シンポジウム
「スピントロニクスはどこまで進んだか」
3月27日 13:00〜17:45
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  1 イントロダクトリートーク:スピントロニクスはどこまで進んだか(15分) 東北大通研1,ERATO, JST2 ○大野英男1, 2
  2 磁性多層膜と巨大磁気抵抗効果ー発見からノーベル賞までー(45分) 高等研 ○新庄輝也
  3 強磁性半導体(25分) 東大工学系 ○田中雅明
  4 磁性半導体における磁性元素の不均一分布と強磁性特性(25分) 筑波大物質工1,物材機構2,ポーランド科学アカデミー3 ○黒田眞司1,西沢 望1,瀧田宏樹1,三留正則2,板東義雄2,ディートルトーマス3
  5 非磁性半導体におけるコヒーレントスピンダイナミクスの制御と光検出(25分) 東北大通研1,科技機構ERATO2 ○大野裕三1,近藤裕佑1,小野真証1,松坂俊一郎2,1,森田 健2,1,大野英男1,2
    休 憩 15:15〜15:30  
  6 磁気緩和の微視的理論(25分) 東北大工 ○佐久間昭正
  7 スピンホール効果とその逆効果(25分) 慶大理工 ○齊藤英治
  8 トンネル磁気抵抗素子におけるスピントルク(25分) 阪大基礎工1,産総研エレクトロニクス2,キヤノンアネルバ3 久保田 均2,前原大樹3,福島章雄2,○鈴木義茂1,2,薬師寺 啓2,長浜太郎2,湯浅新治2,安藤功兒2,長嶺佳紀3,恒川孝二3,Djayaprawira David3,渡辺直樹3
  9 高集積MRAMを目指した垂直磁化磁気抵抗効果素子へのスピン注入書き込みの検討(25分) 研究開発センター1,半導体研究開発センター2 ○與田博明1,2,岸 達也1,永瀬俊彦1,中山昌彦1,吉川将寿1,北川英二1,西山勝哉1,甲斐 正1,天野 実1,相川尚徳1
  10 TMRロジックとその可能性(25分) 東北大通研 ○羽生貴弘,松本 敦,松永翔雲
  11 --- まとめ --- 半導体産業におけるスピントロニクス(10分) ルネサステクノロジ ○川端清司
「日本真空協会企画「真空中の気体の流れ」」
3月27日 13:00〜17:05
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  1 イントロダクトリートーク(10分) 産総研 ○秋道 斉
  2 分子気体力学による流体力学極限の研究とその応用(35分) 京大・工・機械理工 ○高田 滋
  3 希薄気体流れのマルチスケール解析:表面散乱過程のモデリング(35分) 東大工1,東大IML2 ○松本洋一郎1,杵淵郁也2
  4 ダイヤモンド薄膜面の低摩擦特性におけるマイクロスケール気体流動の影響(35分) 東北大流体研1,東北大院2,東北大融合研3 ○米村 茂1,山口雅志2,竹野貴法3,三木寛之1,高木敏行1
    休 憩 14:55〜15:10  
  5 高クヌッセン数流れのフォトニック・アナリシス(35分) 名大工 ○新美智秀
  6 TMP内の流れのシミュレーション(35分) 大阪真空機器製作所 ○大林哲郎
  7 マスフローコントローラの特性(35分) 株式会社 堀場エステック ○清水哲夫
  8 クロージングトーク(10分) 学習院大学 ○荒川一郎
「薄膜・表面物理分科会企画「クラスター、ナノ粒子の作製・制御と応用」」
3月27日 13:00〜17:30
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  1 イントロダクトリートーク:クラスター・ナノ粒子の作製・制御と応用(10分) 富士フイルム1,神戸大2 ○松並由木1,大西 洋2
  2 半導体ナノ粒子の光触媒作用(35分) 北海道大触媒セ ○大谷文章
  3 半導体ナノ構造の表面界面による物性制御(35分) 豊田工業大学 ○神谷 格
  4 様々な無機ナノ粒子の液相精密構造制御と物性(35分) 筑波大院数理物質 ○寺西利治
  5 自己組織化による銀ナノ粒子の異方集積と近赤外バイオセンシングへの応用(35分) 阪大院工 ○是津信行
    休 憩 15:30〜15:45  
  6 魔法組成配位子保護金クラスターの合成と構造・物性(35分) 北大触セ1,分子研2,JST CREST3 ○佃 達哉1,2,3
  7 有機金属クラスターの気相合成とソフトランディングによる光磁気材料の構築(35分) 慶大理工1,JST-CREST2 ○中嶋 敦1,2
  8 金属ナノ粒子の形状・サイズによる光学応答の制御(35分) 名大院工 ○中村新男
「高機能化High-k絶縁膜研究の現状と将来展望」
3月27日 13:00〜17:00
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  1 イントロダクトリートーク:高機能化High-k絶縁膜研究の現状と将来展望(15分) 阪大院工1,早稲田大2 ○渡部平司1,山田啓作2
  2 EOT<1nmに向けたhigh-k直接接合の課題(30分) 東工大総理工 ○角嶋邦之
  3 次世代High-k絶縁膜へ向けた三元系酸化物の材料設計(30分) 東大院工 ○喜多浩之,鳥海 明
  4 HfSiONへの低価数イオン添加が化学結合および電子状態に及ぼす影響(30分) 広大院 先端研1,selete2 ○大田晃生1,吉永博路1,宮崎誠一1,門島 勝2,奈良安雄2
    休 憩 14:45〜15:00  
  5 メタル/high-k/SiO2ゲートスタックにおけるhigh-k/SiO2界面の重要性(30分) 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研ASRC2,東大工3 ○生田目俊秀1,太田裕之2,岩本邦彦1,上牟田雄一1,秋山浩二1,鳥海 明2,3
  6 極微細CMISFETのためのシングルメタル/デュアルHigh-kゲートスタック(30分) Selete ○三瀬信行,諸岡 哲,栄森貴尚,佐藤基之,神山 聡,小野哲郎,奈良安雄,大路 譲
  7 High-kゲート絶縁膜への元素添加効果の物理的起源(30分) 筑波大院数物1,物質材料研究機構2,京大院工3 ○白石賢二1,梅澤直人2,杉野信也3,立花明知3,知京豊裕2
  8 HfSiON/SiO2界面へのAl2O3薄膜挿入による実効仕事関数制御(30分) 東芝 セミコン社 ○犬宮誠冶,金子明生,齋藤友博,西田大介,青山知憲,江口和弘,綱島祥隆
「光−分子強結合反応場の基礎・応用・展開」
3月27日 13:00〜17:00
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  1 イントロダクトリートーク:光-分子強結合反応場の創成に向けて(10分) 北大電子研 ○三澤弘明
