シンポジウム

29a-ZR - 1〜7

• 1イントロダクトリー（10分）新潟大 ^○金田　寛
• 2実験結果によるシリコン結晶の融液成長中点欠陥の発生メカニズム（30分）信越半導体 ^○阿部孝夫，高橋　徹
• 3原子間力顕微鏡を用いた半導体表面での原子レベル物性計測（30分）阪大工 ^○阿部真之，杉本宜昭，森田清三
•  休憩　10:10〜10:25
• 4ドーパントや金属不純物が少数キャリア寿命に与える影響（30分）豊田工業大 ^○大下祥雄
• 5シリコンデバイスにおける結晶欠陥の挙動と制御（30分）千葉工大工 ^○山本秀和
• 6パワーデバイス用MCZ-Si基板の開発（30分）コバレントシリコン 中川聡子，^○鹿島一日兒
• 7クロージングトーク（5分）高知工科大総研 ^○山本哲也