10. スピントロニクス・マグネティクス

16a-B11 - 1〜8

• 1Ni(111)およびCu(111)薄膜上のグラフェン成長と伝導特性原子力機構 ^○圓谷志郎，松本吉弘，大伴真名歩，パベル アブラモフ，楢本　洋，境　誠司
• 2単層グラフェン/強磁性金属界面の電子・スピン状態原子力機構先端基礎セ¹，高エネ研物構研^{2 ○}松本吉弘¹，圓谷志郎¹，大伴真名歩¹，パベル アブラモフ¹，楢本　洋¹，雨宮健太²，境　誠司¹
• 3六方晶窒化ホウ素/強磁性金属薄膜のX線磁気円二色性分光原子力機構先端基礎セ¹，高エネ研物構研^{2 ○（P）}大伴真名歩¹，松本吉弘¹，パベル アブラモフ¹，圓谷志郎¹，楢本　洋¹，雨宮健太²，境　誠司¹
• 4ダイヤモンド中の単一NV中心における4量子ビット化と量子もつれ生成阪大院基礎工¹，産総研²，さきがけ^{3 ○}下岡孝明¹，加藤宙光²，山崎　聡²，三輪真嗣¹，鈴木義茂¹，水落憲和^1,3
•  休憩　10:30〜10:45
• 5SiC単結晶および微粒子における光検出磁気共鳴阪大院基礎工¹，Stuttgart大²，さきがけ^{3 ○}土井悠生¹，三輪真嗣¹，Jörg Wrachtrup²，鈴木義茂¹，水落憲和^1,3
• 6有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた磁性半導体Si:Ceの電界効果大阪府大院工 ^○（M2）高田浩史，奥山祥孝，宮田祐輔，吉村　武，藤村紀文
• 7Highest spin状態におけるスピンクラスター形成東工大総理工 ^○（DC）劉　カン，伊藤治彦
• 8Si二重量子ドナーバウンドスピンの電荷平衡状態図における位置ずれの影響阪大院情 ^○坂口翔太，中前幸治
•  昼食　11:45〜12:45

16p-B11 - 1〜22

• 1縮退および非縮退p型Geにおけるスピン蓄積産総研ナノスピン¹，筑波大^{2 ○}揖場　聡¹，齋藤秀和¹，Spiesser Aurelie¹，渡辺　克^1,2，Jansen Ron¹，湯浅新治¹，安藤功兒¹
• 2Geへの光スピン注入の温度依存性東大院総合 ^○安武裕輔，林　周平，高野雅也，深津　晋
• 3Study of Fe/Silicon Junction Heterostructure Device for Spin Transport北大量集センター ^○李　正業，崔　志欣，石倉丈継，鄒　柳民，平木隆浩，小西敬太，陽　完治
• 4EuO薄膜における円偏光による超高速光磁気スイッチング理研基幹研¹，東大工²，東北大金研³，南開大物理⁴，東大総合⁵，東大理⁶，科技機構さきがけ⁷，東北大WPI材料機構⁸，科技機構戦略^{9 ○}牧野哲征¹，劉　富才^2,4，山崎高志³，上野和紀^5,7，塚崎　敦^2,7，福村知昭^6,7，孔　勇発⁴，川崎雅司^1,2,8,9
• 5Ge基板上高SiドープGaInPのスピン緩和(10-300K)早大理工¹，SINANO-CAS^{2 ○}石塚俊裕¹，牛見健則¹，中田大海¹，Shulong Lu²，Jianrong Dong²，竹内　淳¹
• 6InGaAs２次元電子ガスにおける面内磁場を用いたRashba及びDresselhausスピン軌道相互作用の電気的評価東北大工¹，JST-さきがけ^{2 ○（M1）}野中　駿¹，佐々木敦也¹，国橋要司¹，好田　誠^1,2，新田淳作¹
• 7歪(110)GaAs/AlGaAs量子井戸における四重極分裂の磁場依存性東北大通研 ^○石原　淳，小野真証，佐藤源輝，松坂俊一郎，大野裕三，大野英男
• 8歪(110)GaAs/AlGaAs量子井戸における核スピン共鳴線幅の磁場依存性東北大通研 小野真証，石原　淳，佐藤源輝，松坂俊一郎，^○大野裕三，大野英男
• 9ZnMnSe量子井戸からGaAs量子井戸への電子スピン注入北大院情報科学¹，Ioffe Inst.^{2 ○（M1）}久野祐希¹，佐々木義¹，木場隆之¹，Alexey Toropov²，Sergey Ivanov²，村山明宏¹
• 10InGaAs量子ポイントコンタクトにおけるスピン偏極の起源東北大工¹，JSTさきがけ²，東邦大理^{3 ○}好田　誠^1,2，大江純一郎³，新田淳作¹
• 11InGaAs量子ポイントコンタクトにおけるスピン偏極の理論的考察東北大工¹，JSTさきがけ^{2 ○}峰野太喜¹，好田　誠^1,2，新田淳作¹
•  休憩　15:30〜15:45
• 12InGaAs細線におけるひずみ誘起Dresselhausスピン軌道相互作用の電気的測定東北大工¹，JSTさきがけ^{2 ○}佐々木敦也¹，野中　駿¹，国橋要司¹，好田　誠^1,2，新田淳作¹
• 13狭いInGaAs 量子井戸におけるPersistent Spin Helix 状態の電気的生成東北大工¹，JST-さきがけ²，レーゲンスブルク大^{3 ○（D）}国橋要司¹，好田　誠^1,2，V. Lechner³，C. Schonhuber³，I. Caspers³，P. Olbrich³，S.D. Ganichev³，新田淳作¹
• 14表面弾性波のつくる導波路型ダイナミックドットを用いたスピン輸送NTT物性基礎研¹，東北大工²，ポールドルーデ研^{3 ○}眞田治樹¹，後藤秀樹¹，小野満恒二¹，好田　誠²，新田淳作²，Paulo V. Santos³，寒川哲臣¹
• 15半導体メゾスコピックリング配列におけるスピン幾何学的位相の径依存性東北大院工¹，JSTさきがけ^{2 ○}長澤郁弥¹，高木　淳¹，国橋要司¹，好田　誠^1,2，新田淳作¹
• 16エッチ深さによる(Ga,Mn)As磁気異方性の制御東大物性研 橋本義昭，家　泰弘，^○勝本信吾
• 17Thickness dependence of magnetic linear dichroism in ferromagnetic (Ga,Mn)As epitaxial layersImaging Science and Engineering Laboratory, Tokyo Insititute of Technology¹，Dept. of Innovative and Engineered Materials, Tokyo Insititute of Technology^{2 ○}Bassam Qadi¹，Nozomi Nishizawa¹，Kazuhiro Nishibayashi¹，Masahiko Kaneko²，Hiro Munekata¹
• 18外部ひずみを印加した(Ga,Mn)Asにおける磁化の光誘起差才差運動東工大像情報 ^○内山麻美，松田　喬，西林一彦，宗片比呂夫
• 19GaMnAsにおけるスピンゼーベック効果の観測東工大物 ^○竹内佑太，加来　滋，吉野淳二
• 20Mn リッチナノカラム構造を有する Ge_1-x Mn_x 薄膜における光照射効果東大工 ^○岡崎亮平，秋山了太，伴　芳祐
• 21電子誘起強磁性半導体(In,Fe)Asにおける強磁性ドメイン構造東大工 ^○Namhai Pham，デゥック アイン レ，Mohan Shyam，為ヶ井強，田中雅明
• 22MOCVD成長MgドープGaMnNの磁気特性NTT物性研¹，長岡技大^{2 ○}大前洸斗^1,2，熊倉一英¹，賢治 クロッケンバーガー¹，山本秀樹¹