  2 有機ー金属ヘテロナノ界面における光強結合反応(30分) 東北大多元研 ○及川英俊,増原陽人
  3 規則ポーラス構造によるナノ・マイクロ空間の形成と光電場制御(30分) 首都大都市環境 ○益田秀樹
  4 単分子膜リソグラフィによる微細加工・微細組立(30分) 京大工 ○杉村博之
  5 光-分子強結合反応場のための微細光学素子の創成と集積化(30分) 産総研セルエンジニアリング1,産総研光技術2,産総研脳神経情報3 ○田和圭子1,堀 博伸1,金高健二2,清末和之3,明石直子1,達 吉郎1,西井準治2
    休 憩 15:10〜15:30  
  6 局在プラズモン共鳴増強電場における分子の光化学過程(30分) 阪大院工 ○朝日 剛
  7 電場増強ナノ構造を用いる光電変換(30分) 九大院工1,九大未来セ2 ○山田 淳1,2
  8 光増強場における多光子光化学反応誘起(30分) 北大院理 ○坪井泰之
「MEMSとCMOSの融合による新たな展開:True-MEMS」
3月27日 13:00〜17:50
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  1 第5回光・電子集積技術業績賞(林賞)受賞記念講演(35分)
シリコンLSIにおける光インターコネクション技術に関する先駆的研究
広島大学 ○岩田 穆
  2 イントロダクトリートーク:True MEMSの実現はあるのか? (30分) 東工大統合研究院 ○益 一哉
  3 MEMS技術の現状と集積化技術への期待(30分) 東北大WPI ○江刺正喜
  4 LSIメーカーからみたMEMS技術への期待と課題(30分) 東芝半研開セ ○柴田英毅
  5 集積化CMOS-MEMS技術:CMOS回路の立場から(30分) NTT1,NTTアドバンステクノロジ2 ○森村浩季1,武藤伸一郎1,石井 仁1,町田克之2
    休 憩 15:35〜15:50  
  6 MEMS実装における課題と技術動向(30分) ミスズ工業 ○千野 満
  7 MEMS技術と材料技術(30分) JSR電子材料事業部 ○稗田克彦
  8 MEMSの今後のビジネス展開(30分) アンカー・ビジネス・システムズ ○永田隆一
  9 総合討論(30分) 東工大 ○益 一哉
「新画像システム研究会企画「映像と質感再現」」
3月27日 13:00〜17:45
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  1 イントロダクトリートーク:映像と質感再現(15分) 東工大 像情報 ○山口雅浩
  2 高質感な映像とは(30分) 尚美学園大大学院,芸術情報学部 ○三橋哲雄
  3 質感知覚の脳メカニズム(30分) NTT CS研 ○本吉 勇
  4 二重変調を特徴とする広ダイナミックレンジプロジェクタ(30分) NHK放送技術研究所 ○日下部裕一,金澤 勝,野尻裕司
  5 質感再現のためのディスプレイ技術(30分) シャープ 先端映像研 ○吉田育弘
    休 憩 15:15〜15:30  
  6 高出力赤色半導体レーザを用いた赤増感プロジェクター(30分) ソニー CT開発本部 ○大瀬憲寛,伊藤 哲,今西大介,佐藤典史,平田照二
  7 立体像表示と質感再現(30分) 農工大 ○高木康博
  8 自動車のデジタルカラーシミュレーション(30分) TCS ○佐藤晋介
  9 質感工学とその応用(30分) 千葉大院 ○津村徳道
  10 クロージングトーク(15分) 徳島大 ○山本裕紹
「半導体プロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション」
3月27日 10:00〜16:05
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  1 イントロダクトリートーク:半導体モデリングとシミュレーションシンポジウムについて(10分) 阪大 サイバーメディアセンター ○小田中紳二
  2 サブ30nm拡散レスMOSFETのTCADチャネル設計と電子線ホログラフィー断面観察による検証(25分) NEC1,NIS2 ○羽根正巳1,五十嵐信行1,上嶋和也1,八高公一1,成広 充1,田中聖康1,池澤健夫2
  3 シリコンナノCMOS拡散シミュレータにおける基本モデルの構築(25分) 慶大理工1,Selete2 ○植松真司1,清水康雄1,河村踊子1,長縄美樹1,伊藤公平1,伊藤浩之2,石川英明2,中村光利2,大路 譲2
  4 濃度勾配法モデルの先端デバイスへの適用(25分) 東芝研究開発センター1,大阪大学2 ○萩島大輔1,松澤一也1,小田中紳二2
    昼 食 11:25〜13:00  
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  1 配線形状を考慮した3次元SRAMシミュレーション(25分) 富士通研 ○田辺 亮,安西浩美,芦澤芳夫,岡 秀樹
  2 単電子デバイスシミュレーション(25分) 東芝LSI基盤技術ラボ1,東芝セミコンダクター社2 ○渡辺浩志1, 2
  3 不揮発性メモリのコンパクトモデリング(25分) ルネサステクノロジ ○園田賢一郎,酒井 敦,谷沢元昭,石川清志,茂庭昌弘,土屋 修,井上靖朗
  4 ダブルゲートMOSFETの回路シミュレーション用コンパクトモデル(25分) 広島大学先端研1,富士通研2 ○貞近倫夫1,岡 秀樹2,田辺 亮2,村上貴洋1,マタウシュハンスユルゲン1,三浦道子1
    休 憩 14:40〜14:50  
  5 NEGF法を用いたDG MOSFETのフルバンド量子輸送シミュレーション(25分) 阪大工 ○三成英樹,西谷大祐,森 伸也
  6 3次元モンテカルロ・シミュレーションによる縮退電子のクーロン相互作用の導入(25分) 筑波大院数物 ○福井貴之,上地忠良,佐野伸行
  7 実電子数での3次元粒子シミュレーションにおけるポテンシャルの揺らぎの検討(25分) 半導体先端テクノロジーズ ○大倉康幸,鈴木 爾
「多元系機能材料研究会企画シンポジウム「新奇プロセスが拓く多元系材料の高機能化の新展開」−プロセスに潜むサイエンス−」
3月27日 13:30〜17:55
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  1 イントロダクトリートーク:新奇プロセスが拓く多元系材料の高機能化の新展開(5分) 新潟大学自然科学系(工学部)1,新潟大学超域研究機構2 ○坪井 望1,2
  2 レーザーアシスト製膜法による高効率CIGS 薄膜太陽電池(30分) 青学大理工1,愛媛大工2 ○中田時夫1,石井康之1,平田淳也1,三瀬貴寛1,白方 祥2
