膜の合成東工大・総理工¹，上智大²，富士フイルム^{3 ○}榮西　弘¹，白石貴久¹，安井伸太郎¹，石河睦生¹，黒澤　実¹，内田　寛²，坂下幸雄³，舟窪　浩¹
• 13逆格子マップに基づく(K,Na)NbO₃膜の配向制御による圧電特性向上日立電線 ^○末永和史，柴田憲治，渡辺和俊，野本　明，堀切文正，三島友義
• 14KNN薄膜を用いた振動発電素子の特性評価京大院工¹，日立電線^{2 ○}市田智晴¹，横川隆司¹，神野伊策¹，小寺秀俊¹，柴田憲治²，三島友義²
• 15PLD法によるMnTiO₃薄膜の作製東大院¹，KAST^{2 ○}川嶋辰典¹，廣瀬　靖^1,2，福村知昭¹，長谷川哲也^1,2
• 16PLD法によるMnTiO₃の薄膜成長と相制御東工大応セラ¹，学習院理^{2 ○}星野晃大¹，清水荘雄¹，谷口博基¹，谷山智康¹，阿藤敏行¹，伊藤　満¹，稲熊宜之²
• 17RFスパッタ法によるGe基板上へのSrTiO₃薄膜の作製諏訪東京理科大¹，山梨大^{2 ○}王谷洋平¹，福田幸夫¹，佐藤哲也²
• 18テラヘルツ分光による歪み誘起強誘電SrTiO₃薄膜の観察阪大レーザー研 ^○（DC）金城隆平，川山　巌，村上博成，斗内政吉
• 19反応性スパッタ法を用いたBaTiO₃薄膜の作製及び評価防衛大¹，東工大^{2 ○（M1）}大住　剛¹，西出正道¹，舟窪　浩²，西田　謙¹，山本　孝¹
• 20歪み (Ba,Sr)TiO₃薄膜の相転移温度に与えるBa/Sr組成比の影響名古屋大¹，東工大²，産総研^{3 ○}山田智明^1,2，多久和至²，加茂嵩史²，飯島高志³，長崎正雅¹，舟窪　浩²
• 21PLD法による(001), (110), (111)SrTiO₃基板への(Ag,Li)NbO₃膜の作製龍谷大理工 ^○櫻井裕之，木村明日香，山添誠司，和田隆博
• 22YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の光吸収特性阪府大院工 ^○（M1）湯川博喜，吉村　武，芦田　淳，藤村紀文
• 23スパッタリング成膜中におけるVHFプラズマ照射を用いたFe-Ga-(B,N)磁歪合金／AlN圧電体積層膜の低温形成秋田大院工資 ^○吉村　哲，浦川　遼，江川元太，齊藤　準
• 24三角格子反強磁性体InFe₂O₄およびInFeO₃の薄膜形成と磁気転移温度の制御東大工 ^○関　宗俊，岩本藤行，山原弘靖，田畑　仁
• 25RFマグネトロンスパッタ法による多層薄膜キャパシタの作製京大院工 ^○今宮悠治，横川隆司，神野伊策，小寺秀俊
• 26強誘電体ドメインのナノスケール選択エッチング東北大通研 ^○平永良臣，長　康雄
• 27強誘電体回転ディスク記録方式におけるシングルトラック記録・再生東北大通研 木本康宏，^○平永良臣，長　康雄
• 28強誘電体ディスクリート記録媒体に関する基礎的研究東北大通研 ^○隅山直樹，平永良臣，長　康雄