シンポジウム
フラーレン系低次元ナノマテリアル研究の最前線
9月4日　9:00〜16:25
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	1	イントロダクトリートーク: フラーレン系低次元ナノマテリアル研究の最前線（10分）	物材機構　○宮澤薫一
	2	フラーレン誘導体ナノウィスカーの合成とTEM・ラマン分光分析（25分）	共立薬大1，筑波大2，物材機構3　○増野匡彦1，中村成夫1，齋藤一真2，木塚徳志2，宮澤薫一3
	3	金属内包フラーレンの化学修飾（25分）	物材研1，筑波大TARAセ2，東学芸大教3，分子研4　○若原孝次1，山田道夫2，飯塚裕子2，二川秀史2，土屋敬広2，前田　優3，赤阪　健2，溝呂木直美4，永瀬　茂4
▲	4	金属/金属イオン添加フラーレンナノウィスカー/ナノチューブの合成と構造評価（25分）	物材機構　○Sathish Marappan，宮澤薫一，佐々木敏雄
		休 憩 10:25〜10:35
	5	液-液界面結晶析出法によるフラーレン誘導体結晶の構造と物性（25分）	法政大工　○緒方啓典，本橋　覚，相原康貴
▲	6	液-液界面析出法によるC60ナノファイバーの選択成長（25分）	NIMS　○Cherry Ringor，宮澤薫一
	7	フラーレンマイクロ/ナノ結晶の形態制御（25分）	東北大多元研　○及川英俊
▲	8	フラーレン一次元結晶の高速合成（25分）	NIMS　○車　承一，宮澤薫一
		昼 食 12:15〜13:15
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	1	フラーレンナノウィスカー・チューブのC60分子運動（25分）	物材機構　○北澤英明，端　健二郎，トルスンウルニサ，古林孝夫，後藤　敦，清水　禎，宮澤薫一
	2	C60ナノウィスカーの育成と力学的性質（25分）	横市大院国総科　渡邊眞美，小島謙一，○橘　　勝
	3	フラーレンナノウィスカーを用いたナノカプセル合成と力学・電気伝導特性解析（25分）	名古屋大1，筑波大2，物材機構3　○安坂幸師1 ，加藤良栄2，宮澤薫一3，木塚徳志2
	4	走査型プローブ顕微鏡によるフラーレンナノマテリアルの評価（25分）	物材機構　○藤田大介，徐　明生，北原昌代
		休 憩 14:55〜15:05
	5	C60ナノ結晶、ナノウィスカー、ナノチューブの光学的性質と光誘起現象（25分）	筑波大院数物　○松石清人，皆見健太，内藤一樹
	6	フラーレンナノスケール低次元構造体の電子物性(25分)	東北大院理　○熊代良太郎，谷垣勝己
	7	C60フラーレン系FETにおける最適電極の探査（25分）	千葉大院融合　○落合勇一
	8	まとめ（5分）	物材機構　○藤田大介
Ｘ線・中性子による quick 反射率法の展望 - 表面や埋もれたナノ構造の変化を追う(III)
9月4日　9:30〜17:30
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	1	イントロダクトリートーク:X線・中性子によるquick反射率法の最近の動向 (20分)	物材機構　○桜井健次
	2	quickで見たいもの：半導体ナノドット成長過程（40分）	原子力機構　○高橋正光
		休 憩 10:30〜10:50
	3	quick で見たいもの：ソフトマテリアル界面（40分）	立命館大SLLS1，JASRI2　○矢野陽子1，宇留賀朋哉2，谷田　肇2，豊川秀訓2，寺田靖子2，高垣昌史2
	4	quick で見たいもの：ポリイミド薄膜の”配向”結晶化過程（40分）	旭化成　基盤技術研究所　○松野信也，菊間　淳
		昼 食 12:15〜13:30
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	1	中性子の利用：環状高分子の相互拡散評価とその場観察（40分）	名大院工1，九大院工2，高エネ機構3　○川口大輔1，高野敦志1，田中敬二2，長村利彦2，鳥飼直也3，松下裕秀1
	2	リン脂質/添加塩混合薄膜からの巨大単層膜ベシクルの形成メカニズム（40分）	高エネ研中性子1，京大理2　○山田悟史1，鳥飼直也1，菱田真史2，瀬戸秀紀2
		休 憩 14:50〜15:10
	3	quick のための装置技術：SPring-8における溶液界面反射率計の高度化（40分）	JASRI1，立命館大2，九大3，宇都宮大4　○宇留賀朋哉1，谷田　肇1，豊川秀訓1，矢野陽子2，瀧上隆智3，飯村兼一4，寺田靖子1，高垣昌史1
	4	quick のための装置技術：ポリクロメータを用いた新しい反射率測定技術（40分）	物構研・放射光　○松下　正
	5	quick のための装置技術：新しい光学素子の開発と応用可能性（40分）	京大国際融合1，京大院2，東北大金研3　○奥田浩司1，落合庄治郎1，久野啓志2，中嶋一雄3，藤原航三3
	6	サマリー＆ディスカッション（20分）
ナノインプリント樹脂材料の開発最前線
9月4日　13:00〜17:00
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	1	イントロダクトリートーク：ナノインプリント技術の特許出願動向（25分）	特許庁　○山本晋也
	2	ナノインプリント用フッ素材料（25分）	旭硝子中研　○川口泰秀
	3	UVナノインプリント用樹脂（25分）	東洋合成　○坂井信支
	4	光硬化性樹脂のインプリントへの適用（25分）	ダイセル化学工業1，兵庫県立大学2　○三宅弘人1，伊吉就三1，中松健一郎2，松井真二2
		休 憩 14:40〜14:55
	5	熱ナノインプリント技術を用いて作製した光学素子の紹介（25分）	綜研化学　○三澤毅秀，田代紘子，洞口裕哉