  3 レーザMBEおよびレーザ誘起VLS法による機能性酸化物人工格子の形成(30分) 東大院工 ○田畑 仁,関 宗俊
  4 PLD法および化学溶液法によるマルチフェロイック薄膜の作製と評価(30分) 阪大基礎工 ○奥山雅則
  5 エキシマレーザアニーリングによる多元系薄膜の高性能化技術(30分) 日本製鋼所 ○清野俊明,中村哲成
    休 憩 15:35〜15:50  
  6 二段階気相法を応用したGaN系積層構造蛍光体粒子の作製(30分) 静大電研 ○原 和彦,森 達宏,菰田浩寛,小南裕子,中西洋一郎
  7 ミストCVD法による多元系酸化物薄膜の作製(30分) 京大院工 ○藤田静雄
  8 電子レンジを用いたマイクロ波加熱によるI-III-VI2族半導体の合成(30分) 大阪府立高専 ○須崎昌已
  9 メカノケミカルプロセスとスクリーン印刷/焼結法を用いたCIGS薄膜の形成と太陽電池への応用(30分) 龍谷大 理工1,東工大 量エレ2 ○和田隆博1,山田 明2
  10 クロージング:新奇プロセスが拓く多元材料の高機能化の新展開(5分) 宮崎大工 ○吉野賢二
「横展開を始めた分極反転光デバイス」
3月27日 13:00〜17:50
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  1 イントロダクトリ-トーク:横展開を始めた分極反転光デバイス(30分) 阪大CASI ○小林哲郎
  2 分極反転波長変換材料の進展(20分) オキサイド ○廣橋淳二,福井達雄,宮本晃男,古川保典
  3 分極反転デバイスの無線通信技術への展開(25分) 阪大院基礎工 ○村田博司,岡村康行
  4 分極反転波長変換デバイスを用いたガスセンシング用中赤外光源(20分) NTTフォトニクス研 ○遊部雅生,忠永 修,柳川 勉,梅木毅司,曲 克明,西田好毅,鈴木博之
  5 分極反転波長変換デバイスの量子光学への展開(25分) 学習院大学1,JST-CREST2 ○平野琢也1,2
  6 半導体疑似位相整合波長変換デバイスの進展(25分) 東大工 松下智紀,太田生馬,石川裕士,太田順也,○近藤高志
    休 憩 15:25〜15:40  
  7 分極反転波長変換デバイスを用いた高精度光周波数測定用fceo検出モジュール(20分) アドバンテスト研1,産総研2,物質・材料研3 ○塩田和教1,増田 伸1,稲場 肇2,栗村 直3
  8 分極反転波長変換によるディスプレイ用小型高効率緑レーザ光源(25分) ソニー CT開本 ○岡 美智雄,木村 馨,前田祐樹,高橋浩二,岩瀬暢丈,望月崇宏,斉藤真樹
  9 分極反転波長変換によるリライタブルプリンタ用レーザー光源(20分) リコー 東北研1,分子科学研究所2 ○佐藤康弘1,東 康弘1,廣居正樹1,鈴土 剛1,石月秀樹2,佐藤庸一2,平等拓範2
  10 分極反転波長変換による小型緑色レーザー光源(20分) 島津製作所 民生品部 ○徳田勝彦,門倉一智,久光 守,渡辺一馬,東條公資,福士一郎,石垣直也,門谷章之,小林 裕,井戸 豊
  11 水晶における極性反転と波長変換デバイス(20分) 物材機構1,ニデック2 ○足立宗之1,2,中西 淳1,2,栗村 直1,林 健一2
  12 分極反転光デバイスーその進展と拡がりー(25分) 物材機構1,早稲田大学2 ○栗村 直1, 2
「日本分光学会THz分光部会・応用物理学会THz電磁波技術研究会合同企画「低振動数領域での生体・高分子分光の可能性〜テラヘルツからマイクロ波まで 〜」」
3月27日 13:00〜17:10
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  1 趣旨説明(5分) 理研仙台 ○保科宏道
  2 イントロダクション(15分) 京大理 ○田中耕一郎
  3 テラヘルツ分光概論(35分) 阪大レーザー研 ○谷 正彦
  4 テラヘルツ分光法の応用 〜生体関連分子の水素結合ネットワークの分析〜 (35分) NTT MI研 ○味戸克裕
    休 憩 14:30〜14:45  
  5 中性子散乱によるタンパク質動力学の研究(35分) 奈良先端大物質 ○片岡幹雄
  6 分子シミュレーションで探る生体高分子系のダイナミクス(35分) 東大分生研1,JST,CREST2 ○北尾彰朗1,2
  7 低振動数(THz)ラマン散乱で見えること(35分) お茶の水大GSHS ○冨永靖徳
  8 イオン・高分子・蛋白質周りの水のマイクロ波誘電緩和特性とその生物学的重要性(35分) 東北大院工1,CREST/JST2 ○鈴木 誠1,2,宮崎 崇1,2
  9 終わりに(世話人挨拶)(5分) 島津製作所 ○田窪健二
「シリコンナノエレクトロニクスの新展開「Ge MOSトランジスタ技術」」
3月28日 13:30〜17:45
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  1 イントロダクトリー:ポストスケーリングテクノロジーとGe MOSトランジスタ技術(10分) 名大院工 ○財満鎭明
  2 Ge MOSFETの現状と課題(30分) 東大院工1,半導体MIRAIプロジェクト2 ○高木信一1,2
  3 Ge MOSゲートスタックにおける界面反応の評価および制御技術(30分) 名古屋大院工1,大阪大院基礎工2,名古屋大エコトピア3 ○財満鎭明1,近藤博基1,坂下満男1,中塚 理1,酒井 朗2,小川正毅3
  4 プラズマ窒化応用Ge-MOS形成技術の検討(30分) 阪大院工 ○渡部平司,朽木克博,岡本 学,細井卓治,志村考功
  5 GeへのSD拡散層形成技術(30分) 広大 ナノデバイス ○芝原健太郎
    休 憩 15:40〜15:55  
  6 Ge/絶縁膜およびGe/金属界面を制御したGe-MOSFET技術(40分) 東大院工マテリアル ○鳥海 明,喜多浩之,西村知紀
  7 NiGeメタルSDを用いたGeチャネル微細pMOSFET(40分) 半導体MIRAI-ASET1,半導体MIRAI-産総研ASRC2,東大院工・電子3 ○山本豊二1,田岡紀之2,山下良美1,原田真臣1,池田圭司1,鈴木邦広1,杉山直治1,高木信一2,3
  8 反転層のキャリア輸送の観点から見たGe-MOSFET(30分) NEC1,MIRAI2 ○竹田 裕1,田辺顕人1,山本豊二2,羽根正巳1
「薄膜・表面物理分科会企画「グラフェンは"面白い"、"役に立つ"−基礎物理から応用まで−」」
3月28日 13:10〜17:40
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  1 グラフェンは”面白い”・”役に立つ”---基礎物理から応用まで---:はじめに(5分) 北大電子研 ○徳本洋志
  2 グラフェン研究の現状と物理(45分) 東工大院理工物性物理 ○安藤恒也