17a-DP3 - 1〜9

• 1Polyimide-Co グラニュラ薄膜の熱処理による磁気抵抗効果への影響筑波大院数理電物 ^○（DC）鈴木和也，渋谷悠真，柳原英人，喜多英治
• 2高ドープSi界面におけるスピン蓄積の電気的検出東北大院工 ^○（M2）吉岡慎司，大兼幹彦，永沼　博，安藤康夫
• 3高濃度CeドーピングがSi:Ce薄膜の成長形態に及ぼす影響大府大院工 ^○奥山祥孝，高田浩史，藤村紀文
• 4Si:Ce薄膜の磁気・輸送特性大阪府立大 ^○（B）宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，藤村紀文
• 5ダイヤモンド中の単一NV中心を用いた量子もつれ測定の実験研究阪大基礎工¹，JSTさきがけ²，産総研エネルギー部門³，シュトゥットガルト大物理⁴，仙台高専⁵，東北大通研^{6 ○}森　周太¹，加藤宙光³，山崎　聡³，Jörg Wrachtrup⁴，力武克彰⁵，三輪真嗣¹，鈴木義茂¹，小坂英男⁶，水落憲和^1,2
• 6共鳴トンネル分光法を用いたIII-V族強磁性半導体GaMnAsにおける価電子帯構造解析:Mn濃度依存性東大工¹，東大院工^{2 ○}寺田　博¹，宗田伊理也²，大矢　忍²，田中雅明²
• 7電子誘起強磁性半導体(In,Fe)Asにおける異方性磁気抵抗効果と磁気異方性東大工 ^○佐々木大輔，ナムハイ ファム，デュックアイン レ，田中雅明
• 8希薄磁性半導体(Zn,Cr)TeにおけるCr凝集領域の形成と磁化特性筑波大院数理物質¹，物材機構^{2 ○}小林広明¹，西尾陽太郎¹，金澤　研¹，黒田眞司¹，三留正則²，板東義雄²
• 9希薄磁性半導体(Zn,Cr)Teの磁気光学特性筑波大院数理物質 ^○松本直也，加藤達典，金澤　研，黒田眞司