	6	熱インプリント用樹脂の開発状況（25分）	丸善石化　○高谷佳輝
	7	SU-8のナノインプリント材料としての適用検討(25分)	日本化薬1，兵庫県立大2，明昌機工3　○長井一彦1，中松健一郎2，松井真二2，利根克彦3
	8	室温ナノインプリントSOG材料（25分）	東京応化工業1，兵庫県立大学2　○竹内義行1，大高正次1，種市順昭1，奥井俊樹1，中松健一郎2，松井真二2
	9	ナノインプリントリソグラフィー用ドライフィルムレジスト（25分）	旭化成エレクトロニクス1，兵庫県立大学2　○松田英樹1，外村正一郎1，中松健一郎2，松井真二2
薄膜・表面物理分科会企画「ナノスケール構造制御技術の最前線」−ACSIN-9プレシンポジウム−
9月4日　13:00〜17:20
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	1	イントロダクトリー：ナノスケール構造制御技術の最前線-ACSIN-9プレシンポジウム-(5分)	東理大理1，筑波大院数理物2　○本間芳和1，重川秀実2
	2	表面原子細線をテンプレートした構造制御技術（30分）	物材機構1，筑波大数理物質科学2　○三木一司1,2
	3	Si基板上GaPナノワイヤをベースにしたヘテロ構造（30分）	NTT物性基礎研　○舘野功太，Guoqiang Zhang，寒川哲臣，中野秀俊
	4	単層カーボンナノチューブの選択的直径制御合成（30分）	産総研ナノカーボン1，JSTさきがけ2　○斎藤　毅1,2，大嶋　哲1，岡崎俊也1，大森滋和1，湯村守雄1，飯島澄男1
	5	自己組織化による量子ドットの作製と物性評価（30分）	東大院工、CREST-JST　○市川昌和
		休 憩 15:05〜15:20
	6	リソグラフィと結晶成長による単電子素子（30分）	北大量子集積センター1，北大情報科学研究科2　○福井孝志1,2，本久順一2
	7	ナノスケール構造のNEMS応用（30分）	NTT物性基礎研　○山口浩司
	8	生体分子のナノ構造制御と相互作用力の評価（30分）	東工大総理工理研フロンティア1，理研フロンティア2　○原　正彦1,2，林智広1,2，Tong Wang2，小林俊秀2
	9	分子集合体システムの金属化による機能性ナノ構造形成（30分）	北大電子研1，北大院理2，CREST, JST3　○居城邦治1,3，田中あや2，佐藤壮人2，橋本裕一1，松尾保孝1
結晶工学分科会・応用電子物性分科会共同企画「実用化の始まった化合物太陽電池」
9月4日　13:30〜17:45
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	1	イントロダクトリートーク　-化合物薄膜太陽電池 現状と今後の展開（30分）	龍谷大　理工　○和田隆博
	2	CIS太陽電池の高効率化技術（30分）	東工大　量エレ1，東工大　電物2　○山田　明1，千葉善之2，中柴徹也2，川村昌弘2，小長井　誠2
	3	蒸着法によるCIS 太陽電池の製造技術（30分）	産総研1，鹿児島大2，東理大3　○仁木　栄1，櫻井啓一郎1，石塚尚吾1，山田昭政1，寺田教男2，中西久幸3
	4	セレン化/硫化法によるCIS系薄膜太陽電池の量産化（30分）	昭和シェル石油　○櫛屋勝巳
		休 憩 15:30〜15:45
	5	CIS太陽電池の界面バンド接続評価（30分）	鹿児島大1，産総研2　○寺田教男1,2，柏原博豪1，手島慎平1，政元啓明1，渡邊裕介1，仁木　栄2，櫻井啓一郎2，石塚尚吾2，山田昭政2，松原浩司2
	6	超高効率太陽電池の開発（30分）	シャープ　○高本達也
	7	量子ドット太陽電池の現状（30分）	筑波大院数理物質　○岡田至崇
	8	宇宙用化合物太陽電池の開発と実用（30分）	宇宙航空機構総研本部1，原子力機構高崎量子研2　○今泉　充1，大島　武2
微細周期構造をもつ光学素子の新展開
9月5日　13:00〜16:50
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	1	微細周期構造をもつ光学素子の新展開（イントロダクトリートーク）(5分)	オリンパス　○槌田博文
	2	赤外線光学素子における微細構造の利用（30分）	三菱電機情報総研　○中野貴敬，玉川恭久
	3	分割偏光素子による光ピックアップ（20分）	リコー1，フォトニックラティス2　○小形哲也1，大内田　茂1，横井研哉1，川嶋貴之2，川上彰二郎2
	4	円周状偏光子と軸対称偏光レーザー（20分）	東北大多元研1，フォトニックラティス2　○佐藤俊一1，小澤祐市1，佐藤　尚2，井上喜彦2，川上彰二郎2
	5	共鳴格子を用いたリニアエンコーダ（30分）	東北大工　○羽根一博，崔　峯碩，金森義明
		休 憩 14:45〜15:00
	6	フォトニック結晶有機ELデバイス（30分）	京大院工1，パイオニア2　○冨士田誠之1，石原邦亮1，浅野　卓1，野田　進1，大畑　浩2，平沢　明2，宮口　敏2
	7	反射防止構造のための金型作製技術（30分）	産総研　近接場光センター　○栗原一真，中野隆志，富永淳二
	8	ガラスモールド法による次世代光波制御素子の作製（30分）	コニカミノルタオプト　○森　登史晴
	9	次世代微細構造光学素子の技術戦略（20分）	大阪府大工　○菊田久雄
光と半導体による新しいエネルギー生成と環境浄化
9月5日　13:00〜17:10
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	1	イントロダクトリー：光と半導体による新しいエネルギー生成と環境浄化（10分）	東北大学際1，東京理大理2　○藤井克司1，伊藤　隆1，大川和宏2
	2	金属ナノ粒子-半導体複合系が示す光電気化学機能（25分）	東大生研1，JST2　○立間　徹1,2
