11　半導体A（シリコン）
	9月4日（火）		9月5日（水）		9月6日（木）		9月7日（金）		9月8日（土）
	午前	午後	午前	午後	午前	午後	午前	午後	午前	午後
11半導体Ａ（シリコン）分科内総合講演「LSI多層配線の微細化限界とブレークスルー技術」					2号-ZQ　10:00〜12:10	2号-ZQ　13:15〜17:00
11.1 基礎物性・評価			G-ZF　9:30〜12:30	G-ZF　13:30〜18:00
11.2 半導体表面					G-ZF　9:30〜12:15	G-ZF　13:15〜17:50			G-ZF　9:00〜12:15
11.3 絶縁膜技術	2号-ZM　9:45〜13:00	2号-ZM　14:00〜17:00	2号-ZQ　9:30〜12:00		2号-ZM　10:15〜13:00	2号-ZM　14:00〜18:30	2号-ZM　9:30〜12:45	2号-ZM　14:00〜18:00	2号-ZM　9:15〜12:30
11.4 配線技術	G-B　10:00〜12:00	G-B　13:00〜18:00	G-B　9:00〜12:00
11.5 Siプロセス技術	体育-P2（ポスターセッションのみ）　9:30〜11:30		体育-P6（ポスターセッションのみ）　9:30〜11:30		体育-P10（ポスターセッションのみ）　9:30〜11:30
11.6 Siデバイス/集積化技術				G-ZE　13:30〜17:30	G-ZE　9:15〜12:00		2号-ZL　10:00〜13:00	2号-ZL　14:00〜19:00	2号-ZL　9:00〜12:00	2号-ZL　13:00〜15:00
11.7 シミュレーション							G-ZE　9:45〜12:30	G-ZE　14:00〜17:00