  3 ラジカル制御によるグラフェンの構造制御と電気特性(15分) 名大院工1,名城大理工2 ○堀  勝1,平松美根男2
  4 ナノグラフェン端の構造と電子状態(15分) 東大新領域 ○斉木幸一朗,山本麻由,圓谷志郎
  5 SiC上のグラフェン成長と電気特性 (15分) NTT物性基礎研 ○永瀬雅夫,日比野浩樹,影島博之,山口浩司
  6 ナノグラフェンの低温(100℃以下)成長と構造解析(15分) 北大電子研1,寿産業2,SEP3,大府大院工4 ○徳本洋志1,浮田桂子1,國奥秀雄2,徳井博樹2,相馬道明3,嶋村清隆3,秋田成司4
    休 憩 15:00〜15:15  
  7 グラフェンのスピンデバイス(15分) 阪大院基礎工1,JSTさきがけ2 ○白石誠司1,2
  8 薄膜グラファイトの伝導とゲート効果(15分) 理化学研究所1,産業技術研究所2,JST-CREST3 ○塚越一仁1,2,3
  9 (グラフェンの応用物性)シリコン上のグラフェンによる超高速・高周波デバイス(15分) 東北大1,会津大2,北大3,JST-CREST4 ○尾辻泰一1,4,末光眞希1,4,末光哲也1,4,リズィーヴィクトール2,4,佐野栄一3,4
  10 (グラフェンの応用物性)グラフェンの酸化とコンポジット材料(15分) 電通大電子 ○中村 淳,伊藤 潤,名取晃子
  11 パネルディスカッション(75分)
コメント:有機ナノデバイス界面のSPM評価
日立基礎研 ○橋詰富博
  12 おわりに(10分) 豊田工大 ○吉村雅満
「機能性酸化物エレクトロニクスの新展開」
3月28日 13:30〜17:40
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  1 イントロダクトリートーク:機能性酸化物エレクトロニクスの新展開(10分) 産総研ナノテク ○秋永広幸
  2 透明アモルファス酸化物半導体(TAOS):電子状態、キャリア輸送とフレキシブルトランジスタ(25分) 東工大 ○細野秀雄,神谷利夫
  3 酸化物へテロ界面の原子レベルエピタキシーと量子化伝導(25分) 東北大金研 ○大友 明
  4 SrTiO3ペロブスカイトトランジスタの金属-絶縁体転移(25分) 東大院新領域1,産総研2,理研3,東大院工4 ○高木英典1,2,3,中村浩之1,富田 仁1,井上 公2,秋元彦太3,十倉好紀3,4
  5 室温強磁性酸化物電界効果トランジスタ(25分) 阪大産研 ○田中秀和,川合知二
  6 ペロブスカイト型酸化物接合の界面電子構造と機能(25分) 産総研CERC ○澤 彰仁
    休 憩 15:45〜16:00  
  7 High-k/メタルゲートCMOS技術(25分) 半導体先端テクノロジーズ ○青山敬幸,門島 勝,佐藤基之,奈良安雄
  8 NiO-ReRAMのフィラメント伝導とリセット電流制御(25分) 富士通研 ○木下健太郎,角田浩司,佐藤嘉洋,吉田親子,能代英之,山崎裕一,深野 哲,矢垣真也,青木正樹,杉山芳弘,岡野 歩
  9 Fe-O ReRAMとその抵抗変化メカニズム(25分) 松下電器 ○村岡俊作,小佐野浩一,神澤好彦,三谷 覚,藤井 覚,片山幸治,加藤佳一,魏 志強,三河 巧,有田浩二,川島良男,東 亮太郎,河合 賢,島川一彦,小田川明弘,高木 剛
  10 CoO-ReRAMにおける電極/酸化物界面の評価と電気特性(25分) 産総研ナノテク1,シャープ 基盤技術研究所2 ○島  久1,玉井幸夫2
「結晶Si系太陽電池の将来ビジョン」
3月28日 13:00〜17:50
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  1 企画の意図(5分) 東工大量エレ ○山田 明
  2 NEDOの太陽光発電技術研究開発(25分) NEDO技術開発機構 ○松原浩司
  3 地球戦略技術としての太陽光発電とシリコン材料化学(35分) 物材機構1,東京大学2,日本大学3,金沢工大4 ○鯉沼秀臣1,2,角谷正友1,橋本拓也3,遠藤和弘4
  4 結晶Si系太陽電池の展望と技術課題
(バックコンタクト型太陽電池)(35分)
農工大 ○齊藤 忠
  5 太陽電池用シリコン原料の課題と最新技術動向(35分) トクヤマ ○小田開行
    休 憩 15:15〜15:25  
  6 バルクシリコン系の結晶成長とシミュレータの展望と課題(35分) 九大応力研 ○柿本浩一,中野 智,宮澤宏章,寒川義裕
  7 結晶Si系と比較した薄膜太陽電池の現状と展望(35分) 東工大院理工1,東工大量エレ研2 ○小長井 誠1,山田 明2
  8 太陽光発電の長期的展望・価値論(35分) 東京農工大 ○黒川浩助
  9 太陽電池市場の世界動向と展望(35分) 資源総合システム ○大東威司,一木 修,貝塚 泉,松川 洋
  10 まとめ(5分) 東北大金研 ○宇佐美徳隆
「CMOS技術によるバイオメディカルデバイスの展望」
3月28日 13:05〜16:45
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  1 イントロダクトリトーク:CMOSとバイオとの融合へ期待(15分) 物質・材料研究機構 ○堀池靖浩
  2 CMOS技術による生体埋め込みバイオメディカルデバイス(30分) 奈良先端大1,JST, CREST2 ○太田 淳1,2
  3 完全学内プロセスによるCMOSバイオセンサデバイスの研究開発(30分) 豊技大1,JST-CREST2 ○澤田和明1,2,石田 誠1,2
  4 三次元LSI技術を用いた人工視覚と脳埋め込み電極(30分) 東北大院工 ○小柳光正,福島誉史,田中 徹
    休 憩 14:50〜15:10  
  5 バイオセンシングのためのCMOSデバイス・回路技術(30分) 広島大 ○岩田 穆,吉川公麿,黒田章夫,宮崎誠一,横山 新
  6 バイオトランジスタによる生体分子機能解析(30分) 東大CNBI1,NIMS2 ○坂田利弥1,宮原裕二1,2
  7 標準CMOSプロセスをベースとしたISFETセンサ・アレイ集積回路(30分) 名古屋大学工学研究科1,JST2 ○中里和郎1,2,大浦光雄1,小澤寛晃1,2,宇野重康1,2
  8 まとめ(5分) 奈良先端大 ○徳田 崇
「超伝導分科会企画「超伝導を見る」⇔「超伝導で見る」」
3月28日 13:00〜17:30
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  1 趣旨説明(5分) 九工大 ○松本 要
  2 イントロダクトリートーク:「超伝導を見る」「超伝導で見る」(40分) 東大理 ○内田慎一
  3 顕微鏡で磁束を見る(30分) 日立製作所、理化学研究所、OIST ○外村 彰