	3	ナノ多孔質酸化亜鉛/色素ハイブリッド薄膜の電解析出と色素増感太陽電池への応用（25分）	岐阜大院工　○吉田　司
	4	水の光分解 − 2段階励起システムによる可視光誘起反応 −（25分）	北大触媒セ　○阿部　竜
	5	酸化チタン系光触媒の応用展開と最新の研究動向（25分）	大阪府大　○安保正一
		休 憩 14:50〜15:05
	6	オキシナイトライド系光触媒材料による水の可視光分解（25分）	東大院工　○堂免一成
	7	色素増感を用いる太陽光発電と環境浄化への応用（25分）	桐蔭横浜大院工　○宮坂　力
	8	イオウ循環を利用した太陽エネルギー変換による水素の製造（25分）	東北大院環境　○田路和幸
	9	水素発生のための光電気化学反応のその場観察（25分）	東北大学際　○伊藤　隆，藤井克司，八百隆文
	10	窒化物光触媒は水素エネルギー生成に使えるのか?（25分）	東京理大理1，科技構ERATO2　○大川和宏1,2
放射線知識普及活動の最前線
9月5日　13:00〜17:20
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	1	イントロダクトリートーク：放射線知識普及の意義（15分）	阪府大産学官　○奥田修一
	2	近畿大学原子炉を活用した大学教育、教員研修、そして社会教育（30分）	近畿大原研　○鶴田隆雄
	3	京大炉における取り組み-くまとりサイエンスパーク構想の実現を目指して-（30分）	京大炉　○代谷誠治
	4	大阪府立大学の放射線知識普及活動の現状（30分）	阪府大産学官　○奥田修一
	5	かんさいアトムサイエンス倶楽部の活動（30分）	阪府大理　○古田雅一
		休 憩 15:15〜15:30
	6	音楽と科学のふれあい広場（30分）	新潟大工　○太田雅壽
	7	武蔵工大における放射線知識普及活動の現状(30分）	武蔵工大　○岡田往子，持木幸一
	8	放射線利用振興協会における活動状況（30分）	放振協　○棚瀬正和，舩山佳郎，田中　治
	9	総合討論（20分）
機能デバイスを支えるシリコン結晶基盤技術― 次世代ULSIから環境デバイスまで ―
9月5日　13:00〜17:25
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	1	はじめに（10分）	新潟大物質量子科学研究セ　○金田　寛
	2	ロードマップから見た結晶技術の現状と課題（30分）	富士通会津若松工場　○佐藤俊哉
	3	今後のシリコンウェーハの展開と新たな結晶加工技術　―ウェーハ製造の立場から―（30分）	コバレントマテリアル　○泉妻宏治
	4	シリコン原子空孔の電子軌道と電気四極子 （30分）	新潟大自然1，新潟大物質量子科学セ2，東北大金研3　○後藤輝孝1,2，金田　寛2，昆金正敏1，根本祐一1,2，中村慎太郎3
	5	Si原子空孔の大規模第一原理・分子動力学計算（30分）	岡山大院自然1，新潟大理2　○鶴田健二1，家富　洋2
		休 憩 15:10〜15:25
	6	Cuの電子状態と拡散；第一原理計算（30分）	ルネサステクノロジ1，阪大　産研2　○松川和人1，服部信美1，村上英一1，白井光雲2，吉田　博2
	7	太陽電池用シリコン結晶の現状と課題（30分）	豊田工大　○大下祥雄，新船幸二，山口真史
	8	太陽電池用多結晶シリコン材料の技術課題と展望（30分）	Si開発グループ　○若松　智
	9	SiC半導体の材料的技術課題（30分）	新日鐵先端技研　○大谷　昇，中林正史，勝野正和，藤本辰雄，柘植弘志，藍郷　崇，矢代弘克，平野芳生，星野泰三
フォトニックネットワークに向けた中核光デバイス群の開発と光ラベルスイッチングノードプロトタイプへの応用
9月5日　13:15〜17:30
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	1	イントロダクトリートーク：フォトニックネットワーク技術開発プロジェクトの概要（30分）	東大先端研　○中野義昭
	2	EO導波路偏向型光スイッチ（30分）	富士通　○青木重憲，菅間明夫，甲斐雄高，尾中　寛
	3	40Gbps SOA-MZI光波長変換器の開発（30分）	三菱電機　○宮崎泰典，宮原利治，高木和久，松本啓資，西川智志，八田竜夫，青柳利隆，本島邦明
	4	石英系超小型ァサーマルAWGの開発（30分）	日立電線　○上塚尚登，丸　浩一，千葉貴史，石川　弘，樫村誠一，阿部由起雄，櫨川　哲
		休 憩 15:15〜15:30
	5	短共振器DBRレーザアレイ波長可変光源の開発（30分）	日立中研1，古河電工横浜研究所2，光産業技術振興協会3　○有本英生1,3，辻　伸二1,3，粕川秋彦2,3，黒部立郎2,3
	6	超小型8チャンネル導波路光アンプアレイの開発（30分）	旭硝子　○近藤裕己，小野元司，陰山淳一，杉本直樹
	7	電子制御型光バーストスイッチングノードプロトタイプの開発（30分）	KDDI研1，東大2　○西村公佐1，アルアミンアブドゥーラ2，竹中　充2，種村拓夫2，猪原　涼1，宇佐見正士1，中野義昭2
	8	FBG全光ラベル処理スイッチノードの研究（30分）	沖電気工業研究開発本部　○牛窪　孝，玉井秀明，更科昌弘，沓澤聡子
High-k メタルゲートスタックにおける閾値のプロセス依存性と制御の現状
9月5日　13:00〜17:30
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	1	イントロダクトリートーク：（High-kメタルゲートスタックにおける閾値制御の現状）（15分）	筑波大院数物1，早大ナノテク研2　○白石賢二1，山田啓作2
	2	金属/High-k界面物性のプロセス依存性の評価と理解（30分）	阪大院工　○渡部平司，喜多祐起，吉田慎一，細井卓治，志村考功
