5. 光エレクトロニクス

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• 11060nm帯VCSELの低消費電力特性の検討古河電工半研センター¹，古河電工信頼性^{2 ○}川北泰雅¹，清水　均¹，吉田順自¹，高木啓史¹，今井　英¹，高木智洋¹，平岩浩二¹，清水　裕¹，神谷慎一²，鈴木理仁¹，石川卓哉²，築地直樹¹，粕川秋彦¹
• 2大口径裏面出射型面発光レーザの高出力発光(>50W)デンソー ^○大竹伸幸，小島永児，山田　仁，竹内幸裕
• 3MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大II東工大 精所 ^○中濱正統，佐野勇人，中田紀彦，松谷晃宏，小山二三夫
• 4マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長可変動作とアサーマル動作の両立東工大精研 ^○佐野勇人，中田紀彦，中濱正統，松谷晃宏，小山二三夫
• 5Proposal of athermal HCG-VCSEL using Benzocyclobutene polymer東工大精研 ^○顧　暁冬，今村明博，小山二三夫
• 6光励起中赤外面発光レーザ用PbSrS/PbSDH及びMQW構造の設計静岡大工 ^○石田明広，小林真也，横山竜也，伊佐治祐也，樹神啓司
• 7Well-in-Well量子井戸レーザの製作と測定(I)東工大 精研 ^○（DC）比嘉康貴，反町幹夫，西野目卓弥，宮本智之
• 8THz波発生用AlGaAs可変波長リッジ型2波長集積DBRレーザ阪大院工 ^○上向井正裕，伊藤　明，栖原敏明
• 9半導体レーザにおける高周波重畳法および電気的負帰還法を併用した雑音の低減化金大自然研 ^○（M1）寺　　格，濱　卓也，武内伸仁，桑村有司，山田　実
• 10ペルチェ動作量子カスケード・レーザの戻り光耐性評価立命館大¹，浜松ホトニクス中研^{2 ○}井上智晴¹，片岡　誉¹，津島浩一¹，笠原健一¹，藤田和上²，秋草直大²，枝村忠孝²
• 11選択的アンドープ反導波クラッド層を設けたリッジ型半導体レーザーのp-クラッド層厚依存性立命館大院理工 ^○（M1）桂川大也，沼居貴陽
• 12アンドープクラッド層を備えた水平方向カップリング型屈折率分布　リッジ型半導体レーザー立命大院 ^○松原　礼，柴　国偉，沼居貴陽
• 13金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析東工大量子ナノ¹，東工大院理工^{2 ○}雨宮智宏¹，進藤隆彦²，高橋大佑²，明賀聖慈²，西山伸彦²，荒井滋久^1,2
• 141.3-μm帯pnp-AlGaInAs/InPレーザトランジスタの室温連続動作東工大電気電子¹，量子ナノエレクトロニクスセンター^{2 ○（M1）}佐藤孝司¹，白尾瑞基¹，瀧野祐太¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 15AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中温度の再成長界面品質に対する影響東工大電気電子工学科¹，東工大電気電子工学専攻²，東工大量子ナノ^{3 ○}佐藤憲明¹，瀧野祐太²，白尾瑞基²，佐藤孝司²，西山伸彦^1,2，荒井滋久^1,2,3
• 16細線状活性層を有するGaInAsP/InP横方向電流注入型DFBレーザ東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}二見充輝¹，進藤隆彦¹，奥村忠嗣²，長部　亮¹，伊藤　瞳¹，小口貴之¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 17横方向電流注入型レーザにおける発振特性のストライプ幅依存性東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}進藤隆彦¹，奥村忠嗣²，二見充輝¹，長部　亮¹，高橋大佑¹，伊藤　瞳¹，小口貴之¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2