  4 磁気光学法による超伝導体中の磁束観察(30分) 東大院工 ○為ヶ井 強
  5 超伝導線材ならびにデバイスの開発を支援する可視化技術(30分) 九大院・シス情 ○木須隆暢
    休 憩 15:15〜15:25  
  6 超伝導で宇宙を見る(30分) 名大理 ○福井康雄
  7 LSIの不良・故障状態をレーザーSQUID顕微鏡で見る(30分) NECエレテスト評価1,情報技術開発2,阪大院情報科学3 ○二川 清1,井上彰二2,三浦克介3,中前幸治3
  8 NMRで見る-超伝導・低温技術による先端計測分析(30分) 理研GSC ○前田秀明
  9 MRIで脳の形態,代謝,機能を見る(30分) 国立環境研 ○渡邉英宏
  10 まとめ(5分) 名大工 ○藤巻 朗
「広帯域波長走査光源を用いる光波センシング」
3月28日 13:00〜17:00
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  1 イントロダクトリトーク:広帯域波長走査光源を用いる光波センシング(15分) 東理大・応用物理 ○石井行弘
  2 波長操作光源を用いた医療断層イメージング(30分) COG Univ. of Tsukuba1,筑波大電子・物理工学2,宇都宮大光学教育C3 ○安野嘉晃1,谷田貝豊彦2,3
  3 OCT用高速波長掃引光源(30分) santec ○両澤 淳,鄭 昌鎬,酒井 徹,森山 宏,三國之也,鈴木卓也,女鹿田直之
  4 リットマン型波長走査光源を用いる波長走査干渉法(30分) 産総研光 ○日比野謙一
    休 憩 14:45〜15:00  
  5 光ファイバの振動を用いた高速波長走査光源とその計測応用(30分) 東工大精研 ○中村健太郎,井砂亮一
  6 高速波長走査光源を用いたFBGセンサシステム(30分) アンリツ ○斉藤崇記
  7 連続光の相関制御技術による「光ファイバ神経網」の実現(30分)  ○保立和夫
  8 波長可変多波長レーザを用いたFBG振動センサアレイ(30分) 防衛大 ○田中 哲,高橋信明
「ナノフォトニクスから見える新しい機能の探求 − エネルギー移動と相互作用 −」
3月28日 13:30〜17:20
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  1 イントロダクトリートーク:
ナノフォトニクスから見える新しい機能の探求 –エネルギー移動と相互作用--(30分)
東大工 ○大津元一
  2 ZnO量子構造を用いたナノフォトニックデバイスの進展(30分) 科技構SORST1,POSTECH2,東大工3 ○八井 崇1,Gyu-Chul Yi2,大津元一1,3
  3 ナノ領域の電磁相互作用によるエネルギー移動の基礎理論(30分) 山梨産技短大 ○井上哲也
  4 光合成をまねた人工エネルギー移動系の構築と応用(30分) 京大アイセムス1,京大院工2 ○今堀 博1,2
    休 憩 15:30〜15:50  
  5 数理科学的管見ナノフォトニクス(30分) 早大理工 ○田邉國士
  6 ナノ領域での光学的相関に基づく機能システム(30分) NICT1,東大工2 ○成瀬 誠1,2
  7 ナノ領域スピン・双極子ゆらぎによる機能システム(30分) 東大院工 ○田畑 仁
「極端紫外(EUV)光源開発の現状ならびにその応用のフロンティアを探る」
3月28日 13:00〜17:20
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  1 極端紫外(EUV)光源開発の現状ならびにその応用のフロンティアを探る
ーはじめにー(5分)
阪大レーザー研 ○西村博明
  2 EUV放射プラズマにおける原子過程と放射流体物理(30分) レーザー総研 ○砂原 淳
  3 レーザープラズマ放射EUV光源の最適化(30分) 阪大レーザー研 ○宮永憲明
  4 高平均出力レーザー励起EUV光源技術(30分) EUVA平塚研究開発センタ ○住谷 明
  5 放電生成プラズマEUV光源の最適化(30分) 東工大総理工 ○堀田栄喜,東工大EUVグループ  
    休 憩 15:05〜15:20  
  6 高平均出力放電励起EUV光源技術(30分) EUVA ○佐藤弘人
  7 次世代半導体製造技術とEUVリソグラフィ(30分) Selete ○西山岩男
  8 EUV材料プロセス(30分) 筑波大院電子・物理工学1,産総研光技術2 ○牧村哲也1,藤森隆成1,新納弘之2,村上浩一1
  9 航空宇宙分野におけるEUV応用(30分) 神戸大院 ○田川雅人,横田久美子
「次世代光メモリのイノベーションに向けて−大学におけるフロンティア研究−」
3月28日 13:00〜17:00
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  1 イントロダクトリートーク:次世代光メモリのイノベーションに向けて(15分) 関大HRC ○沖野芳弘
  2 反射型ホログラフィックディスクメモリ(30分) 神戸大院工 ○的場 修
  3 コリニアホログラムメモリとその周辺技術(30分) 豊橋技科大1,豊田高専2,FDK3,オプトウエア4,共栄社化学5,メモリーテック6 ○井上光輝1,林 攀梅1,鄭 廣鉉1,川西史晃1,高橋秀暢1,金 周映1,高木宏幸2,梅澤浩光3,堀米秀嘉4,池田順一5
  4 コリニア・ホログラフィック・メモリーの理論的解析(30分) 東大生研 ○志村 努
    休 憩 14:45〜15:00  
  5 フォトリフラクティブ効果によるホログラフィックRAMの研究(30分) 北大院情報科学 ○岡本 淳
  6 多光子励起を用いた光メモリイノベーション(30分) 静大工 ○川田善正
  7 フォトクロミックメモリ:実用化に向けた課題と新しい展開(30分) 大阪教育大 ○辻岡 強
  8 二光子吸収記録・一括光再生型三次元光記録材料(30分) 京大産官学連携セ1,NTTフォトニクス研2,京大院工3 ○栗原 隆1,2,藤田静雄3
「フォトニックICT研究会企画「フォトニックICTの展開」」
3月28日 13:30〜17:00
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  1 フォトニックICTの未来(45分) NTT未来研 ○萩本和男
  2 イントロダクトリートーク:フォトニックICTの展開(30分) 東工大精研 ○小林功郎
  3 超高速光パケットスイッチングと関連技術(30分) 情報通信研究機構 ○和田尚也
    休 憩 15:15〜15:30  
  4 光スイッチング技術によるペタスケール・インターコネクトシステムのサイズ低減と低消費電力化(30分) 富士通 ○青木泰彦
  5 光信号処理における多次元化とその現状(30分) 阪大院工 ○小西 毅