	3	金属/High-kゲート絶縁膜界面の実効仕事関数評価とその制御指針（30分）	広島大院先端研　○宮崎誠一
	4	拡張された酸素空孔モデルによるHfO2上p-metal仕事関数のpinning的挙動の解釈（30分）	Selete1，東エレ2，三星3，日立4，NEC FL5　○赤坂泰志1,2，中村源志1,2，小川　修1，李　明範1,3，網中敏夫1，粕谷　透1,4，大塚文雄1，奈良安雄1，中村邦雄1,5
		休 憩 14:45〜15:00
	5	High-k CMOSにおける閾値決定要因（30分）	半導体MIRAI-産総研ASRC1，半導体MIRAI-ASET2，東大工3　○太田裕之1，岩本邦彦2，秋山浩二2，生田目俊秀2，鳥海　明1,3
	6	Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックMOSFETのVth制御（30分）	NECデバプラ研　○高橋健介，寺島浩一，宮村　信，間部謙三，西藤哲史，辰巳　徹
	7	フルシリサイドおよびメタルゲート/High-k　MOSの実効仕事関数制御（30分）	東芝研開セ　○小山正人，鈴木正道，土屋義規
	8	Gate lastプロセスを用いた低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートスタックの開発（30分）	ソニー　○田井香織，安藤崇志，山口晋平，平野智之，萩本賢哉，長濱嘉彦，Junli Wang，舘下八州志，田川幸雄，岩元勇人
	9	Ru電極を用いたp-metalピニング現象の改善策の検討（30分）	半導体先端テクノロジーズ1，筑波大2，大阪大3，広島大4，物材機構5，早稲田大6　○門島　勝1，杉田義博1，白石賢二2，渡部平司3，大田晃生4，宮崎誠一4，中島清美5，知京豊裕5，山田啓作6，網中敏夫1，黒澤悦男1，松木武雄1，青山敬幸1，奈良安雄1，大路　譲1
「窒化物の新展開」特定領域研究企画「窒化物光半導体のフロンティア」−材料潜在能力の極限発現−
9月5日　13:00〜17:35
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	1	イントロダクトリート-ク:「窒化物光半導体のフロンティア」-材料潜在能力の極限発現-（20分）	立命館大理工　○名西やすし
	2	パルス励起堆積（PXD）法によるInN系薄膜の低温成長（30分）	東大生研1，神奈川科学技術アカデミー2　○藤岡　洋1,2，太田実雄1,2
	3	原料分子制御HVPE法によるAlN, AlGaNおよびInN成長（30分）	農工大・院・工学系　○纐纈明伯，熊谷義直，村上　尚
	4	InNを基盤としたナノ構造光デバイス開発への展望と課題（30分）	千葉大院工1，千葉大VBL2，JST-CRESTInNプロジェクト3　○吉川明彦1,2,3，石谷善博1,2,3，崔　成伯1,2,3，王　新強3
	5	高In組成InGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制御（30分）	京大院工1，日亜化学2　○川上養一1，船戸　充1，金田昭男1，上田雅也1，小島一信1，成川幸男2，向井孝志2
		休 憩 15:20〜15:35
	6	陽電子消滅を用いた窒化物光半導体の空孔型欠陥の検出（30分）	筑波大数理物質1，東北大多元物質科学研2　○上殿明良1，秩父重英2
	7	紫外発光素子への期待とIII族窒化物半導体を用いた紫外発光素子の高性能化（30分）	名城大　理工　○天野　浩，岩谷素顕，上山　智，赤崎　勇
	8	230-350nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望（30分）	理研1，埼玉大工2，松下電工3　○平山秀樹1，谷田部　透1,2，野口憲路1,2，藤川紗千恵1，高野隆好1,3，鎌田憲彦2，近藤行廣3
	9	AlGaInN系赤色〜赤外域ナノコラム光デバイス結晶の開拓（30分）	上智大理工1，科学技術振興機構CREST2　○岸野克巳1,2，菊池昭彦1,2，関口寛人1,2，石沢峻介1,2，神村淳平1
プログラム自己組織化を用いた分子スケールデバイス−ボトムアップ／トップダウン融合の視点から−
9月5日　13:00〜17:50
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	1	イントロダクトリートーク：プログラム自己組織化を用いた分子スケールデバイス-ボトムアップ/トップダウン融合の視点から-（25分）	阪大産研　○松本卓也，川合知二
	2	階層を越える自己組織化構造の形成（25分）	NEDO1，産総研2　○山口智彦1,2
	3	ゆらぎを利用する自己組織化デバイス（25分）	北大院情科研　○浅井哲也
	4	パターン表面における脂質二分子膜の自己組織化を利用した分子輸送（25分）	NTT物性基礎研　○古川一暁
	5	分子回転子の自己組織化と配列制御（25分）	ヴィジョンアーツ1，ペンシルバニア州立大2，クイーンズランド工科大3，首都大4，山東大5　○高見知秀1,2，葉　　涛2，Paul S. Weiss2，Dennis P. Arnold3，杉浦健一4，姜　建壮5
		休 憩 15:05〜15:20
	6	非導電性基板上におけるナノスケール有機分子体の高分解能イメージングと配列制御（25分）	情報通信研究機構1，広大先端物質科学2　○田中秀吉1，上門敏也1，長谷川裕之1，大友　明1，鈴木　仁2
	7	単一導電性高分子細線の表面重合（25分）	静岡大電子工研1，JSTさきがけ2　○坂口浩司1,2
	8	ナノギャップ平坦電極を用いた有機デバイスの機能評価（25分）	阪大工1，ICORP2，JST-さきがけ3，阪大理4，物材機構5　○桑原裕司1,2，赤井　恵1,3，竹谷純一4，齋藤　彰1,2，青野正和5