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• 1InGaN/GaN量子井戸のMBE成長と評価阪大産研 周　　麗，長谷川繁彦，^○朝日　一
• 2端面窓構造を用いた超高出力青紫レーザパナソニック半デバ研 ^○春日井秀紀，川口真生，左文字克哉，萩野裕幸，折田賢児，山中一彦，瀧川信一
• 3表面凹凸構造のパターン規則性のLED光取り出し効率に及ぼす影響東芝　研究開発センター ^○北川良太，藤本　明，浅川鋼児
• 4単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性II東芝研開セ ^○勝野　弘，櫛部光弘，金子　桂，山田真嗣，大場康夫
• 5中赤外(7～8μｍ)垂直遷移型量子カスケードレーザの検討住友電工 ^○橋本順一，辻　幸洋，三浦貴光，村田　誠，加藤隆志，勝山　造
• 6InP基板上Ga0.69In0.31Asバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの発光特性上智大 ^○三枝知充，川島史裕，廣岡雅人，下村和彦
• 7コラムナ量子ドットの温度特性の向上富士通¹，ＰＥＴＲＡ²，ＱＤレーザ³，富士通研⁴，東大ナノ量子機構⁵，東大生産研⁶，東大先端研^{7 ○}安岡奈美^1,2，奥村滋一^1,2，江部広治¹，田中　有^1,2,3，中田義昭^3,4，森戸　健^1,2，菅原　充³，荒川泰彦^5,6,7
• 8偏波無依存型半導体光増幅器における内部損失解析富士通研 ^○田中信介，森戸　健
• 9数値解析によるトンネル注入構造SOA の動作特性の解明東工大精研 ^○反町幹夫，比嘉康貴，西野目卓也，宮本智之
• 103端子を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ型SOAの数値解析東工大　電気電子¹，東工大　量エレ^{2 ○}白尾瑞基¹，李　承勲²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 11シリコン製ナノワイヤ導波路でのカスケードラマン増幅設計東大院総合(駒場) ^○（DC）田名網宣成，深津　晋
• 12シリコン点欠陥由来G-center発光線の光利得の再検証実験東大(駒場)¹，筑波大院数物²，物材機構^{3 ○}安武裕輔¹，大村史倫¹，村田晃一^2,3，三木一司^2,3，深津　晋¹
• 132光子吸収を用いた、fs光パルスのピークパワー測定オプトハブ¹，情通機構² 青木周生¹，及川正尋¹，^○諸橋　功²，寳迫　巌²
• 14Si基板上のGaAsナノ光伝導スイッチの試作東京理科大¹，産業技術総合研究所²，住友化学^{3 ○}小林寛昭¹，前田譲治¹，板谷太郎²，石井裕之²，久米英司²，羽山信幸²，山中貞則³，高田朋幸³，秦　雅彦³
• 15アモルファスシリコンを熱処理した多結晶シリコン膜による光導電素子金沢大院電子情報¹，北陸先端大マテリアル^{2 ○（M2）}乙坂英志¹，江渕真伍¹，丸山武男¹，飯山宏一¹，大平圭介²，松村英樹²
• 1610G-EPON(ONU)用大受光径AlInAs APDの開発三菱電機 高周波光デバイス製作所 ^○笹畑圭史，中路雅晴，庵原　晋，山路和樹，菊地真人武，鈴木大輔，佐久間仁，國次恭宏，石村栄太郎，島　顕洋
• 17フォトダイオード応答非直線性要因の理論的・実験的検証II産総研計測標準 ^○雨宮邦招，田辺　稔，福田大治，沼田孝之，市野善朗
• 18遠赤外線光伝導型検出器用極低温電子回路の試作と評価宇宙機構¹，高エネ研²，産総研^{3 ○（PC）}永田洋久¹，和田武彦¹，池田博一¹，新井康夫²，大野守史³
• 19超高感度テラヘルツ検出器の超格子構造による実現東大総文¹，JST-CREST²，東大生研^{3 ○（PC）}上田剛慈^1,2，長井奈緒美^2,3，小宮山進¹