  6 フォトニックネットワークに向けた光機能回路技術(30分) 慶応理工 ○津田裕之
「応用物理教育分科会企画「物理のおもしろさを生徒や学生にいかに伝えるか?〜中学、高校、大学における"力学"の授業を中心にして〜」」
3月28日 13:30〜16:45
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  1 イントロダクトリートーク:物理のおもしろさを生徒や学生にいかに伝えるか? 〜中学、高校、大学における"力学"の授業を中心にして〜(5分) 東理大工1,東京工科大バイオニクス2 安藤靜敏1,○毛塚博史2
  2 サイエンスショーを活かした理科授業(30分) 坂井市立春江中学校 ○月僧秀弥
  3 力積概念による動力学入門教育(30分) 柏南高 ○塚本浩司
    休 憩 14:35〜14:50  
  4 医学生に対する物理教育(30分) 女子医大物理 ○木下順二,松本みどり,山口俊夫,西脇洋一
  5 サイエンス・コミュニケーション活動の1つの方法(30分)  ○川村康文
    休 憩 15:50〜15:55  
  6 パネル討論(50分)  ○講演者全員 
「衝撃応用研究グループ企画「衝撃のダイナミクスと応用」」
3月28日 13:00〜17:25
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  1 イントロダクトリートーク:衝撃応用研究グループ企画「衝撃のダイナミクスと応用」(5分) 防衛大 ○松本 仁
  2 外力により人体が受ける衝撃力測定法の開発(20分) 長寿研 ○伊藤安海
  3 超音速ガス流高気圧パルスグロー放電装置における衝撃波と高繰り返し放電の関係(20分) 長岡技科大電気1,長岡技科大機械2 ○今田 剛1,鈴木正太郎2,増田 渉2
  4 ナノ秒時間分解ラマン分光測定をもちいた衝撃誘起相転移ダイナミクスの研究(25分) 東工大応セラ研 ○中村一隆
  5 レーザー干渉速度計での衝撃圧縮過程とその解放過程の計測(25分) 物材機構 ○関根利守
  6 超高速衝突による物質破壊に伴うマイクロ波放射現象とその応用(25分) JAXA・宇宙科学研究本部1,理化学研究所2,東京理科大3 ○高野 忠1,牧 謙一郎2,相馬央令子3,藤原 顕1
    休 憩 15:00〜15:15  
  7 循環型ウッドセラミックス製造技術の開発 -リンゴウッドセラミックスを用いたダイヤモンド衝撃合成-(25分) 青森県工業総合研究センター1,日本油脂2,産総研3,笠原技術士事務所4,弘果総合開発研5,熊大工6 ○岡部敏弘1,小野浩之1,黒山 豊2,花田幸太郎3,笠原敬介4,中村信吾5,伊東 繁6
  8 パルス細線放電による窒化物超微粒子作製と粒径制御技術(20分) 長岡技大極限セ1,JST2 ○末松久幸1,床井良徳1,諏訪浩司1,鈴木常生1,中山忠親1,石原 知2,新原晧一1
  9 衝撃圧縮法を用いるバルク BPSCCO 磁気センサの製作:磁気感度と衝撃圧力の関係(20分) 近畿大院総合理工1,東京工科大バイオニクス2,防衛大機能材料工3 ○藤田浩之1,三輪貴大1,伊藤峯雄1,毛塚博史2,松本 仁3,岸村浩明3
  10 レーザ衝撃による構造材料の疲労強度向上(20分) 東芝 ○佐野雄二
  11 燃焼合成と爆発衝撃圧縮法より得られた希土類系磁性体の性質(20分) 崇城大工 ○友重竜一,野口正広
  12 相転移/化学反応を利用したセラミックスの衝撃誘起ナノ微細化の制御(25分) 東工大応セラ研1,東北大金研2,東北福祉大感性研3 ○阿藤敏行1,川合伸明1,中村一隆1,近藤建一1,伊藤 俊2,菊地昌枝3
「結晶工学分科会企画シンポジウム「酸化物・フッ化物単結晶の最近の展開」」
3月29日 13:00〜17:40
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  1 イントロダクトリートーク:酸化物・フッ化物単結晶の最近の展開(20分) 物材機構 ○木村秀夫
  2 CZ法によるサファイア単結晶成長(35分) 住友金属鉱山 青梅研究所 ○飯野貴幸
  3 CZ法による12CaO・7Al2O3単結晶の育成と評価(35分) 日立化成1,東工大2 ○蔵重和央1,2,上田俊輔2,宮川 仁1,戸田喜丈1,松石 聡1,金聖聖雄1,林 克郎1,平野正浩1,細野秀雄1
  4 リラクサ系圧電単結晶材料の開発動向とその応用(35分) 東芝リサーチコンサル1,東芝 研究開発C2 ○山下洋八1,山本紀子2,細野靖晴2,逸見和弘2
    休 憩 15:05〜15:20  
  5 高周波SAWフィルター用パイロフリーLT単結晶ウェハの製造技術(35分) コイケ品質管理室1,コイケ技術営業部2 ○望月正実1,若林 剛2,末永 修2,長田正憲2
  6 酸化物単結晶成長プロセスの数値シミュレーション(35分) 阪府大院工1,八戸工大工2,西南交通大3 ○塚田隆夫1,杉岡健一1,小林正樹2,敬 成君3
  7 紫外非線形光学応用の強誘電体フッ化物単結晶(35分) 物材機構 ○島村清史,Villora E.G.,竹川俊二,中村 優
  8 半導体リソグラフィー用大型フッ化物単結晶の育成と光学評価(35分) トクヤマ1,東北大多元研2 ○縄田輝彦1,正田 勲1,真淵俊朗1,佐藤浩樹2,福田承生2
「半導体の新しい光機能の探索」
3月29日 13:00〜17:05
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  1 半導体の新しい光機能の探索:はじめに(20分) 京大化研 ○金光義彦
  2 半導体のキャリア相関と光制御機能(30分) 東大工 ○五神 真
  3 量子細線レーザーとキャリア相関効果(30分) 東大物性研1,CREST-JST2 ○秋山英文1,2
  4 酸化物半導体における光キャリア制御(30分) 京大理 ○田中耕一郎
    休 憩 14:50〜15:05  
  5 半導体光励起状態での協力現象と量子凝縮(30分) 阪大理 ○小川哲生
  6 励起子ポラリトンの量子凝縮(30分) スタンフォード大学1,国立情報学研究所2 ○山本喜久1,2
  7 量子情報技術のための光源(30分) 北大電子研 ○竹内繁樹
  8 電子相関と光機能(30分) 東大工 ○十倉好紀
「バイオに学ぶ電子デバイス作製とその応用」
3月29日 13:00〜17:55
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  1 イントロダクトリートーク:ここまできた電子デバイスへのバイオ応用(15分) 松下電器先端研 ○山下一郎
  2 生物のyuragi応用(30分) 阪大 ○柳田敏雄