	9	自己組織化配線法による分子デバイス(25分)	阪大産研1，阪大院工2　○谷口正輝1，寺尾　潤2，川合知二1
	10	電気化学を用いた電極からの分子の組み上げ（25分）	中央大理工1，東洋大2，産総研3　○芳賀正明1，小林克彰1，寺田恵一1，和田恭雄2，筒井　謙2，石田敬雄3
	11	分子エレクトロニクスのための有機分子・無機ナノ構造体の自己組織化（25分）	分子研　○小川琢治，小澤寛晃，河尾真宏，矢島高志，田中啓文
実用化の立場からみたソフトマテリアル
9月5日　13:00〜17:20
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	1	イントロダクトリートーク：実用化の立場からみたソフトマテリアル（5分）	東工大院理工　○中嶋　健
	2	プリンタブル、ユビキタスを目指す色素増感太陽電池（40分）	桐蔭横浜大院工　○宮坂　力
	3	導電性高分子を用いた有機系太陽電池の開発（40分）	新日石中研1，東大先端研2　○錦谷禎範1，久保貴哉1,2
	4	ドナー/アクセプタ相互浸透界面の基礎研究と太陽電池応用（40分）	阪大院工　○藤井彰彦，芝田岳史，Varutt Kittichungchit，渡邊聖彦，尾崎雅則
		休 憩 15:05〜15:20
	5	メタノール燃料電池用材料(ナノサイズ電極触媒)の開発（40分）	日立基礎研1，日立日立研2　○相馬憲一1，鈴木修一2
	6	燃料電池用高分子電解質膜：新材料の可能性（40分）	山梨大クリエネ研セ　○宮武健治
	7	導電性高分子によるソフトアクチュエータの仕事振り（40分）	九工大院生命体　○金藤敬一，末松浩嵩，高嶋　授
Poly-Si TFT最近の展開と今後
9月5日　13:00〜18:00
5p-K-　/ 0
	1	イントロダクトリートーク：　Poly-Si TFT 最近の展開と今後 (10分）	大阪大　接合研　○芹川　正
	2	Poly-Si TFT 新たなSi膜形成法（液体シリコン材料）（30分）	セイコーエプソン　○田中英樹，古沢昌宏
	3	位置制御Si大結晶粒アレイ形成（30分）	ALTEDEC　○東　和文
	4	高機能Poly-Si TFT を実現するSi膜の構造設計（30分）	兵庫県立大院1，山口大院2　○松尾直人1，部家　彰1，河本直哉2
	5	Poly-Si TFT 新たなSi膜結晶化法（熱プラズマジェット法）（30分）	広大院・先端研　○東　清一郎
		休 憩 15:10〜15:20
	6	インクジェット技術を用いたSi薄膜の金属誘起固相結晶化（30分）	九大シス情　○浅野種正，石田雄二
	7	Poly-Si TFTにおけるSiO2膜-どこまで薄く、どこまで低温に-（30分）	大阪大　接合科学研　○芹川　正
	8	バイオ系新材料を用いて作製した低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ（30分）	奈良先端大1，松下電器先端研2　○浦岡行治1，冬木　隆1，吉井重雄2，山下一郎1,2
	9	TFT転写プロセス及び薄型SOG-TFT LCD（30分）	TRADIM1，日本電気2，NEC液晶テクノロジー3　○竹知和重1，大槻重義1，金子節夫2,3
	10	超低温化プロセスによるプラスチック上ポリSi TFT（30分）	琉球大工　○野口　隆
	11	まとめ（10分）	先端液晶技術開発センター　○松村正清
電磁場下における様々な現象とその制御−固体金属から流体まで−
9月5日　13:10〜17:30
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	1	イントロダクトリートーク：（金属への磁場応用）（5分）	名古屋大工　○岩井一彦
	2	固相中拡散変態過程における結晶配向組織形成（30分）	大阪大・工　○吉矢真人，鹿谷俊之，安田秀幸
	3	金属材料における組織形成過程に及ぼす磁場効果（30分）	物材機構　○大塚秀幸
	4	材料微細組織形成に関わる金属学的現象に対する磁場効果（30分）	熊本大工　○連川貞弘
	5	電析過程に及す強磁場印加の影響（30分）	熊大院　○小塚敏之
		休 憩 15:15〜15:30
	6	マイクロ波と物質の相互作用とマイクロ波磁場の加熱効果（30分）	東北大環境科学　○吉川　昇
	7	液体金属の自由表面流れに及ぼす外部磁場効果（30分）	首都大SD　○田川俊夫
	8	鉛直強磁場下の流体中を浮上する粒子や気泡の挙動（30分）	東北大工　○上野和之
	9	金属製造プロセスへの強磁場利用の試み（30分）	名古屋大工　○岩井一彦，臼井　学，豊田　望，古橋一平
転換期のもの作り人材育成の現状と課題〜高校・高専・大学・企業の視点を中心にして〜
9月5日　13:30〜17:00
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	1	イントロダクトリートーク：転換期のもの作り人材育成の現状と課題（5分）	宮教大1，東理大・工2，東京工科大3　千葉芳明1，○安藤靜敏2，毛塚博史3
	2	もの作り人材 育成と学会におけるリフレッシュ理科教室の取り組み（20分）	名大院工　○高井吉明
	3	教育現場の「ほんね」と「たてまえ」(20分）	麻布高等学校　○増子　寛
	4	高専における物理教育と移動実験車による理科体験教室（20分）	宮城高専　○松浦　真
	5	少子化時代の大学科学教育（20分）	いわき明星大　○高重正明
		休 憩 14:55〜15:10
	6	学生の自主的プロジェクト活動を通じたものづくり教育（20分）	千歳科技大　○長谷川　誠
	7	企業での研究経験を活かした実践的な理工系学部モノつくり教育（20分）	近大生物理工　○栗山敏秀
	8	研究者としての人材育成のための教育（20分）	一橋大　○中馬宏之
