シンポジウム

16p-ZW - 1〜8


• 1イントロダクトリートーク（10分）産総研エネルギー部門 ^○山崎　聡
• 2パワーエレクトロニクスと表面・界面（40分）産総研 ^○大橋弘通
• 3パワーデバイス用MCZ-Si基板の開発（30分）コバレントシリコン ^○鹿島一日兒
• 4GaN on Si基板作製技術（30分）名工大極微センター ^○江川孝志
•  休憩　15:20〜15:40
• 5シリコンウエハー直接貼り合わせ技術のパワーデバイスへの適用（30分）九工大 ^○松本　聡
• 6SiCエピ成長技術（30分）産総研 ^○西澤伸一
• 7シリコン上高配向ダイヤモンド成長技術（30分）神戸製鋼電研 ^○横田嘉宏，橘　武史
• 8まとめ（10分）阪大院工 ^○渡部平司