  3 バイオミネラリゼーションによるナノ粒子及びナノワイヤーの作製 (25分) JST/CREST1,奈良先端大2,松下電器先端研3 ○岩堀健治1,2,山下一郎1,2,3
  4 ナノ粒子から乱数発生、創発機能へ(25分) 東工大総理工1,理研創発機能2 ○原 正彦1,2
  5 無機材料認識ペプチドとタンパク質の人工的進化 (25分) 癌研 ○芝 清隆
  6 バイオナノドット応用電子デバイス(25分) 奈良先端大学院大学 ○冬木 隆
    休 憩 15:25〜15:40  
▲ 7 ナノデバイス部品作製のために開発したTRAPタンパク質(20分) Tokyo Tech, G.E. Institute ○Jonathan Heddle
  8 ナノ粒子のパターニングと配置(20分) 松下電器 先端技研1,CREST JST2,奈良先端大 物質創成3 ○吉井重雄1,3,松川 望1,3,熊谷慎也1,西尾和晃1,山下一郎1,2,3
  9 バイオテンプレート極限加工による量子構造の実現(25分) 東北大流体研 ○寒川誠二
  10 バイオ技術で作る次世代ディスプレイ「システムオンパネル」(20分) 奈良先端大1,松下電器2 ○浦岡行治1,冬木 隆1,吉井重雄2,山下一郎1,2
  11 脳型情報処理のためのナノ構造(30分) 九工大院生命体工学 ○森江 隆
  12 パネルディスカッション方式総合討論(20分) 松下電器先端技術研究所 ○山下一郎
64.1 液相プラズマ科学の研究課題と応用への展望
3月29日 13:15〜17:20
(13:15〜13:30はプラズマエレクトロニクス賞表彰式)
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  1 プラズマエレクトロニクス賞表彰式(15分)  表彰式 
  2 イントロダクトリートーク:液相プラズマ科学の研究課題と応用への展望(5分) 京大院工 ○江利口浩二
  3 液体が介在するプラズマ反応場の創成(30分) 京大院工 ○橘 邦英
  4 気相-液相界面プラズマの生成と応用(30分) 東北大院工 ○畠山力三,金子俊郎,馬場和彦
  5 マイクロ波照射による溶液中でのプラズマ生成法とその応用(30分) 名大工1,中部大工2 ○石島達夫1,菅井秀郎2
    休 憩 15:05〜15:20  
  6 新しい材料合成・加工の反応場としてのソルーションプラズマ(30分) 名大エコトピア1,CREST/JST2 ○高井 治1,2
  7 超臨界流体プラズマの基礎と材料プロセス反応場への応用(30分) 東大院新領域 ○寺嶋和夫,苫居高明,菊池宏和
  8 パルスパワー生成水中放電プラズマの特性と応用(30分) 熊本大学 ○秋山秀典
  9 高周波およびマイクロ波を用いた液中プラズマの発生とその応用技術(30分) 愛媛大 ○野村信福,豊田洋通
「人材育成・男女共同参画委員会企画「新しい時代を切り開く理工系人材〜産学人材育成 パートナーシップ〜」」
3月29日 13:00〜17:30
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  1 応用物理学会学会長挨拶(5分)  ○学会長 
  2 新しい時代を切り開く理工系人材育成〜産学人材育成パートナーシップ〜
委員長御挨拶、ロードマップ紹介(10分)
日本女子大 ○小舘香椎子
  3 科学技術人材の育成方策 〜若手研究者/女性研究者への支援〜(15分) 文科省 ○林 幸秀
  4 イノベーション人材の育成に向けた今後の取組について(15分) 経産省 ○徳増有治
    休 憩 13:45〜14:00  
  5 パネルディスカッション 司会挨拶(10分) 東大1,日本女子大2 ○荒川泰彦1,小舘香椎子2
  6 パネリスト自己紹介・話題提供(50分) 松下電器産業 ○古池 進
ソニー ○熊谷 修
サイバーレーザー ○関田仁志
JST ○北澤宏一
東大 ○保立和夫
東洋大 ○蒲生西谷美香
  7 パネルディスカッション(140分) 日本女子大1,東大2 ○小舘香椎子1,荒川泰彦2
  8 まとめ(10分) 慶応大 ○石榑崇明
「エネルギー・環境研究会企画「持続可能社会のための環境・エネルギー技術ロードマップ」」
3月29日 13:00〜16:40
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  1 持続可能社会のための環境エネルギーロードマップ:イントロダクトリートーク(10分) NEC特許技術情報センター ○岸田俊二
  2 太陽光発電による持続可能な環境共生型社会実現を目指して(30分) 東海大学 ○磯村雅夫
  3 太陽光を利用した水素製造技術(30分) 産総研 ○佐山和弘
  4 事業所用分散発電システムの近未来(30分) 福島大理工 ○佐藤理夫
    休 憩 14:40〜14:50  
  5 計算機マテリアルデザインー基礎と応用(白金代替触媒の知的設計)(30分) 阪大工1,阪大理2 ○笠井秀明1,Wilson Agerico Diño2,窪田善之1,Mary Clare Sison Escaño1
  6 電気自動車/据置用二次電池技術(30分) 事業推進本部 ○内海和明
  7 省エネルギー自動車の未来像(30分) 東海大工 ○木村英樹
  8 2050年の環境・エネルギー技術(20分) 東海大教養 ○内田晴久
「ランダム系の電子伝導、イオン伝導−メカニズムとデバイス応用−」
3月29日 13:00〜16:55
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  1 イントロダクトリートーク:ランダム系の電子伝導、イオン伝導(10分) 大阪府大院工 ○内藤裕義
  2 ランダム系の電子伝導ー微結晶シリコンからアモルファスカルコゲナイドまでー(35分) 岐阜大学 工学部 ○嶋川晃一
  3 多結晶シリコン薄膜トランジスタのデバイス物理・デバイス評価(35分) 龍谷大理工 ○木村 睦
  4 酸化物の電子伝導とデバイス応用(35分) 東工大1,科技機構,ERATO-SORST2 ○神谷利夫1,2,細野秀雄1,2
    休 憩 14:55〜15:10  
  5 ガラス系イオン伝導材料の開発とイオニクスデバイスへの応用(35分) 阪府大工 ○辰巳砂昌弘
  6 有機半導体の電子伝導(35分) 東芝研究開発センター ○西沢秀之
  7 有機多結晶薄膜トランジスタにおけるキャリア輸送の制限要因(35分) 千葉大院工 ○中村雅一,松原亮介,大橋 昇
「シリコン系材料・プロセス評価の最前線−放射光利用による新展開」
3月29日 13:30〜17:55
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  1 イントロダクトリートーク:最先端シリコンテクノロジーと放射光(10分) 名大院工 ○財満鎭明