	9	パネル討論（50分）
日本学術振興会第161委員会企画「半導体バルク結晶技術の現状と展望」
9月6日　13:00〜16:45
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	1	ソルボサーマル法によるZnO・GaNバルク結晶成長（35分）	東北大多元研1，福田結晶技研2，東京電波3，日本製鋼所4，三菱化学5　○福田承生1，横山千昭1，山根久典1，折戸文夫1，鏡谷勇二1，Dirk Ehrentraut1，三川　豊2，前田克己3，小野隆夫3，石黒　徹4，伊藤浩久5，川端紳一郎5
	2	単結晶ダイヤモンド基板の開発（35分）	産総研　○茶谷原昭義，杢野由明，山田英明，坪内信輝
	3	HVPE法によるGaN・AlN成長の現状と課題（35分）	三重大工　○平松和政，劉　玉懐，三宅秀人
		休 憩 14:45〜15:00
	4	Siバルク成長技術の現状と展望（35分）	コバレントマテリアル　○鹿島一日兒
	5	GaAs・InPバルク結晶成長の現状と展望（35分）	住友電気工業株式会社　○川瀬智博，井上哲也
	6	SiCバルク基板の現状と展望（35分）	シクスオン　○古庄智明，西口太郎，佐々木　信，吉岡善光，小林良平，林　利彦，木下博之
結晶工学分科会企画シンポジウム「蛍光体結晶でつくる大画面ディスプレイと白色LEDの性能改善」
9月6日　13:00〜17:00
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	1	イントロダクトリートーク：蛍光体結晶でつくる大画面ディスプレイと白色LEDの性能改善（15分）	NHK技研　○田中　克
	2	最近のPDP用蛍光体（30分）	化成オプトニクス　○市原高史，大戸章裕，片山秀雄，川口恭史，久宗孝之
	3	高輝度蛍光体による大面積フレキシブル分散型無機ELシート（30分）	富士フイルム先端コア技術研1，富士フイルムソフトウエア開発セ2，富士フイルム解析技術センター3　○佐藤忠伸1，白田雅史1，野口高史2，河戸孝二3，小川恭平3，山下清司1
	4	無機ELを用いたフルカラー平面型ディスプレイ（30分）	三洋電機1，iFire Technology2，大日本印刷3　○浜田弘喜1，和邇浩一2，沓掛正樹3
		休 憩 14:45〜15:00
	5	高効率白色LEDの開発と応用（30分）	日亜化学 LED 技術本部 第1 技術部　○木下雅之
	6	高演色性白色LED（30分）	松下照明社　○大塩祥三
	7	高電流密度電子線励起用蛍光体（30分）	東芝　研究開発センター1，東芝リサーチコンサルティング2　○平松亮介1，松田直寿1，玉谷正昭2
	8	高精細FEDモニターと要求される蛍光体性能（30分）	エフ・イー・テクノロジーズ　○加藤芳光，井口如信
シリコン・フォトニクス技術の最新動向
9月6日　13:00〜17:15
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	1	イントロダクトリートーク　シリコン・フォトニクス技術への期待（30分）	東大工院　○和田一実
	2	コンピュータシステムからみた光技術への期待（30分）	NEC　中研　○中田登志之
	3	チップ上光配線へ向けたシリコン・フォトニクスデバイス（30分）	MIRAI-Selete1，日本電気ナノエレ研2　○西　研一1,2，大橋啓之1,2
	4	シリコン・フォトニクスにおける発光デバイス(30分）	電通大電子　○木村忠正
		休 憩 15:00〜15:15
	5	シリコン微小導波路光デバイス（30分）	横国大院工　○馬場俊彦
	6	光通信用デバイスにむけたシリコン・フォトニクス技術（30分）	NTT MI研　○山田浩治，土澤　泰，渡辺俊文，福田　浩，篠島弘幸，板橋聖一
▲	7	選択成長を用いたSi光導波路上Geフォトディテクタ（30分）	東京大1，NTT2　○朴　成鳳1，石川靖彦1，土澤　泰2，渡辺俊文2，山田浩治2，板橋聖一2，和田一実1
	8	シリコン発光トランジスタ（30分）	日立中研　○斎藤慎一
有機デバイスの物性評価と有機FETの新展開（基礎編）
9月6日　13:00〜17:30
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	1	有機デバイスの物性評価と有機FETの新展開：　イントロダクトリートーク(10分）	情報通信研究機構　○山田俊樹
	2	有機ELデバイスの基本特性と評価（30分）	有機エレクトロニクス研究所　○小田　敦
	3	有機デバイスのインピーダンス分光（30分）	大阪府大院工　○内藤裕義
	4	電場変調スペクトル法で見た有機半導体デバイスの内部電場分布（30分）	島根大総合理工1，島根大総合科学研セ2　○広光一郎1，田中仙君2，吉田勇気1
	5	有機デバイスの赤外・ラマン分光（30分）	早大院先進理工　○古川行夫
		休 憩 15:10〜15:30
	6	光第2次高調波によるMaxwell-Wagner効果素子としての有機FETの評価（30分）	東工大院理工　○岩本光正，間中孝彰，林　銀珠，田村亮祐
	7	変位電流とチャネル電流の同時測定による有機FETの評価（30分）	東工大院理工　○真島　豊
	8	有機電界効果デバイスのESRによる評価（30分）	筑波大院数物　○丸本一弘
	9	有機TFTにおけるキャリア輸送：TFTのバイタルサインである動作時電位分布からわかること（30分）	千葉大院工　○中村雅一
先端LSIに与える放射線の影響"ソフトエラーとハードエラー"
9月6日　13:00〜17:30
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	1	イントロダクトリー：放射線によるシリコンエラー（10分）	宇宙研　○廣瀬和之
	2	地上の宇宙線中性子によるソフトエラーのフィールドテスト（30分）	ソニー　○小林　一，白石　謙，河本信貴，嘉瀬　純
	3	マルチセルエラーの解析技術と新モードの評価（30分）	日立・生研　○伊部英史
	4	中性子線によるソフトエラーのシミュレーション（30分）	富士通研　○戸坂義春，上村大樹，佐藤成生
	5	論理回路の新しいソフトエラーモード「シングルイベント・トランジェント」をデバイスレベルで考える（30分）	宇宙研1，総研大2，東大3，三菱重工4　○小林大輔1,2，柳川善光3，牧野高紘2，会見真宏3，福田盛介1,3，池田博一1,2，齋藤宏文1,3，廣瀬和之1,2，石井　茂4，高橋大輔4，草野将樹4，山本健輔4，池淵　博4，黒田能克4
		休 憩 15:10〜15:30
	6	放射線によるMOSデバイスのハードエラー（30分）	JAXA　○久保山智司
	7	イオン化損傷と非イオン化損傷（30分）	量子ビーム応用研究部門　○平尾敏雄
	8	MOSデバイスのハードエラーとその微視的描像（30分）	武蔵工大1，日立基礎研2　○丸泉琢也1，牛尾二郎2，白木靖寛1
	9	MOSデバイスのハードエラーおよびその抑制（30分）	日大理工　○高橋芳浩
ナノスピントロニクスにおける量子効果と関連現象
9月6日　13:25〜17:45
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	1	イントロダクトリートーク：はじめに（5分）	東工大像情報　○宗片比呂夫
	2	結晶MgO障壁のコヒーレントなスピン依存トンネル伝導とTMR振動現象（30分）	産総研1，阪大基礎工2　○湯浅新治1，松本利映1,2，福島章雄1，長浜太郎1，久保田　均1，薬師寺　啓1，鈴木義茂1,2，安藤功兒1
	3	ホイスラー合金の磁性とそれを用いたトンネル接合における磁気抵抗効果（30分）	東北大院工1，東北大金研2，産総研3，東北大Niche4　○大兼幹彦1，桜庭裕弥2，Resul Yilgin1，服部正志1，村上修一1，久保田　均3，安藤康夫1，高梨弘毅2，宮崎照宣4
	4	CoドープTiO2を用いた磁気伝導デバイスの可能性（30分）	東北大金研1，科技団戦略2　○福村知昭1，豊崎秀海1，上野和紀1，中野匡規1，山崎高志1，川崎雅司1,2
	5	III-V族強磁性半導体へテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果と共鳴トンネル効果（30分）	東大院工1，JST さきがけ2　○大矢　忍1,2，ファムナムハイ1，水野洋輔1，田中雅明1
		休 憩 15:30〜15:45
	6	ドライプロセスを用いたNiFeナノコンタクトの作製と磁気抵抗効果測定（30分）	東芝　研究開発セ　○大沢裕一
	7	量子ポイントコンタクトでのスピンフィルター効果（30分）	慶大理工　○江藤幹雄
	8	強磁性電極を有する単一InAs量子ドットのスピン伝導（30分）	東大生産研1，東大ナノ量子機構2　○浜屋宏平1，町田友樹1,2
	9	光子とスピンの量子メディア変換（30分）	東北大通研　○小坂英男
ランダム系フォトエレクトロニクス研究会「ランダム系材料・デバイスの挑戦、結晶系を超えられるか！？」
9月7日　9:00〜12:25
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	1	ランダム系フォトエレクトロニクス研究会　ランダム系材料・デバイスの挑戦、結晶系を超えられるか!?（15分）	東北大院工　○藤原　巧
	2	フォトニックネットワークに向けたガラス導波路デバイス（35分）	NTTフォトニクス研　○阿部　淳
	3	次世代パッシブ光学素子とその創成技術（35分）	産総研　○西井準治
		休 憩 10:25〜10:40
	4	形態制御された酸化物における光の局在化（35分）	京大院工1，科学技術振興機構さきがけ2　○藤田晃司1,2
	5	有機材料によるフレキシブル電子・光集積デバイス(35分）	阪大先端セ　○大森　裕
	6	相変化メモリの非晶質ランダム性（35分）	日立中研　○寺尾元康
活用広がる機能性高密度流体プロセッシング
9月7日　10:15〜16:05
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	1	はじめに：機能性高密度流体プロセッシング（15分）	山梨大　○近藤英一
	2	超臨界CVDを用いたカーボンナノ構造体へのナノPt粒子形成とデバイスへの応用（30分）	名古屋大工1，名城大工2　○堀　　勝1，平松美根男2
	3	超臨界二酸化炭素を用いた薄膜堆積法（高コンフォーマルな薄膜堆積に向けて）（30分）	産総研エレ　○清水貴思
	4	超臨界流体プラズマとそのナノテクノロジーへの応用（30分）	東大院新領域　○寺嶋和夫，笘居高明
	5	超臨界状態下でのZnOバルク単結晶育成（30分）	東京電波　○杉村茂昭，鈴木崇雄，佐々木迅人，前田克己，岡戸貞男，小野隆夫
		昼 食 12:30〜13:30
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	1	MEMSデバイスにおける超臨界 システムの適用（30分）	オムロン　先端デバイス研究所　○森口　誠，宮地孝明
	2	半導体デバイス、ナノデバイス作製における超臨界CO2の適用可能性（30分）	ソニー　○嵯峨幸一郎
	3	超臨界流体・機能水による半導体表面処理（30分）	阪大院工 1，オルガノ2　○青木秀充1，小松直佳1，大江太郎2，二ツ木高志2，木村千春1，杉野　隆1
	4	機能水による超LSI洗浄プロセス（30分）	東芝セミコン社　○小寺雅子
	5	超臨界ナノプレーティング法による無欠陥・均一金属薄膜の形成（30分）	東工大精研　○曽根正人