  2 SPring-8でのシリコンナノエレクトロニクス研究の現状(30分) 高輝度光科学研究セ ○木村 滋
  3 X線マイクロ回折によるIV族半導体薄膜の局所歪構造評価(30分) 名古屋大院工1,大阪大院基礎工2,名古屋大エコトピア3 ○中塚 理1,酒井 朗2,小川正毅3,財満鎭明1
  4 放射光X線トポグラフィによる歪みSiウェーハの評価(30分) 阪大院工1,明大理工2,富山大理3 ○志村考功1,井上智之1,岡本佑樹1,細井卓治1,小椋厚志2,江戸太樹3,飯田 敏3,渡部平司1
  5 Cu配線における極薄膜Cu酸化物の解析(30分) 東京大学総合研究機構 ○大場隆之
    休 憩 15:40〜15:55  
  6 XAFSによるhigh-k薄膜および歪みシリコン薄膜の局所構造解析(30分) 三菱電機 先端総研1,ルネサス プロ開部2 ○上原 康1,土本淳一2
  7 角度分解光電子分光法よる薄膜構造解析(30分) 東北大NICHe ○服部健雄
  8 X線光電子分光を用いた誘電率の推定法(30分)  ○廣瀬和之
  9 硬X線光電子分光法によるメタルゲート/絶縁膜界面の評価(30分) 東芝 研究開発センター ○吉木昌彦,土屋義規,小山正人,竹野史郎,古賀淳二
「液晶応用の新展開」
3月29日 13:00〜17:30
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  1 イントロダクトリートーク(10分) 阪産大工 ○宇佐美清章
  2 光で動く高分子(30分) 東工大 ○池田富樹
  3 液晶エラストマーのナノ構造設計と可逆変形(30分) 東工芸大工 ○平岡一幸
  4 キラル液晶のレーザーデバイス応用(30分) 阪大院工 ○尾崎雅則
  5 液晶性半導体を用いた溶液プロセスによる薄膜トランジスターの作製(30分) 東大院工1,産総研ナノテク2 ○舟橋正浩1,張 発培1,玉置信之2
    休 憩 15:10〜15:30  
  6 ネマチック液晶・強誘電性液晶を用いたマイクロ波ミリ波可変位相器の高速化(30分) 防衛大電気情報 ○森武 洋,尾崎良太郎,亀井利久,内海要三
  7 バナナ形液晶を用いたディスプレイ ―問題点と解決策― (30分) 東工大院理工 ○竹添秀男,新保仁男
  8 光学的等方性ブルー相液晶の電気光学Kerr効果(30分) 九大先導研1,JST2,チッソ石油化学3,日油4 ○菊池裕嗣1,Suk-Won Choi2,長谷場康宏3,山本真一3,岩田 崇4,Donguk Cho2,樋口博紀1
  9 フレキシブルフィルム液晶技術の現状と課題(30分) NHK技研 ○藤掛英夫,佐藤弘人
「デバイスイノベーションに向けたナノエレクトロ二クス研究の新展開」
3月29日 13:00〜18:00
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  1 イントロダクトリートーク:デバイスイノベーションに向けたナノエレクトロ二クス研究の新展開(10分) 産総研1,東工大 フロンティア研2 ○金山敏彦1,岩井 洋2
  2 JST・CREST「次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究」について(30分) 半導体先端テクノロジーズ ○渡辺久恒
  3 経済産業省が進めるナノエレクトロニクス技術開発の意義と概要について(20分) 経済産業省 ○藤原達也
  4 JST・さきがけ「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」について(25分) 農工大工1,科学技術振興機構2 ○佐藤勝昭1.2
  5 科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開」について(35分) 名大院工 ○財満鎭明
    休 憩 15:00〜15:15  
  6 ナノエレクトロニクスの研究動向と戦略(35分) 産総研 ○田中一宜
  7 パネルディスカッション-ナノエレクトロ二クス研究における連携のあり方(120分) 産総研1,東工大 フロンティア研2 ○金山敏彦1,岩井 洋2
  8 まとめ(10分) 産総研 ○金山敏彦
「ナノテクの難病研究・医療への応用」
3月29日 13:00〜16:25
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  1 ナノテクの難病研究・医療への応用(10分) 分子研1,総研大2 ○宇理須恒雄1,2
  2 ナノバイオデバイスによる予防医療(30分) 名大院工1,産総研健康工学セ2,分子研3 ○馬場嘉信1,2,3
  3 エイズ治療に向けた計算機シミュレーションと医薬品開発(30分) 千葉大薬1,国立感染研2 ○星野忠次1,杉浦 亙2,駒野 淳2
  4 糖尿病治療にむけた膵島表面のナノ加工(30分) 京大再生研 ○岩田博夫
    休 憩 14:40〜14:55  
  5 機能性ナノ粒子によるナノからマクロレベルの生体イメージング(30分) 東北大医1,東北大工2,東北大先進医工3,東北工大4,茨城大工5 ○武田元博1,2,樋口秀男3,小林正樹4,小林芳男5,大内憲明1
  6 臨床応用を見据えたナノテクドラッグデリバリーシステムの開発研究(30分) 聖マ医大難治研 ○五十嵐理慧
  7 新規がん抑制遺伝子を基盤シーズとするナノバイオ標的医療(30分) 岡山大ナノバイオ標的医療 ○公文裕巳
「中性子場の線量評価〜測定原理から医療応用まで〜」
3月29日 13:30〜17:30
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  1 イントロダクトリートーク:医療現場における中性子測定(5分) 筑波大陽子線 ○照沼利之
  2 中性子線量測定器の現状(30分) 放医研 ○鈴木敏和
  3 中性子測定器の校正技術(30分) 産総研1,名大2 ○松本哲郎1,原野英樹1,工藤勝久1,瓜谷 章1,2
  4 中性子標準のトレーサビリティと国際相互比較(30分) 産総研 ○原野英樹,松本哲郎,瓜谷 章,工藤勝久
    休 憩 15:05〜15:30  
  5 中性子線量評価に用いるシミュレーションコードの現状(30分) 原子力機構1,高度情報科学技術研究機構2 ○佐藤達彦1,仁井田浩二2
  6 中性子捕捉療法の線量評価(30分) 原子力機構1,筑波大学2,京都大学3 ○熊田博明1,山本和喜1,松村 明2,小野公二3
  7 陽子線、重粒子線治療での中性子被曝評価(30分) 放医研1,東工大2 ○松藤成弘1,米内俊祐1,松井祐樹2,松下 郁2,河野俊之2,金井達明1
  8 ディスカッション(30分)  講演者全員