	6	まとめ（5分）	関大　○新宮原正三
薄膜シリコン太陽電池の新展開
9月7日　13:00〜16:25
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	1	イントロダクトリートーク：薄膜シリコン太陽電池の新展開（10分）	阪大院基礎工　○外山利彦
	2	ハイブリッド型薄膜シリコン太陽電池（30分）	カネカ　○山本憲治
	3	薄膜シリコン太陽電池の開発（30分）	シャープ薄膜C　○奈須野善之，岸本克史，近藤雅文，福岡裕介，早川尚志，野元克彦
	4	薄膜太陽電池用透明導電膜付きガラス基板の課題と新技術（30分）	旭硝子中央研究所　○尾山卓司，種田直樹，神戸美花，佐藤一夫
		休 憩 14:40〜14:55
	5	フレキシブル薄膜シリコン太陽電池（30分）	富士電機　○石川隆正，坂井亮平，河野伸一，下沢　慎，中村哲郎，高野章弘，鴨下友義，宮城正英，斉藤純一郎
	6	薄膜シリコン太陽電池技術（30分）	三洋電機AE研究所　○寺川　朗，綾　洋一郎，篠原　亘，田中　誠
	7	薄膜シリコン系太陽電池の高効率化に向けた新技術と将来展望（30分）	産総研　○藤原裕之，松井卓矢，Smets Arno，鯉田　崇，増田　淳，近藤道雄
有機デバイスの物性評価と有機FETの新展開（応用編）
9月7日　13:00〜17:15
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	1	イントロダクトリートーク：有機薄膜トランジスタ開発の現状と新展開（30分）	千葉大院工　○工藤一浩
	2	有機トランジスタにおける電極からチャネルまでの電流注入（30分）	理研1，東工大2，JST-CREST3　○塚越一仁13，三成剛生13，宮寺哲彦13，王　穗東13，青柳克信123
	3	高移動度有機単結晶トランジスタ（30分）	阪大理　○竹谷純一
	4	ヘテロ環化合物に基づく新規なn-型有機FETの開発（30分）	東工大院総理工　○山下敬郎
		休 憩 15:00〜15:15
	5	新しい低分子系有機半導体材料の開発（30分）	広島大院工　○瀧宮和男
	6	有機TFTによるフレキシブルディスプレイ駆動（30分）	ソニー　マテリアル研　○野本和正
	7	電子ペーパー用有機TFTバックプレーンの開発（30分）	○鶴岡美秋
	8	有機TFTの動作電圧低減（30分）	NHK技研　○時任静士
バイオチップの現状と課題〜企業での開発研究の視点から〜
9月7日　13:30〜17:20
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	1	インロトダクリートーク：バイオチップの現状と課題（10分）	東レ先端融合研　○中村史夫
	2	ゲノムテクノロジーで変わる医療（50分）	京大薬ゲノム創薬　○辻本豪三
	3	インクジェット法による臨床用DNAマイクロアレイの開発（30分）	キヤノン　○山本伸子
	4	ナノインプリント技術を用いた局在表面プラズモン共鳴バイオセンサーの開発（30分）	オムロン技術本部1，JST（CREST）2　○松下智彦1,2，西川武男1,2，山下英之1,2，蓮井亮介1,2，藤田悟史1,2，増田梨恵1,2，奥野雄太郎1,2
		休 憩 15:30〜15:45
	5	バイオトランジスタによる生体分子認識の検出（30分）	物材機構　生体センター1，東京大　ナノバイオ研究拠点2　○宮原裕二1,2，坂田利弥2
	6	表面プラズモン共鳴センサー技術を用いた創薬スクリーニングシステムの開発（30分）	富士フイルムLS事業部1，富士フイルム先端研2　○来馬浩二1，江副利秀1，山下清司1，大塚　尚2
	7	シリコンを基板としたイオンチャンネルバイオセンサーの開発と応用（30分）	分子研1，総研大2　○宇理須恒雄1,2
	8	まとめ（5分）	東北大工　○吉信達夫
プラズマとその応用プロセスのシミュレーション−現状とさらなる飛躍に向けて−
9月7日　13:45〜17:25
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	1	13:15〜13:45（第5回プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演）
	2	イントロダクトリートーク：プラズマとその応用プロセスのシミュレーション　-現状とさらなる飛躍に向けて-（5分）	防衛大応物　○明石治朗
	3	プラズマおよびその応用プロセスのシミュレーションの現状（25分）	京大院工　○斧　高一
	4	大気圧グロー放電プラズマのシミュレーション（25分）	コニカミノルタTC　○末富英一
	5	Modeling and simulation of plasma sources for semiconductor device manufacturing: applications and opportunities（25分）	東京エレクトロン　○Peter L.G. Ventzek
	6	プラズマエッチング形状進展シミュレーションの現状と展望：Siエッチング（25分）	日立中研1，京大工2　○森　政士1，入江祥己2，板橋直志1，江利口浩二2，斧　高一2
	7	プロセスプラズマシミュレータ（25分）	ペガサスソフトウェア　○田中正明，松永史彦，中舘　博
		休 憩 15:55〜16:10
	8	ナノチューブ創製用CH4/H2混合RFプラズマのシミュレーション　―ガス流量の効果―（25分）	名工大1，北大2　○小田昭紀1，沖田篤士2，須田善行2
	9	分子運動論に基づくエッチング／デポジション表面のシミュレーション（25分）	阪大院工　○浜口智志
	10	全体まとめ；プラズマプロセスデザイン、現状と展望（25分）	慶應大理工　○真壁利明